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테니스 일지(3/15)_응봉공원 테니스장

테니스 레슨을 처음 받을 때부터, 같이 배워오던 친구가 있습니다. 그런데 중간에 그 친구가 부상으로 인해 한달정도 테니스 공백기가 생겼습니다. 그 이후에는 실력에 약간의 차이가 생겼죠? 그래도 지금은 서로 꽤나 오랜 기간 레슨을 받으면서, 2~3회 랠리가 될 만큼 실력이 올라왔습니다. 앞으로 매주 화요일 마다 테니스 코트를 잡아서 2시간정도 게임을 할 생각입니다. 물론 파트너는 이 친구(성엽)입니다. 대현산배수지공원테니스장 서울특별시 성동구 금호동1가 이 블로그의 체크인 이 장소의 다른 글 각설하고, 응봉공원 테니스장은 매우 예쁩니다. 테니스장 주변으로 높은 나무가 둘러쌓여있고, 인조잔디의 색이 바래지 않았습니다. 하늘도 예쁜 날이라면 인스타그램같은 SNS에 올리기엔 이만한 테니스장이 없을 것 같습니다. 하지만 약간의 문제는 부분적으로 인조잔디와 바닥 사이에 이격이 있어 공의 바운드가 균일하지 않을 때가 종종 있습니다. 예쁜 테니스장! 깨끗하고! 그런데 약간 테니스인으로서 아쉬운..

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테니스 일지(3/23)_레슨

레슨에서 프로님께 받았던 테니스 팁들이 항상 기억에 남지 않아서 시작한 일지입니다. 어느새 영상을 올린 분량도 두달치가 되어가네요. 사실 저는 금요일마다 서울 소재 대학 연합 테니스동아리 TC(Top of clubs)에서 테니스를 치고 있습니다. 아마 금요일 오후 6시쯤 반포종합운동장에 오시면 저를 만나실 수 있을거에요. 동아리에서는 영상촬영을 따로 하지는 않는데, 그곳에서는 다양한 분들과 테니스를 돌아가면서 치다보니까 카메라를 들고 움직이기엔 어려운 부분이 있습니다. 오늘도 똑같이 프로님께 스윙이 아래에서 시작해야한다는 지적을 받았습니다. 여전히 테이크백을 한 상태에서 라켓 드롭을 하지 않고 스윙을 하다보니 발생하는 문제점입니다. 그리고 테이크백부터 팔로우스루까지 힘을 너무 주는 경향이 있는데, 힘을 뺀 상태를 기본값으로 하고, 임팩트 시에만 힘을 빡 줘야 한다는 것도 배워가는 레슨이었습니다. 라켓이 공보다 아래에서 출발해야 한다. 편하게 힘을 빼고 있다가, 임팩트시에만 힘을 전달

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테니스 레슨(3/25)_레슨

이 날 레슨을 받고 밤에 코로나19 확진 판정을 받았습니다. 이 때 까지만 해도 증상이 하나도 없었는데, 밤이 되니 목이 건조한 것 같은 느낌이 들었습니다. 자가진단키트를 목에 사용하면 정확도가 올라간다는 말을 듣고, 그대로 따라해봤는데 뜬금 없는 두줄에 당황스러웠습니다. 이날부터 일주일간 격리생활에 체력이 조금 떨어져셔 다시금 재활에 힘쓰고 있는 4월입니다. 레슨에서는 처음으로 어프로치 스텝에 대해 배웠습니다. 2분간 포핸드 / 백핸드 레슨 3분간 어프로치 레슨 5분간 발리 레슨 5분간 포핸드 + 포핸드 + 어프로치 + 발리 + 발리 개인적으로 발리 레슨할 때 모습이 제일 잘 나온 것 같네요. 네트 앞 공이 뜬 상황의 어프로치는, 라켓을 눈 높이에 맞춰서 테이크 백을 하자. 더 높으면 스매시를 하자. 오늘의 레슨 포인트 백핸드에서도 계속 힘이 들어가는데, 포핸드/백핸드 모두 임팩트에만 힘을 주고 나머지 동작에서는 힘을 빼자. 테니스는 발로 하는 스포츠다. 스텝 연습을 꾸준히 하고,

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테니스 일지(4/4)_관악구민운동장 테니스장

코로나19에 확진되고 일주일간 고생하다 격리가 풀린 다음날 항상 같이 치는 친구와 테니스를 치러 다녀왔습니다. 제가 격리하는 도중에 레슨 두 번을 갔는데, 그 때 뭔가 꺠달은 것 같다고 하던 친구였는데 아직 깨달음은 먼 이야기인 것 같습니다. 그래도 처음 둘이서 같이 테니스를 칠 때 넘기지도 못했는데, 이제는 어느정도 랠리게 되는 것에 감사합니다. 아직 제일 높은 벽은 서브네요. 각설하고, 오늘은 관악구민운동장 테니스장 후기를 써보도록 하겠습니다. 저는 일요일 오후 6-8시 예약으로 다녀왔고, 사용료는 조명료를 포함해서 시간 당 11,000원 이었습니다. 관악구민운동장테니스장 서울특별시 관악구 낙성대로 40 관악구민운동장 테니스장 코트는 인조잔디로 구성되어있고, 사진에서 보시다시피 정말 경치도 좋고 예쁩니다. 아무래도 관악구민운동장이 원래부터 높은 곳에 위치해서 주변의 소음도 적습니다. 코트는 총 4면으로 구성되어 있고, 4번 코트 옆에는 코트를 예약하지 않아도 사용할 수 있는 백보

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반도체 공정 17.5강(Oxide thickness determination)

앞서 반도체 공정에 있는 다양한 산화막에 대해 알아봤습니다. 각 산화막이 어떤 이유에서 생기는지, 두께는 어떠한지, 어떤 목적으로 만드는지에 대한 지식은 기본적으로 알고 있어야 합니다. 이번 시간에는 반도체 웨이퍼에 생긴 산화막의 두께를 어떻게 측정하는지(Oxide thickness determination)에 대해 알아보겠습니다. 산화막(SiO2)은 기본적으로 투명합니다. 따라서 SiO2로 들어간 빛은 아래 그림처럼 Oxide 표면에서 한 번, Silicon 표면에서 한 번 반사됩니다. 물론 이해를 돕기 위해 Θ가 약 40가 되도록 그렸지만, 실제 상황에서는 Θ를 0으로 하고 측정을 진행합니다. 산화막의 두께를 L이라고 할 때, 1번 빛과 2번 빛 사이에는 2L의 경로차가 생기게 됩니다. 이 떄 발생하는 두 빛이 간섭하는 정도에 따라서 반사되는 빛의 색깔이 변하게 됩니다. 그래서 우리는 Oxide의 색을 보고도 두께를 어림잡아 측정할 수 있고, 나아가 보강간섭의 원리를 통해 Oxi

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반도체 공정 18강(Basic process of Si Oxidation)

저번 시간에는 Oxide의 두께를 측정하는 방법인 Oxide thickness determination에 대해 알아봤습니다. 두께가 다르기 때문에 반사되는 빛이 다른 것을 이용한 Oxide color chart, 보강간섭을 이용한 정확한 측정장비 Elipsometer가 있었습니다. 이번 시간에는 Si Oxidation의 Basic process에 대해 알아보겠습니다. 1. Oxidation Furnance Oxidation을 위해서는 당연히 산소를 공급하고 적절한 열에너지를 공급해줄 Furnance가 있어야 합니다. (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda) 2001 by Prentice Hall 좌측 그림은 Oxidation furnance의 간략한 그림을 나타낸 것입니다. 먼저 Furnance 안에 200-300장의 Wafer을 수용할 수 있는 Tray를 넣고 약 1000로 가열합니다. H

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반도체 공정 19강(Selective oxidation & Bird's beak effect)

앞서 Field oxide에 대해 공부를 했습니다. Field oxide는 소자 - 소자 사이의 절연체 역할을 하는 Isolation barrier입니다. 약 250 - 1,500 nm의 두께를 갖는 산화막입니다. 그런데 이 산화막을 만들 때 원하는 부분이 아닌데도 산화막이 생깁니다. 앞서 Basic process of Oxidation에서 산화막은 Si 표면에서 아래로 46%, 위로 54% 영역에서 생성됩니다. 따라서 Nitide oxidation mask를 씌워놔도 밑에 있는 Si도 SiO2가 되어버립니다. 그래서 Field oxide는 실리콘 위에 있는 직사각형 모양이 아니라 새의 부리(Bird's beak)같은 모양을 하고 있습니다. 이 현상을 Bird's beak effect라고 합니다. 1. Selective oxidation / Bird's beak effect ① Si substrate 위에 Pad oxide를 증착합니다. Pad oxide는 차후에 증착할 Silico

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테니스 일지(4/6)_레슨

일전에 포핸드 폼에 대해 고민 중이라고 글을 올렸던 적이 있습니다. 이 고민이 꽤나 오래 갈 것 같다고 생각했는데, 생각보다 고민이 빨리 끝나게 됐습니다. 포핸드 스윙에 앞서 테이크백을 시작할 때 공의 아래에 라켓이 존재하면 해결되는 문제였습니다. 라켓이 아래에서 출발하니, 공에 탑스핀을 강하게 줄 수 있는 동시에 공에 파워도 실을 수 있게 됐습니다. 로저 페더러 선수나, 라파엘 나달 선수와 같이 라켓의 면을 바닥과 수평으로 둔 상태에서 스윙을 하는 것은 컨트롤 미스가 너무 많이 발생합니다. 저는 제 스윙을 찾아가면 되는 것이겠지요. 고민이 해결됨과 동시에 오늘은 포핸드에서 꽤나 좋은 스윙 궤적을 볼 수 있었습니다. 항상 명심해야 하는 것 두가지가 생겼습니다. ① 테이크 백을 할 때 공의 아래에 라켓이 있게 하자. ② 전체적인 스윙에 힘을 빼고, 임팩트에만 강한 힘을 주자. 다만 백핸드에서는 아직 예전과 비슷한 문제점이 생기고 있습니다. 공에 컨택한 이후 공을 더 끌고 나간 이후 팔

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왜 테니스를 시작하게 되었는가?

문득 이런 생각이 들었습니다. 테니스라는 스포츠는 말로만 들었는데, 내가 언제부터 테니스에 빠지게 되었을까. 분명 가족과 지인 중에는 테니스를 할 줄 아는 분이 안계시는데, 나는 어쩌다 테니스를 시작하게 되었을까. 블로그에 글을 쓰며 돌이켜보니, 아무 것도 아니었을지도 모르는 작은 에피소드가 모여서, 테니스를 즐기는 지금의 정규철이 있더군요. 2017년 호주오픈 황제의 복귀 2017년 우연히 유튜브에서 호주 오픈을 보고 처음으로 테니스에 관심을 갖게 되었습니다. 당시 로저 페더러 선수의 경기에는 모두 ‘황제의 복귀’라는 제목이 붙어 있었습니다. 유튜브에 올라오는 경기 하이라이트 영상을 하나씩 볼 때마다, 이 선수가 과연 6개월간 부상 치료를 받았던 것인지 의심이 들 정도로 우아한 폼으로 테니스를 치는 모습이 멋있었습니다. 특히 경기 내내 무표정했던 그 선수가 결승에서 최종 득점을 하자, 방방 뛰면서 기뻐하며 울먹이는 모습을 보니 같은 감정이 북받치는 것을 느낀 후 테니스에 관심을 갖

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테니스 일지(4/8)_원핸드 백핸드 레슨

처음 테니스를 시작하게 된 이유가 로저 페더러 선수 때문이었습니다. 그래서 그런지 로저 페더러 선수의 모든 것을 동경하고, 따라하게 되더군요. 그의 테니스 라켓, 옷, 장비들, 그리고 폼과 운영 방식까지. 장비야 그렇다 치지만 로저 페더러 선수의 폼은 절대 따라할 수가 없었습니다. 초심자가 따라 할 수 없는 폼일 뿐더러, 원핸드 백핸드는 레슨을 받을 때 초심자에게 절대 알려주지 않는 폼이기 때문입니다. 원핸드 백핸드는 멋있는 폼을 가지고 있지만, 배우기도 어렵고 받쳐주는 힘도 부족하고, 높은 공 처리에도 많은 어려움이 있습니다. 여러모로 봐도 초심자에게는 추천하지 않을 만한 이유가 있는 폼입니다. 그래도 예전부터 제 목표는 원핸드 백핸드를 배우는 것이었기에, 이제는 원핸드 백핸드로 테니스를 배워보려고 합니다. 원핸드 / 투핸드 백핸드 비교 장단점이 있네? 투핸드 백핸드 ① 밸런스 잡기가 용이하기 때문에 드라이브를 걸기 편함 ② 슬라이스와 스트로크의 순간적인 변화가 어려움 ③ 비교적

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테니스 라켓 고르는 법(선택 가이드)

썬스포츠 동대문점 돌이켜보면 처음 테니스를 시작할 때 제일 어려웠던 건 라켓을 고르는 일이었습니다. '테니스 라켓 추천', '테린이 라켓', '테니스 입문자 라켓', '테니스 라켓 후기' 등 다양하게 검색은 하지만, 결국 디자인이 예쁜 라켓 몇개만 봐두고 매장으로 향하게 됩니다. 그리고 매장에 걸려있는 수 많은 라켓들 중 내게 맞는 라켓은 무엇일까, 내 테니스 인생을 함께 할 라켓은 무엇일까 고민만 하다가, 결국 매장에 계신 직원분께서 추천해주시는 라켓을 데리고 가게 됩니다. 물론 추천해주시는 라켓이 안좋다는 것은 아니지만 그래도 내가 원하고, 내게 잘 맞는 라켓을 미리 알아가는 것이 훨씬 좋겠죠? 뒤에 나올 내용을 간단하게 정리하자면 이렇습니다. 라켓이 무겁다 → 상대방에게 묵직한 공을 날린다. 하지만 내가 힘들다. 헤드사이즈가 크다 → 힘을 적게들여도 파워풀하다. 하지만 컨트롤은 아쉽다. 줄이 촘촘하다 → 컨트롤 좋다. 하지만 약하고 스핀이 안걸린다. 무게중심이 헤드쪽에 있다 →

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테니스 일지(4/12)_응봉공원 테니스장

오랜만에 성엽이와 함께 밖에서 친 테니스였습니다. 응봉공원 테니스코트(대현산배수지공원 테니스장)는 바닥이 아쉽기는 해도, 테니스 코트 뷰는 단언컨데 최고라고 할 수 있습니다. 깨끗한 인조잔디와, 코트를 둘러싸고 있는 높은 나무들 사이에서 테니스를 즐길 수 있는 모습은 카메라 속에서도 빛나네요. 대현산배수지공원테니스장 서울특별시 성동구 금호동1가 확실히 여름이 다가오고 있는게 느껴집니다. 햇살도 더 강해지고, 옷이 점점 얇아지고 있습니다. 이날 유독 날씨가 평균기온을 웃돌아서 그런지, 공도 잘 맞지 않았습니다(?). 오늘은 공이 잘 맞지 않는 날 마인드 컨트롤 하는 법에 대해 다뤄볼까 합니다. 공이 잘 맞는 날에는 라켓을 어떻게 휘둘러도, 어떻게 해서든지 상대방 코트 안에 공을 떨어뜨려 놓습니다. 조금 더 파워를 실어볼까, 컨트롤을 조금 포기해야겠다고 마음먹고 스윙해도 공이 더 예쁜 포물선을 그리며 상대방 코트로 뻗어나가죠. 하지만 뭘 해도 안되는 날에는, 하나하나 컨트롤에 신경쓰며

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테니스 일지(4/13)_레슨

분명 저번에 원핸드 백핸드를 연습해보겠다고 다짐했는데, 몸이 편한걸 기억하는지 레슨에서 다시 투핸드로 돌아갔습니다. 원핸드를 어느정도 수준 이상으로 연습을 해봐야, 둘 중에 내가 어떤게 더 맞는지 알 수 있을 것 같은데 말입니다. 다음 레슨에서는 다시 원핸드를 배워보는걸로 합시다. 요즘 레슨에서는 주로 스텝이나 드릴을 배우고 있습니다. 오늘은 오른발로 시작해 왼발로 착지하는 어프로치 포핸드 스텝과, 포핸드 스트로크 - 포핸드 어프로치 - 발리 - 발리, 백핸드 스트로크 - 백핸드 어프로치 - 발리 - 발리로 이어지는 드릴을 연습했습니다. 또한 최근 저보다 상급자와 랠리를 하면서 느낀 점은, 도무지 스트로크 타이밍을 잡을 수 없다는 것입니다. 공의 속도도 속도지만, 스핀에 의해 튀어오르는 공을 받는 것은 너무나 어려운 일이었습니다. 라켓을 미리 빼두는 것도 소용이 없고, 스윙이 아니라 발리를 하는 느낌으로 랠리를 했습니다. 이러한 상황을 코치님께 말씀드리니 빠른 공에 대한 레슨도 일부

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테니스일지(4/13)_서브&발리 연습

테니스 스킬 중 연습하기는 제일 좋지만, 제일 늘지 않는 것이 서브인 것 같습니다. 지금은 플랫 서브만을 연습하고 있지만, 어느정도 플랫 서브를 원하는 곳에 보낼 수 있을 정도의 컨트롤이 되면, 슬라이스 서브나 킥서브를 연습해볼 계획입니다. 혹자는 슬라이스 서브부터 연습해서 게임을 할 수 있게끔 해야한다고 하지만, 모든 서브는 결국 플랫서브부터 파생된 것이기 때문입니다. 더불어 오늘은 성엽이와 발리 연습을 했습니다. 언젠가 실력이 많이 늘어서, 랠리를 10회 이상 주고받을 수 있게끔 한다면 더할 나위 없이 좋겠습니다.

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테니스 일지(4/15)_포핸드&발리 레슨

원래 저를 담당하시던 코치님께서 사정이 있으셔서 오늘만 특별히 원장님께 레슨을 받았습니다. 저번 시간에 분명히 원핸드 백핸드로 레슨을 받겠다고 다짐했는데, 또 오랜만에 원장님과 레슨을 하니 자연스럽게 투핸드가 나왔습니다. 그래도 오늘은 백핸드보다는 포핸드와 발리를 집중적으로 코칭 받았습니다. 예전부터 백핸드 스윙을 할 때는 채찍처럼 스윙하는 느낌이 있었는데, 포핸드에는 미리 리깅을 해두고 시작해서 그런 느낌이 없었습니다. 계속 리깅이 잘 일어나는 자세를 찾고 있는데, 그게 또 쉽지가 않습니다. 원장님과 레슨을 받으면 항상 체력적으로 문제가 생깁니다. 문제가 많이 생깁니다. 어디 가서 제가 체력이 밀린다고 생각해 본 적은 없는데, 원장님과 레슨을 할 때면 20분 안에 5번은 바닥에 주저앉게 됩니다. 어떻게 선수들은 3시간이 넘는 시간 동안 전력을 다해 게임을 하는지 새삼 대단하다는 생각이 드네요. 공의 콘택트 순간까지, 끝까지 공을 바라보자. 미리 공의 진행 방향을 바라보는 것은 금물

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테니스 일지(4/16)_테니스업24 군자점

테니스를 치긴 해야겠는데 시험이 너무 가까워져서 코트에서 치는 건 무리가 있으니, 이 정도면 단골이라고 할 수 있는 테니스업24 군자점에 다시 다녀왔습니다. 혼자 조용히 30분 ~ 1시간 정도 치기에는 강북에서는 제일 좋은 곳 같아요. 테니스UP24 군자점 서울특별시 광진구 능동로37길 11 지하 1층 오늘은 테니스업24 군자점에서 몇 가지 개선점을 찾았지만, 앞으로도 틈날 때마다 가서 테니스를 치고 싶을 만큼 좋은 시설임에는 틀림없습니다. 테니스업 24 군자점 D 코트 테니스업 24 군자점 군자역 2번 출구 3분 거리 지어진지 얼마 안 되어 시설은 전반적으로 매우 깨끗합니다. 내부에 남자 / 여자 화장실이 구분되어 있고, 갈 때마다 청소가 잘 되어 있었습니다. 정수기에는 자유롭게 마실 수 있는 다양한 티백 또한 준비되어 있습니다. 예약은 테니스업24 홈페이지(www.tennisup24.kr)에서만 가능합니다. 가격은 강남 지역에 있는 무인 테니스장에 비해 매우 저렴한 편입니다. 공

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[4차 산업혁명] '인공지능은 무엇이 되려 하는가'

인공지능은 무엇이 되려 하는가 저자 스티븐 핑커, 맥스 테그마크 출판 프시케의숲 발매 2021.08.23. 신은 인간을 만들었고, 인간은 인공지능을 만들었다. 인공지능, 그는 천사인가 악마인가? 인공지능은 현대의 이야기 속에 녹아있는 모든 것이다. 검색 창에 몇 글자만 입력해도 원하는 결과물을 보여주고, 추천 영상에는 자투리 시간을 문화생활로 바꿔줄 보석들이 즐비하다. 네이버 검색에 나오는 구석진 맛집도 그렇고, 카카오커머스의 딱 필요한 선물, 인스타그램의 추천 게시물처럼 예기치 않게 가치 있는 무언가를 발견하는 일이 부쩍 많아졌다. 이뿐 아니라 인공지능은 알게 모르게 우리의 삶 속에 들어와 인류에게 한층 더 나은 삶을 선물해주고 있다. 하지만 <엑스마키나>. <아이로봇>, <오토마타>처럼 인공지능을 다룬 영화들을 보면 문득 불안한 생각이 든다. 세계 각지에서 전해지는 신화와 종교에서 말하는 것처럼 원래 이 세상에는 신들이 존재했고, 자신들의 삶을 더 윤택하게 만들기 위해 자신들의

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반도체 공정 20강(Shallow & Deep Trench Isolation)

저번 시간에는 웨이퍼 위에 Thermal oxidation으로 산화막을 형성할 때 불가피하게 발생하는 Bird's beak effect와 그에 따른 해결책인 LOCOS(Local oxidation of silicon)에 대해 알아봤습니다. 이번 시간에는 Device 사이를 구분(Isolate)하는 Trench isolation에 대해 알아보겠습니다. 물론 트렌치를 형성하는 과정은 엔지니어들에 의해 지속적으로 발전 중이고, 고전적인 형태인 Shallow trench isolation에서 발전한 Deep trench isolation까지 알아보겠습니다. 1. Shallow trench isolation Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger ① Stack & Trench etch 먼저 실리콘 웨이퍼 위에 Nitride와의 잔류응력 문제 해결을 위한 Pad oxide를 증착하고, 이어서 Nitride를 증착합

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반도체 공정 20.5강(Chemical Mechanical Polishing)

앞서 공정을 거칠 때마다 CMP(Chemical Mechanical Polishing)을 통해 웨이퍼의 표면을 평평하게 만들어줘야 한다는 것을 배웠습니다. CMP 공정은 웨이퍼를 원자단위로 굴곡이 없이 평평하게 만들기 위해 사용합니다. 특히 다층 금속화 공정(Multilevel metallization)에 있어 필수적으로 필요한 요소입니다. https://www.agc.com/en/products/electoric/img/product_electoric05_04.jpg 좌측 그림은 CMP 장비의 실제 사진이고, 좌측은 CMP의 도식도 입니다. 먼저 회전이 가능한 Chunk와 Platen 위에 말랑한 고무재질의 Pad가 있습니다. 이후 손소독제 정도의 점성을 갖고 있는 CMP slurrry와 SiC 연마제를 지속적으로 Pad 위에 도포해줍니다. 그럼 Head에 고정되어 있는 Wafer가 서서히 연마되겠죠. 물론 Conditioner는 첨가제로서 CMP 장치를 제조하는 각 기업의 노하우

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반도체 공정 21장(Oxidation process theory 서론)

반도체에 있어 산화막(Oxide)은 필수적인 요소입니다.(Gate oxide, Field oxide, Pad oxide, Implant screen oxide, Barrier oxide...) 이처럼 산화막은 반도체의 다양한 곳에서 다양한 용도로 사용되고 있습니다. 그렇다면 산화막을 원하는 곳에, 원하는 만큼 형성하기 위한 조건은 무엇일까요? 1. Linear region (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda) 2001 by Prentice Hall 반응 초기에는 Oxide가 아직 형성되지 않은 시점이기 때문에, 충분한 양의 산소가 Si 계면에 맞닿아 있을 것입니다. 따라서 반응속도를 결정하는 요인은 Si 표면의 반응속도입니다. 즉, 얼마나 빠르게 Si-Si bond가 끊어지고 Si-O bond 를 형성하는지의 지표인 k0(Rate constant)가 중요한 요소입니다. 이때 산화막의 두께

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반도체 공정 22장(Deal & Grove model)

앞서 산화막 생성 초기에는 산화막의 두께가 시간에 따라 Linear하게 증가하고, 이후에는 Parabolic하게 증가하는 것을 배웠습니다. 오늘은 산화막의 성장을 수치화한 모델인 Deal & Grove model에 대해 알아보겠습니다. 1. Fick's First law of diffusion Deal & Grove model을 이해하기 위해서는 먼저 Fick's First law에 대해 알아야 합니다. Fick's first law는 농도가 높은 곳에서 농도가 낮은 곳으로 입자가 이동하는 현상을 수학적으로 표현한 것입니다. Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 그래프에의 SiO2와 외부가 맞닿아 있는 곳은 농도가 N0로 높은데 반해 Si와의 계면에서는 Ni로 낮은 것을 알 수 있습니다. 따라서 입자는 그래프 상에서 우측으로 이동하려고 하는 Flux가 작용할 것이고, 이 Flux의 크기는 그래프의

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반도체 공정 23장(Thermal oxidation의 다양한 변수)

저번 시간까지 Thermal oxidation을 수식으로 표현한 모델인 Deal and Grove model에 대해 알아봤습니다. 이번 시간에는 산화막 생성의 다양한 변수와 측정값에 대해 알아보겠습니다. 1. Wafer orientation(100 vs 111) Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 앞서 반응 초기에는 산화막이 얇기 떄문에 웨이퍼 계면의 Si 반응 속도가 bottle neck process라고 설명했습니다. Si-Si bond를 끊는데 필요한 에너지는 일정하기 때문에, 면의 밀도가 높을 수록 산소와 더 많이 맞닿을 수 있어 산화막 성장 속도가 빠릅니다. Si 웨이퍼에서 <100> 면보다 <111> 면에서 실리콘 원자의 밀도가 높습니다. 따라서 위 그래프에서 <111> 웨이퍼에서 초기 산화막 성장 속도가 빠르고, 시간이 지날 수록 diffusion이 bottle neck process가

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테니스 일지(4/27)_포핸드&역크로스

드디어 길고 길었던 시험기간이 끝났습니다. 중간중간 시험기간에 스트레스가 받으면 치러갔던 테니스업24에서는 마땅한 영상을 기록해둔 게 없어서, 공식적인 기록으로서는 중간고사 이후로 처음이네요. 그리고 확실히 일주일간 레슨을 받지 않았다고 몸이 많이 굳었습니다. 레슨 시간 전에 미리 연습해두지 않았다면, 정말 볼품없는 샷을 구사했을 것 같습니다. 오늘은 레슨에서 포핸드를 집중적으로 공략했습니다. 특히 나달이 자주 보여주는 역크로스 포핸드를 집중적으로 배웠는데, 확실히 다운 더 라인 방향에 비해 몸의 비틀림이 부족했습니다. 억지로 어깨를 조금 더 밀어 넣어줘야 방향이 나오는 느낌이었는데, 최대한 익숙해지려고 노력해야겠습니다. 역크로스 포핸드, 뒤로 잔발 후퇴하면서 어깨를 조금 더 밀어 넣어두자. 오늘의 레슨 포인트 ① 포핸드를 칠 때 확실하게 자세를 잡아두자. 이동하면서 치는 게 습관이 들면 안 된다. ② 역크로스 포핸드는 어깨를 감보다 더 밀어 넣어야 방향이 나올 수 있다. ③ 백핸드

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테니스 일지(4/29)_낮은 발리

여타 기록과 마찬가지로 오늘의 영상기록도 약 20분에 가까웠지만, 중간에 영상을 찍던 중 카메라가 틀어져서 살아남은 영상이 약 6분가량밖에 되지 않습니다. 게다가 중점으로 배웠던 낮은 발리 부분 영상이 없어졌습니다. 아쉽지만 몇몇 문장으로라도 오늘의 레슨을 기록합니다. 낮은 발리는, 무릎을 구부려서 나를 낮춰야 한다. 또한, 끊어주는 느낌보다는 스윙하는 느낌으로 앞으로 쭉 밀어줄 것. 오늘의 레슨 포인트 ① 낮은 발리를 연습할 때, 의자에 앉은 상태로 준비자세를 취하고 낮은 발리를 하는 드릴을 추천. ② 낮은 발리의 스윙은 면을 열고 쭉 밀어주는 느낌, 라켓을 낮추는 게 아니라 나를 낮추는 것. ③ 원핸드 백핸드는 공 아래에서 출발할 것.

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반도체 공정 23.5장(Masking property & Oxide quality)

1. Masking Property 앞서 다양한 조건이 산화막 내부의 O2나 H2O의 움직임을 통제한다고 설명했습니다. 마찬가지로 Doping을 할 때도 여러가지 통제 조건이 있습니다. Si에 Doping을 할 때, SiO2를 증착하고, 그 위에 Dophant source를 올려서 열처리를 진행합니다. 이때, 확산이 일어나는데 등방성(Isotropic)을 갖고 Si와 SiO2에 동시에 확산이 진행됩니다. 원하지 않는 부분에 Doping이 되는 것을 막기 위해 확산 속도에 비례하게 Masking의 두께를 설정해야 합니다. Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 그림에서 Phosphorus와 Boron 처럼 물질의 종류에 따라 확산 속도가 다르기 때문에 Mask의 두께를 다르게 해야 합니다. 또한, 높은 온도에서 더 빠르게 확산이 일어나기 때문에 Mask의 두께를 더 두껍게 만들어줘야 합니다. 2. Ox

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반도체 공정 24장(산화막의 전하)

산화막 내부에는 많은 전하가 불가피하게 존재합니다. 다만 산화막 내부의 전하를 최대한 줄여야 좋은 품질의 산화막을 얻을 수 있습니다. 이번 시간에는 산화막 내부에 존재하는 전하의 종류와, 제거 방법에 대해 알아보겠습니다. 1. 산화막 전하 종류 (반도체 공정기술 _최호정 著) 2005 생능출판사 ① 이동이온전하(Mobile trapped charge, Qm) 이동이온전하는 장비의 불충분한 세정이나 사람의 날숨에 의한 오염으로 발생하는 전하입니다. 이 때 불순물은 K+, Na+, Li+ 등의 알칼리 금속 이온입니다. 고온, 고전압 동작 시 산화막 내부의 Bias 조건에 따라 이동하면서 Threshold Voltage에 불안정성을 부여합니다. ② 산화막포획전하(Oxide trapped charge, Qot) Bulk 산화막 내부에 electron이나 hole이 포획된 (+)나 (-)전하입니다. 일반적으로 산화막 내부 Defect나 Broken bond에 의해 발생합니다. 대부분 저온처리

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반도체 공정 25장(Diffusion 공정)

이번 시간부터는 확산(Diffusion) 공정에 대해 알아보겠습니다. 확산 공정은 아래 그림과 같이 웨이퍼 위에 Dophant source 도포하고 열처리를 거쳐 웨이퍼에 불순물을 주입하는 공정입니다. 이 때 산화막은 마스크(Mask) 역할을 하여 원하는 부분에만 도핑이 이루어지도록 합니다. 물론 확산공정은 등방성(Isotropic)을 갖고 있으므로 산화막이 있다고 해도, 아래 그림처럼 정확하게 산화막이 없는 부위에만 확산이 일어나지 않습니다. 그럼 확산 공정은 어떻게 진행될까요? 확산 공정은 두 개의 Step으로 구성됩니다. Constant source diffusion과 Limited source diffusion입니다. Constant source diffusion으로 Dophant의 양을 결정하고, Limited source diffusion으로 도핑의 깊이를 결정합니다. 1. Constant source diffusion (Error function) Introduction

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테니스 일지(5/3)_응봉공원 테니스장

이 정도면 거의 단골이라고 할 수 있는 응봉공원 테니스장에 다녀왔습니다. 처음 응봉공원 테니스장에 갈 때, 한강변에 있는 응봉공원으로 착각해서 예약 시간에 한참 늦었던 기억이 있습니다. 서울시 공공예약 서비스에는 '응봉공원 테니스장'이라고 표기되어 있지만, 실제로는 '대현산배수지공원'에 위치한 테니스장입니다. 대현산배수지공원테니스장 서울특별시 성동구 금호동1가 응봉체육공원테니스장 서울특별시 성동구 응봉동 각설하고, 오늘도 마찬가지로 성엽이랑 테니스를 치러 다녀왔습니다. TC 형들이랑 꼭 한번 치자고 항상 말만 하고 먼저 물어봐주는 형들이 많았는데도, 제 일정에 겹쳐서 이런 핑계 저런 핑계를 대온게 새삼 너무 미안하다는 생각이 듭니다. 머지 않은 미래에 꼭 복식게임 한번 하면 좋겠어요! 성엽이 테니스 실력은 여전히 만족스러운 수준은 아니지만, 그래도 예전에 비해 정말 많이 늘은게 보여서 기분이 좋습니다. 게임을 하면서도 폼이 자꾸 바뀌는 과도기에 있어서 그런 것 같지만, 그래도 같이

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반도체 공정 26장(Concentration dependent diffusion)

저번 시간까지 Diffusion 공정에 대해 알아봤습니다. 그런데 저번 시간까지는 Dophant의 농도가 웨이퍼의 진성 캐리어 농도(Intrinsic carrier concentration)보다 낮을 때, Diffusion coefficeint가 Dophant 농도에 무관하다는 전제 하에 세운 모델입니다. 하지만 Dophant의 농도가 웨이퍼의 진성 캐리어 농도보다 높을 때, 확산계수는 농도에 비례하는 함수가 됩니다. 이번 시간에는 Diffusion Process의 추가 설명과, 앞서 살펴본 모델의 한계에 대해 알아보겠습니다. 1. Atomic diffusion path Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger Diffusion 공정을 원자단위로 살펴본다면, 어떤 Process로 확산이 일어날까요? 위 그림과 같이 Diffusion Path는 세 종류가 있습니다. ① Subsitutional 기존에 있던

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반도체 공정 26.5장(Limit of diffusion process)

이번 시간에는 확산 공정의 한계에 대해 알아보겠습니다. 확산 공정은 반도체를 설계하는데 있어 중요한 Process였습니다. P-type 웨이퍼에 n-type source를 Doping하여 p-n juncion을 만들 수 있는 공정이었기 때문입니다. 하지만 현대에 들어 확산공정은 시장에서 잘 쓰이지 않는 공정이 되었습니다. 그 이유에 대해 알아보도록 합시다. 확산공정은 등방성(Isotropic) 공정입니다. 즉, 방향성이 없이 맞닿아 있는 모든 곳, 모든 방향으로 확산이 일어날 수 있다는 의미입니다. 따라서 아래 그림처럼 SiO2로 Masking을 해둬도 산화막 아래로도 확산 공정이 진행되어 해상도 측면에서 단점이 존재하는 공정입니다. Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 물론, 위와 같은 상황은 엔지니어로서 피해야 하는 상황일 것입니다. p-n junction을 형성하고자 하는 영역에 확실하게 맞추고

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반도체 공정 27장(Sheet resistance)

반도체 분야에서 면저항(Sheet resistance)을 모르는 사람이 없을 정도로 Sheet resistance는 반도체 공정에서 뺴놓을 수 없는 개념입니다. 반도체를 포함한 반도체 공정에 사용되는 금속 박막은 매우 얇습니다. 최근 삼성에서 3nm 공정을 성공했다는 사례만 살펴봐도, 반도체와 사용되는 박막이 얼마나 얇은지 짐작할 수 있습니다. 그렇기 때문에 아래 수식처럼 일반적인 저항이 아닌 면저항(Sheet resistance) 개념을 사용해야 합니다. 1. 일반적 의미의 저항(General resistance) 물질의 저항을 표현할 수 있는 요소는 총 3가지입니다. 물질의 저항은 길다란 호스를 생각하면 이해하기 쉽습니다. 길다란 호스를 통해 어떤 물질을 흘러보내고 있다고 가정합시다. ① 호스의 면적이 작을 수록, 물질을 보내기 어렵습니다. ② 호스의 길이가 길 수록, 물질을 보내기 어렵습니다. ③ 처음부터 호스 안에서 잘 움직이지 않는 물질이면, 물질을 보내기 어렵습니다. 위

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반도체 공정 28장(4 point probe method)

소자의 저항을 측정하는 방법은 크게 2 Point probe와 4 Point probe 두 가지로 나눌 수 있습니다. 하지만 반도체 소자의 저항을 측정 할 때는 무조건 Four point probe를 사용해야 합니다. 오늘은 왜 반도체 소자의 저항을 측정할 때 4 point probe method를 주로 사용하는지, 그리고 소자 저항 측정을 통해 어떻게 p-n junction depth를 측정할 수 있는지에 대해 알아보겠습니다. 1. 2 Point probe method 2 Point probe method는 소자의 양쪽 끝에 도선을 연결하여 저항을 측정하는 방법입니다. 양쪽 끝에 일정한 전류(I)가 가해지면, 옴의 법칙에 따라 다른 전위차가 형성될 것이고, 이로부터 저항을 측정하는 방법입니다. 물론 이 방법은 직관적이고 사용하기 편리하다는 장점이 있으나, 소자의 저항이 아닌 양쪽 극단의 접촉저항도 같이 측정되는 단점이 있습니다. 소자의 저항을 Rb, 소자와 전극 사이의 접촉저항(C

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반도체 공정 29장(p-n junction depth measurement)

저번 시간까지 반도체 소자의 저항을 측정하는 방법인 4 point probe method에 대해 알아봤습니다. 이번 시간부터는 반도체 p-n junction의 깊이를 측정하는 방법에 대해 알아보겠습니다. p-n junction depth를 측정하는 것은 의도한 반도체 소자를 설계하는 것에 중요한 process입니다. 1. Groove and Stain method Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger Grove and Stain method는 p-n junction depth를 측정하는 가장 원초적인 방법입니다. 반도체 소자를 원통형 밀대로 눌러준 후, 그 곡률에 맞춰서 에칭을 진행합니다. 이 때 발생하는 가상의 원반지름을 R이라고 합시다. 중심축부터 에칭이 시작된 곳까지의 거리를 a, 중심축부터 juntion이 형성된 곳까지 거리를 b라고 했을 때, Junction depth는 다음과 같은 공식으로

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테니스 일지(5/4)_낮은 발리

투핸드 백핸드에서 원핸드 백핸드로 옮기는 과정이 순탄치만은 않은 것 같습니다. 우선 투핸드에서 익혔던 공에 대한 거리 감각이 원핸드에서는 적용되지 않는다는 점이 제일 발목을 잡습니다. 투핸드는 공까지 달려가서 원핸드보다 한보 더 나아가서, 몸과 더 가까이에서 공을 맞추는 반면 원핸드는 투핸드보다 한보를 세이브 할 수 있고, 몸과 더 멀리서 공과 컨택해야 합니다. 결국 오늘도 원핸드 백핸드에서 제 발목을 잡혔고, 본래 서브앤발리 레슨을 받아야 하지만 낮은 발리 레슨을 받게 되었습니다. 테니스는 하체로 하는 스포츠라고 했지요? 역시나 낮은 발리도, 매 순간 런지와 스쿼트를 하는 느낌이었습니다. 상체를 숙여서 라켓을 낮추는게 아니라, 내 몸통의 높이를 낮춰서 라켓을 낮추자. 몸통의 높이를 낮추기 위해서는 내 무릎을 최대한 구부려줘야겠지요. 낮은 발리 오늘의 레슨 포인트 ① 다리를 런지하듯이 굽혀서 컨택 지점까지 라켓을 낮춰주자. ② 낮은 발리는 버티는 느낌이 아니라, 조금은 스트로크 하듯

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테니스 일지(5/6)_원핸드 백핸드 레슨

원핸드 백핸드 때문에 오랜만에 테니스에 대한 스트레스가 늘어가는 것 같습니다. 원백에 있어서 손목의 움직임과 팔꿈치의 움직임을 어떻게 해야할지 자꾸 고민만 늘어갑니다. 손목을 고정하고 치면 컨트롤 능력은 좋아지는 것 같다만, 마땅한 파워가 나오지 않고 손목이 아픕니다. 팔꿈치를 편 상태로 치면 마찬가지로 커늩롤 능력은 좋지만, 힘을 과도하게 줘서 나중에 통증이 생길 것 같은 느낌이 듭니다. 레슨이 끝나고 유튜브에서 선수들의 움직임을 보니 해법이 보이더군요. 물론 몸으로 움직이는건 별개의 문제지만, 우선 제가 깨달은 것은 이렇습니다. 돌아오는 수요일에 몸으로 한번 써먹어 보고 후기를 남길게요..! 팔꿈치는 펴고, 라켓은 몸과 멀리 두자. 마찬가지로 컨택 지점도 멀리 있다. 테이크 백 이후 라켓을 떨어 뜨리고 출발하자. 억지로 손목을 쓰려고 할 필요 없다. 원핸드 백핸드

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반도체 공정 30장(Diffusion systems)

저번 시간까지 p-n junction depth를 측정하는 방법에 대해 알아봤습니다. Junction depth를 측정하기 위한 여러가지 방법이 있는 것과 마찬가지로, 확산공정(Diffusion process)를 진행하는데 여러 종류가 있습니다. 이번 시간부터는 확산공정을 진행하기 위한 Tube furnace system의 종류와 방법에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1. Tube furnace system(Solid / Liquid / Gas source) Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger (a) Solid source in Pt source boat 이 방법은 Furnace 내부에 직접적으로 Solid source를 넣고 가열하여 Diffusion을 진행하는 방법입니다. 가장 원시적인 방법으로 비용이 저렴하다는 장점이 있지만, 모든 웨이퍼에 균등하게 확산공정을 진행하기 어렵다는 단점이 있습니다.

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테니스 일지(5/11)_원핸드 백핸드 레슨

원핸드 백핸드로 전향한지 2주 차가 지나갑니다. 본래 동경하는 선수였던 로저 페더러 선수의 기술인 만큼 꼭 익히고 싶었지만, 기술적인 부분에 한계를 느끼고 있는 요즘입니다. 원핸드 백핸드를 사용해 보니 확실히 투핸드 백핸드가 안정성 측면에서 매우 뛰어났고, 체력에는 자신이 있기 때문에 원핸드 백핸드가 가지는 체력 세이브 측면의 장점은 작게 느껴지고, 투핸드보다 테이크 백을 확실하게 해두지 않으면 공을 날리기 일쑤였습니다. 그래도 아직은 원핸드 백핸드를 제대로 시작한지 2주밖에 되지 않았으니 배우는 과정이라고 믿고 있습니다. 고작 이정도로 원핸드를 포기하기에는, 처음 테니스를 접했을 때 원백을 쓰겠다는 제 다짐이 너무 굳건히 자리잡고 있습니다. 그리고 무엇보다 중요한건 원백은 멋있잖아요?ㅎㅎ 레슨을 받아보니, 제대로된 테이크백이 중요하더라. 투핸드처럼 대충 잡아놔도 어떻게 넘길 수 있는게 아니다. 공의 바운딩 포인트를 정확히 예측하고, 미리, 더 깊게 테이크백! 위 인용구에서 기술한

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테니스 일지(5/11)_어린이대공원 테니스장

확실히 날씨가 더워진 요즘, 봄이 지나고 여름이 오고 있음을 살갗으로 느꼈던 하루였습니다. 실외 테니스장에서 오후 12시에서 2시 사이에 테니스를 치는건 미치지 않고서야... 서울어린이대공원테니스장 서울특별시 광진구 능동로 216 어린이대공원 어린이대공원 테니스장은 그래도 다른 테니스장에 비해 환경이 좋은 편입니다. 공원으로 둘러쌓여 있어서 비교적 시원한 바람이 많이 부는 편이고, 테니스 코트 내부 간이 건물에 화장실이 있어서 바로 사용할 수 있다는점!? 그리고 무엇보다 A, B 코트가 각각 떨어져 있어서 온전히 한 코트를 쓸 수 있다는 점이 제일 크게 와닿았습니다. 옆 코트로 공 날려먹고, 죄송하다고 사과하고, 감사하다고 인사할 일이 없으니까요. 오로지 파트너와 함께 공을 주고받을 수 있습니다. 인조잔디 코트 중 제일 좋게 느꼈던 테니스장 역에서 접근성은 떨어지지만, 코트 한 면을 오로지 혼자 쓸 수 있다는 점이 가장 큰 장점 다른 테니스장에 비해 네트의 높이가 약간 높게 느껴짐

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테니스 일지(5/13)_원백 어프로치 레슨

원핸드 백핸드는 정말 화려한 기술입니다. 원핸드 백핸드를 잘 치는 선수를 보고 있으면, 마치 테니스를 예술로 바꿔놓는 것 같은 느낌입니다. 특히 로저 페더러, 스탠 바브린카, 도미니크 팀의 백핸드 영상을 보면 같은 남자라도 홀릴 것 같습니다. 하지만 모던 테니스에서 원백은 자취를 점차 감추는 것 같습니다. 어려운 타이밍, 떨어지는 안정성, 높은 공에 대한 안정성 등 투핸드 백핸드가 갖는 이점이 원핸드에 비해 너무나도 많기 때문입니다. 저 또한 원백을 잘 치는 선수를 동경하기에 원백을 시작했지만, 사실 테니스를 잘 치기 위해서는 투백을 사용해야 한다는 것을 느낌적으로 알고 있는지도 모르갰습니다. 게다가 이번에 투핸드 백핸드가 더 멋있는 것같다는 이야기를 주변에서 많이 들으면서 제 테니스 벡헨드 정체성에 대해 더 흔들리게 되었습니다. 그래도 일단 시작한거 무조건 체득해야겠습니다. 원백 잘 치는 그날까지! 투백보다 훨씬 더 깊은 테이크 백을 해야한다. 스윙 하기 전 '해머자세'로 라켓을

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벚꽃.

어린이대공원 220410 정규철. <벚꽃나무 아래1>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <벚꽃나무 아래2>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <벚꽃나무 아래3>. Photography Digital C-print. 2022 Filmed by GC. Nikon FM2 Kodak Colorplus 200 Place 서울어린이대공원 서울특별시 광진구 능동로 216 Development 우성상사 서울특별시 종로구 돈화문로 31

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테니스 일지(5/18)_테니스 레슨

원핸드 백핸드가 개선되어가고 있는게 보이는 요즘입니다. 처음에는 타이밍 자체가 맞지 않고, 힘을 어디서 실어야 할지 감을 못잡았던 시기가 있었는데, 이제 그 시기를 넘긴 듯 합니다. 원핸드 백핸드는 특히나 코일 운동이 중요한 것 같습니다. 코일 운동은 몸과 허리를 마치 코일(Coil)처럼 꼬았다가 풀면서 힘을 전달하는 방식입니다. 포핸드는 왼손의 움직임으로 코일 운동을 컨트롤 할 수 있지만, 원핸드 백핸드는 포핸드에서 왼손의 움직임이 없기 때문에 직접 테이크백으로 코일을 만들어줘야 합니다. 그렇게 하지 않는 이상, 공에 파워가 전혀 실리지 않는 느낌이었습니다. 원백은 코일(Coil)운동이다. 오늘의 레슨 포인트 ① 코일(Coil)운동을 만들기 위해 테이크백을 의식적으로 하자. ② 손목에 과하게 힘을 줄 필요 없다. 손목에 힘을 빼고 치자. 라켓을 잡고 있을 힘이면 충분하다. ③ 왼손은 왼쪽 바지 주머니까지 라켓을 잡고 있어야 한다. 흔히 말하는 해머(Hammer)자세를 만들고 출발하

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테니스 일지(5/20)_레슨

원핸드 백핸드에 특이점이 온 것 같습니다. 레슨을 받고 나서 영상을 돌려보니, 백핸드에서 공과 라켓이 닿는 시점에 상체가 너무 앞을 보고 있는 큰 문제점을 발견했습니다. 원핸드 백핸드에서 힘을 싣는 법이 아직 미숙하다보니, 억지로 힘을 만드려고 하는 과정에서 몸이 계속 열리게 된 것 같습니다. 그래서 폼이 어딘가 엉성하고, 웃기네요. 2017 호주오픈 로저 페더러 선수 페더러 선수의 폼을 살펴봐도, 왼손이 당기는 힘으로 상체가 열리는 것을 막고 간결한 탑스핀 백핸드를 구사합니다. 다음 레슨 시간에는 원장님과 레슨을 받으니, 그 때 한번 더 백핸드에 대한 자문을 구해야겠습니다.

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테니스 일지(5/25)_원핸드 백핸드의 기본!

원장님과 레슨을 받을 때마다 느끼지만, 원장님의 레슨에는 항상 기본이 녹아들어 있습니다. 어프로치, 스텝, 드릴과 같이 훈련을 받는 것 같은 화려한 기술보다는 가장 밋밋한 기초에 집중하는 레슨입니다. 그러다보니 SNS에 자랑할 만한 영상들이 찍히지는 않지만, 언제든 참고할 수 있는 교과서를 남겨두는 기분입니다. 지금껏 원핸드 백핸드 레슨을 한번도 원장님께 받아본 적이 없었는데, 이번 기회에 처음으로 원장님께 레슨을 받게 되었습니다. 역시 지금까지 기초를 놓치고 원핸드 백핸드를 구사하고 있었습니다. 돌이켜보면 포핸드, 투핸드 백핸드에서도 똑같이 배웠던건데 말이죠. 이제서야 원핸드 백핸드를 어떻게 구사해야 할지 감이 잡혔습니다. 오늘의 레슨 포인트는 아래 인용구로 정리하겠습니다. 아래 원핸드 백핸드 영상을 참고해주세요. 테이크백을 미리해라. 테이크백을 하고 있는 상태로 공에 접근하자. 테이크백 이후 왼손은 라켓을 잡은 상태로 왼쪽 주머니에 위치시키자.(해머자세) 라켓 헤드가 공의 아래에

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2022 헤드 스피드 MP (AUXETIC) 라켓 시타기

1초라도 빠른 승리를 위해 스피드와 빠른 스윙을 위해 만들어진 라켓 HEAD SPEED 2021 Graphene 360+ 라인업이 출시된지 얼마 지나지 않아, AUXETIC 기술이 접목된 HEAD SPEED가 출시되었습니다. 운 좋게도 라켓을 구할 수 있게 되어, 2번 정도 시타를 해본 이후 다른 분들을 위해 시타기를 쓰게 되었습니다. 라켓에 대한 간략한 설명 이후 라켓을 써본 이후 제 생각을 다뤄보겠습니다. AUXETIC 기술 뛰어난 반발력과 타구감을 위한 초석 https://youtu.be/namckKGsfLg 2022년 HEAD의 신형 라켓, 스피드가 출시되었습니다. 이번 라켓은 HEAD의 AUXETIC 기술이 도입된 라켓으로, non-AUXETIC 구조와 비교했을 때 큰 차이가 있다고 합니다. 내부 특성으로 인해 AUXETIC 구조는 당기는 힘이 가해지면 가로, 세로 모든 방향으로 팽창하고, 압착되면 모든 방향이 수축됩니다. 이때, 가해지는 힘이 클 수록 AUXETIC 반응은

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테니스 일지(6/8)_원핸드 백핸드&랠리

새로운 라켓 2022 헤드 스피드 MP를 처음 접했을 때는, 기존에 쓰고 있던 윌슨 프로스태프 V11에 비해 무게가 너무 가벼웠습니다. 기존 라켓(Wilson Prostaff V11 315g) - 튜닝 이후 밸런스 4 Pt headlignt Strung weight 353g 현재 라켓(Head Speed MP 2022) - 튜닝 X 밸런스 4 Pt headlignt Strung weight 317g 무게를 낮춰서 스핀을 거는 스트로크 위주로 게임을 해보고 싶었는데, 너무 가벼운 라켓 무게와 Head의 신기술 AUXETIC 소재 기술이 합쳐져서 스트로크를 치는 손맛이 나지 않았습니다. 그래서 다시 튜닝을 하고 오늘의 레슨을 시작했습니다. 현재 라켓(Head Speed MP 2022) - 튜닝 이후 밸런스 4 Pt headlignt Strung weight 342g ( 납테이프 + 가죽그립) 언제나 그렇듯 무거운 라켓은, 라켓을 다룰 수 있는 근력이 뒷받침된다면 최고의 힘을 발휘하는 것

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반도체 공정 31장(Ion implantation& Mathematical approach)

앞에서는 Diffusion 공정에 대해 배웠습니다. 물론 Diffusion 공정은 많은 곳에서 쓰이는 공정은 맞지만, 현대 기술에서는 여러 가지 단점으로 인해 Ion implantation 공정을 더 많이 사용하는 추세입니다. 이번 포스팅부터는 Ion implantation 공정에 대해 알아보도록 하겠습니다. Ion implantation은 Room temperature에서 진행할 수 있다는 가장 큰 장점이 있습니다. 앞에서 학습한 Diffusion 공정의 High Temperature과는 다르죠? 먼저 1~100keV로 가속한 Ion beam을 시편에 조사하게 되면 상당수의 이온은 시편에 부딛힌 뒤 다시 Back scattering 되어 튕겨나올 것입니다. 나머지 Ion들은 내부로 Sputtering이 진행되어 시편 내부에 박히게 됩니다. 마치 앞에서 배웠던 SIMS처럼 말이죠. 그럼 시편의 결정구조가 깨지기 때문에 Modified surface가 되고, 비결정질처럼 된 Amorp

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반도체 공정 31.5장(Practical Ion implantation)

이번 포스팅에서는 반도체 공정을 어떻게 진행하는지 Practical한 주제로 다뤄보려고 합니다. 하지만, 정말 오랜 시간이 지난 교재(Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger)를 사용하고 있는 만큼, 현재 사용되고 있는 기술이나 방향성과 맞지 않는 부분이 있어 이번 포스팅은 서브챕터로 분류했습니다. 1. Controlling Dophant Concentration & Depth Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda2001 by Prentice Hall 위 그림은 두 가지 상황에 대해 Ion gun을 조사하는 그림입니다. 우선 좌측 그림은 Low energy, Low current density로 Shallow ion implantation을 진행하는 모습입니다. 그림에서 확인할 수 있듯 Junction depth도

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반도체 공정 32장(Junction depth & Deviation from theory)

앞서 웨이퍼에 Ion implantation 공정을 수행하면 Gaussian profile이 얻어진다고 했습니다. 아무튼 엔지니어들이 Ion imlantation 공정을 사용하는 여러 이유가 있겠지만, 가장 중요한 것은 Wafer에 Doping을 하는 것입니다. 그래서 반도체의 정의와 같은 p-n junction을 만드는 것입니다. 그래서 이번 포스팅에서는 Gaussian profile의 수식을 통해 원하는 Junction depth를 계산하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 1. Junction depth & sheet resistance Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger Junction depth를 측정할 때 도핑한 값 N(x)와 Substrate의 도핑 농도인 NB가 같은 지점에서 Junction이 이뤄지게 됩니다. 왜냐하면 n-type과 p-type Dophant는 서로 Compensation을

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반도체 공정 33장(Channeling & Two stopping mechanism)

저번 포스팅까지는 주어진 상황에서 원하는 조건에 맞춰 Ion implantation 공정을 진행하기 위한 Mathematical approach와 Ideal case와 다른 Real case Gaussian profile에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 Crystalline wafer에서 Ion 이 특정 Path로 더 깊게 침투하는 현상인 Channeling 현상과 Stopping mechanism에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1. Channeling 채널링(Channeling)이란 위 그림처럼 Crystalline 물질에서 특정 경로를 따라 이온이 쉽게 침투(Penetration)하는 현상을 일컫습니다. 즉, 같은 물질이어도 Ion implantation 방향에 따라서 Projected range가 매우 달라지게 됩니다. Channeling 현상 때문에 엔지니어들은 원하는 깊미만큼 Doping을 진행 할 수 없게 되고, 의도대로 p-n junction을 형성할 수 없게 됩

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반도체 공정 34장(Wafer annealing & Solid-state-epitaxy)

저번 포스팅까지는 Ion implantation process가 어떻게 진행되는지, 자세한 메커니즘에 대해 학습했습니다. 이번 시간부터는 이온 주입 공정을 진행하면서 파괴된 Si 결정질이 어떻게 Annealing을 통해 회복되는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Annealing of silicon crystal (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda) 2001 by Prentice Hall 사실 Ion implantation을 진행하기만 해서 모든 이온들이 Dophant의 역할을 하는 것은 아닙니다. Ion들이 Silicon lattice에 위치 해야만 Dophant로서 Activation되어 제 역할을 하게 됩니다. 하지만 Ion implantation을 진행할 때 Lattice에 Damage를 주고, Ion과 Silicon atom 모두 Interstitial에 있게 되죠? 따라서 특정 공

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반도체 공정 35장(TED & Anomalous behavior of activation)

저번 포스팅까지 Dophant activation을 시키기 위한 여러가지 방법(Annealing & Solid state epitaxy)을 배웠습니다. 이번 포스팅부터는 Annealing을 어떻게 진행해야 하는지, Annealing에서 고려해야 하는 대표적인 현상인 Transient Enhancement of Dophant Diffusion(TED)와 Anomalous behavior of activation에 대해 알아보겠습니다. 1. Anomalous behavior of activation SILICON VLSI TECHNOLOGY, J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin Annealing을 하고 봤더니 온도를 높일 수록 Annealing 효과가 상승할 줄 알았는데, 중간에 온도를 올렸을 때 거꾸로 Activation이 떨어지는 현상이 발생했습니다. 이 현상을 Anomalous behavior라고 합니다. 위 그래프는 Boron을 도핑했을 때

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반도체 공정 36장(High energy accelerator & Ion beam accelerator)

저번 시간까지 Ion implantation과 그에 따른 부작용을 해결하는 방법(Annealing)에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 Ion implantation process를 진행하기 위한 필수적인 장치로 이온 빔을 발생시키는 High energy accelerator(Ion beam accelerator)에 대해 알아보겠습니다. 1. High energy accelerator / High energy accelerator Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger ① Ion source 높은(25kV) 전압에서 Ion source가 작동되는데, 이때 원하지 않는 이온까지 플라즈마로 형성됩니다. ② Mass spectrometer(Analyzer magnet) 원하는 불순물 이온을 선택하기 위해 로렌츠 힘(Lorentz force)를 이용하여 이온빔을 꺾습니다. 그리고 Aperture slit을

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반도체 공정 36.5장(SOI wafer & Rutherford Backscattering Spectroscopy)

저번 시간까지 Ion implantation과 Ion beam accelerator의 구성 요소에 대해 학습했습니다. 이번 시간부터는 Ion implantation을 다른 곳에 어떻게 활용하는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Silicon-on-Insulator(SOI) wafer 일반적으로 수소 이온은 고체 안에서 Pore을 형성하기 때문에 Implantation을 피하는 물질입니다. 하지만 이 경우, Silicon-on-insulator(SOI)를 형성하기 위해 사용할 수 있습니다. 먼저 산화막이 형성된 웨이퍼 위에 H+ Ion implantation을 진행합니다. 이후 웨이퍼를 뒤집어서 Dummy wafer(Handle wafer)을 붙혀줍니다. 이 상태로 Annealing을 진행하면 Projected range에서 Pore가 형성됩니다. 그리고 웨이퍼에 약간의 Mechanical strength를 부여하면 웨이퍼 윗부분이 쉽게 떨어지게 됩니다. 이후 CMP 공정으로 Nano s

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반도체 공정 37장(Film deposition & CVD method)

이번 포스팅부터는 박막 증착 공정(Film deposition process)에 대해 학습하겠습니다. (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda) 2001 by Prentice Hall 위 그림은 CMOS transistor에 존재하는 다양한 Film layer입니다. 좌측에는 n-MOS, 우측에는 p-MOS가 있고 다양한 Layer가 있지만 중간중간 CMP 공정을 진행하지 않아 요철이 생긴 모습입니다. 그래서 박막 증착 공정(Film deposition process)에는 위와 같은 요구조건이 필요합니다. Step coverage란 각 층마다 아래 층의 모양대로 증착이 되는 것을 의미합니다. 당연히 박막의 두께는 모든 위치에서 동일해야하고, Purity와 Uniform density가 요구됩니다. 화학적 특성으로는 조성비(Stoichiometries)가 유지되어야 합니다. 또한 잔류응력을 최소

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반도체 공정 38장(Film Growth kinetics)

앞서 박막 증착 공정(Film deposition process)의 개론에 대해 알아봤습니다. 이번 시간에는 어떻게 박막이 성장하는지 수식으로 표현하는 방법(Growth kinetics)에 대해 알아보겠습니다. 1. Single crystal Growth kinetics SILICON VLSI TECHNOLOGY, J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin 위 그림은 박막 증착 공정의 표면에서 일어나는 성장 원리(Growth kinetics)에 대한 설명입니다. ① Reactant가 Forced convection에 의해 Stream을 따라 Deposition region으로 이동합니다. ② Reactant가 Main gas stream에서 정지층(boundary layer)로 들어가서 확산을 통해 wafer surface에 도달합니다. ③ Reactant가 웨이퍼 표면에 흡착됩니다. ④ Reactant가 Chemical decomposition, Su

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반도체 공정 39장(Si epitaxial growth rate & LPCVD)

저번 포스팅까지 Growth kinetics에 대해 알아보고, Surface reaction controlled와 Mass transfer controlled가 어떻게 유도되는지에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 그럼 Si epitaxial growth를 진행할 때 어떤 반응이 선호되는지, 그리고 그에 따라 CVD가 LPCVD로 변화한 이유에 대해 알아보겠습니다. 1. Si epitaxial growth 위 그림은 Surface Temperature에 따른 Si growth rate에 대한 그래프입니다. 표면의 온도(Surface temperature)에 대한 그래프이므로 확산에 대한 Flux와 무관한 그래프라는 것을 알 수 있습니다. 표면 온도가 낮을 때는 표면 반응속도가 확산속도에 비해 낮기 때문에 Surface controlled reaction입니다. 그리고 비례상수인 ks는 온도에 따라 바뀌는 값입니다. 표면 온도가 높을 때는 반대로 ks가 너무 크기 때문에 확산속도가

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반도체 공정 40장(Growth in Wafer)

저번 포스팅에서는 Film deposition process에서 필요한 공정조건(Surface reaction controlled)에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 Wafer에 다양한 물질을 어떻게 증착하는지, 그리고 증착하는 과정에서 발생하는 다양한 현상에 대해 알아보겠습니다. 1. Growth in SiCl4 위 그래프는 SiCl4 Fraction에 대한 Film growth rate입니다. 증착 과정은 위와 같은 가역적인 반응으로 이뤄집니다. 처음 Fraction을 늘릴 때는 Single crystal Si가 생기지만 Fraction을 늘려서 성장속도가 2um/min을 넘어가게 되면 Polysilicon이 생성됩니다. 앞서 학습한 TLK 모델에서 충분한 시간을 주지 않은 채로 물질들이 때려 넣으면 질서를 잃어버린 채로 일단 Stacking이 이뤄지기 때문입니다. 그럼 여기서 Fraction을 더 늘리면 SiCl4가 너무 많아져서 반대로 성장속도가 줄어들다가 위와 같은 반

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로셸염(Rochelle salt)과 아두이노(Arduino)를 활용한 압전 센서(Piezo-electric sensor)

본 자료는 고려대학교 공과대학 신소재공학부 변동진 교수님 지도 하에 정#철, 고#모, 양#경, 지#윤 학생의 설계과목 보고서입니다.(22.06.07.) 무단 발췌나 인용은 저작권법에 의한 처벌을 받을 수 있습니다. 1. 서론 세계 압전 소자 시장 규모는 2015 년부터 2020 년까지 완만하게 성장하였으며 2021 년부터 2026 년까지는 약 5%의 연평균 성장률을 보일 것으로 예측된다. 압전 소자는 수정과 같은 압전 물질을 사용하는데, 압전 물질은 압력이나 진동을 받았을 때 이를 교류 전류로 변환한다. 압전 소자는 방사선의 영향을 받지 않고 가혹한 환경에서도 사용할 수 있어 자동차, 의료, 정보 기술(IT), 통신, 소비재, 항공 우주 및 방위 등 다양한 산업 분야에서 폭넓게 이용되고 있다. 일반적으로 사용되는 압전 소자는 발전기, 센서, 액추에이터, 트랜스듀서가 있다. 이 중 압전 센서는 압전 효과를 이용해 주변의 기계적 에너지를 전기 신호로 변환하여 가속도, 압력, 온도, 힘

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반도체 공정 41장(Different kinds of material deposition)

저번 포스팅까지 증착을 진행하면서 고려해야 할 사항들에 대해 학습했습니다. 이번 포스팅에서는 Silicon을 제외한 다른 물질들을 어떻게 증착하는지 알아보겠습니다. 1. Polycrystalline silicon Substrate로 Single crystal이 사용되지 않거나 속도를 너무 빠르게 하면 epitaxial growth는 이뤄질 수 없습니다. 오직 polysilicon이나 Amorphous Si가 증착됩니다. Polysilicon이 사용되는 예시는 다음과 같습니다. 제일 흔히 볼 수 있는 예시는 Gate MOS입니다. Poly-Si는 metal에 비해 녹는점이 높아 안정적인 동작이 가능하며 공정 프로세스 사용의 범위가 넓어지는 장점과, Poly-Si의 농도를 조절하여 Threshold voltage를 조절할 수 있다는 장점이 있습니다. Si를 증착할 때는 앞서 학습한 것과 같이 SiH4를 사용합니다. 질소나 수소 가스는 Carrier 역할을 합니다. (Semiconduct

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반도체 공정 42장(Aspect ratio & Step coverage)

저번 포스팅까지 Poly-Si, Silicon dioxide(SiO2), Silicon nitride(Si3N4), Metal 등 다양한 물질을 어떻게 증착하는지에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 반도체 집적화가 진행되는데 있어 가장 중요하게 여기는 지표인 Aspect ratio와 Step coverage에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1. Aspect ratio (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda) 2001 by Prentice Hall Aspect ratio를 계산하는 식은 위와 같습니다. AR이 크면 클 수록 집적도가 높은 반도체를 설계하는데 유리하겠죠? 위 그림은 반도체에서 Trench를 뚫고, 위에 얇은 박막을 형성한 모습입니다. Substrate의 요철대로 박막 형성이 잘 된 것으로 미루어보아 Step coverage가 우수한 것을 알 수 있고, 이 경우 Aspect ra

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반도체 공정 42장(High vacuum system & Evaporation)

번 포스팅에서는 반도체 공정을 배우면서 꼭 숙지해야할 장비인 High vacuum system에 대해 알아보겠습니다. 박막 성장을 진행할 때 CVD 공법도 자주 쓰이지만, Sputtering 공법도 정말 많이 사용한다는 것을 알고 계실 것입니다. 게다가 Sputtering 공법으로 박막을 성장시키면, 여러 층의 박막을 성장시킬 때 틈틈히 발생하는 불필요한 산화막을 Pre-sputter를 통해 제거해줄 수 있다는 장점도 있습니다. 그리고 이 Sputtering 공법에 필수적으로 필요한 장비가 High vacuum system입니다. 1. Hign vacuum system Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 장치는 High vacuum system입니다. Physical vapor deposition(PVD) 장치나 Sputtering 장치를 위한 가장 밑거름입니다. ① High vacuum pump

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반도체 공정 42.5장(Sputtering)

저번 포스팅까지 Sputtering에 필수적인 장치인 High-vacuum pump가 어떻게 작동하는지에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 드디어 Sputtering 장치에 대해 알아보겠습니다. 1. Sputtering SILICON VLSI TECHNOLOGY, J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin 위 그림은 Sputtering 장치입니다. 위 그림에서 양극과 음극 사이의 전압에 의해 High energy가 아르곤 기체에 가해지면 원자핵과 전자가 분리되는 플라즈마 현상이 일어나게 됩니다. 따라서 Ar+가 전위차이에 의해 Cathode로 끌려가게 되고, Target에 부딪혀서 Target 물질이 방출됩니다. 방출되는 Target 물질은 Anode 쪽으로 가속되어 Wafer에 충돌하여 증착되는 메커니즘입니다. 거의 진공상태에서 진행하는 공정이기 때문에 Ar 입자가 별로 없는 경우 플라즈마가 생기지 않을 수 있습니다. 그때는 앞서 학습한 Gate

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반도체 공정 43장(Metallization 서론)

이번 포스팅부터는 드디어 Metallization 공정에 대해 알아보겠습니다. 1. Interconnections and contacts Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 반도체를 설계 하다보면 정말 많은 Interconnection과 Contacts를 마주하게 됩니다. 위 그림에서 n+diffusion, polysilicon, Al metallization 층이 존재하고, 각각으로부터 Al-n+, Al-Polysilicon, Al-p contact가 존재합니다. 물론 위의 그림에서 n+ 영역이 붙어서 그려졌다는 점에 오류가 존재합니다. 아래의 Cross section 그림처럼 Top view에서도 떨어져있어야겠죠. 2. Requirements of metal layer Metal layer에 필요한 요구조건은 다음과 같습니다. ① Conductivity : High current denstity에

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반도체 공정 44장(Contact resistance / Al spiking / Electromigration)

반도체에서 Interconnection을 만들 때, 서로 다른 두 물질이 만나면 그 계면에서 접촉비저항(Specific contact resistance)이 발생합니다. 당연히 소자를 설계함에 있어서 Contact resistance를 최소화해야 합니다. 그러기 위해서는 소자에 Annealing을 해줘서 접촉저항을 낮춰줘야 합니다. 그런데, 만약에 Metal을 알루미늄(Aluminum)을 사용한 경우 Al spiking 현상이 일어나게 됩니다. 심할 경우 Junction short가 일어날 수 도 있어서 여러가지 방법을 통해 이를 막아줘야 합니다. 그리고 마지막으로 소자를 작동시키다 보면 Electromigration 현상에 의해 소자 내부에 Void나 Bridge 등이 생길 수도 있는데, 마찬가지로 엔지니어들은 이 모든 문제들을 이미 해결했습니다. 1. Specific contact resistance(접촉비저항) 위 수식은 접촉 비저항(Specific contact resista

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반도체 공정 44.5장(RC time delay / Buried, Butted contact)

이번 포스팅부터는 RC time delay에 대해 알아보겠습니다. RC time delay는 명칭에서부터 알 수 있는 것처럼 반도체 소자 속에 자연스럽게 Resistance와 Capacitor 영역이 생겨서 신호 전달이 늦어지는 것을 의미합니다. 그리고 소자에서 n+ 영역과 Polysilicon 영역을 잇는 Interconnection의 다양한 종류에 대해 알아보겠습니다. 1. RC time delay Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 그림에서 Source에서 Drain으로 가는 일부 n+ 영역을 회로로 나타낸 것입니다. 두 개의 R/2는 MS junction에서 발생하는 Contact resistance입니다. 그리고 세로축으로 존재하는 회로는 n+p junction에 의한 Depletion layer가 Capacitor 역할을 하는 것과, n+p junction에 의한 Diode 역할을 나타

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반도체 공정 45장(Silicides / Polycides / Salicides)

이번 포스팅에서는 반도체 공정에서 매우 중요한 요소인 Silicide에 대해 알아보겠습니다. Silicide는 Metal과 Silicon의 화합물로서 반도체 소자 내부에서 다양한 역할을 맡고 있습니다. Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 그림에서 Gate 영역에 Polysilicon 위에 있는 Silicide를 확인할 수 있습니다. Silicide는 Metal과 Silicon의 화합물로서 Polysilicon의 면저항(Sheet resistance)을 감소시키는 역할을 하고, 접촉저항을 낮추는 동시에 Gate 와 Source/Drain 사이의 저항을 감소시키는 역할을 합니다. 그리고 또 확인할 수 있는 점은 Al-Cu metallization을 사용했는데, Cu가 들어가 있는 이유는 Electron Migration을 막기 위한 것입니다. 또한 Metal에 1% Silicon을 첨가하지 않은 이유

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반도체 공정 45.5장(Liftoff Process / Multilevel Metallization)

저번 포스팅에서 SIlicide에 대해서 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 Liftoff process와 Multilevel metallization이 무엇인지, 그리고 어떻게 진행되는지 알아보겠습니다. 1. Liftoff Process Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 그림은 Interconnection을 형성하는 방법 두가지를 나타낸 도식도입니다. (a)는 Substractive etching 공정으로 웨이퍼 위에 Metal film Deposion을 진행한 이후 Photoresist를 통해 Etching으로 원하는 배선을 설계하는 방법입니다. 하지만 이 방법에서는 Metal etching을 진행해야 한다는 번거로움이 존재합니다. (b)는 Additive metal liftoff 공정으로 웨이퍼 위에 먼저 Photoresist를 증착하고 그 위에 Metal film deposition을 Ste

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반도체 공정 46장(Plating / Dual damascene process)

이번 포스팅에서는 Trench를 설계하기 위해 가장 필수적인 공법인 Dual damascene process와 이를 실현하기 위한 가장 중요한 원리인 Plating(도금)에 대해 알아보겠습니다. 사실 'Plating'이라는 용어보다는 'Electrochemical deposition'이라는 용어가 도금의 정의에 더 직관적으로 이해하기 좋은 용어라고 생각합니다. 즉, 전기화학적 방법으로 증착을 하는 공법이라고 생각하시면 좋을 것 같습니다. 1. Electrochemical deposition(도금) 앞서 설명했듯 Electrochemical deposition은 다양한 용어로 불립니다. Plating, Electroplating, Electrochemical plating, Plating 등 다양한 용어로 불리지만, 모두 Electrochemical deposition(도금)과 같은 용어라고 생각하시면 됩니다. Metallization 공정을 진행할 때 과거에는 대부분 Aluminum

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반도체 공정 46.5장(Various structure of metallization)

이번 포스팅에서는 Metallization의 다양한 공정에 대해 알아보겠습니다. 이번 포스팅을 마지막으로 Metallization process가 마무리 되고, 반도체 공정 47장부터는 Packaging 공정에 대해 학습하겠습니다. 1. Ohmic contact structure and Barrier material (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda) 2001 by Prentice Hall 위 그림은 Ohmic contact structure의 한 예시입니다. Source / Drain / Gate 위에 존재하는 Salicide를 확인할 수 있습니다. Via로 사용하기 좋은 물질은 W(Tungsten)입니다. 벽면을 따라서 Barrier material을 설계했는데, 일반적으로 TiN을 사용합니다. 그리고 좌우로 Shallow trench isolation이 존재하는 것을 알 수 있습니

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반도체 공정 47장(Packaging 서론)

이번 포스팅부터는 Packaging 공정에 대해 알아보겠습니다. https://www.masterbond.com/industries/adhesives-sealants-and-coatings-semiconductor-applications '반도체 칩'하면 떠오르는 사진은 어떤 사진인가요? 대부분의 사람들은 위와 같은 그림을 떠올릴 것입니다. 라디오나 컴퓨터, 핸드폰 등을 분해하면 나오는 건 위와 같은 반도체 칩이겠죠? 지금까지 학습한 반도체는 위와 같은 사진의 이미지가 아니었습니다. 나노 단위의 공정에서 만든 소자일 뿐이었지요. 앞서 학습한 공정으로부터 제작한 반도체를, Application에 쓰이도록 위와 같이 칩으로 만드는 공정을 Packaging 공정이라고 합니다. 말로만 들었을 때 Packaging 공정은 다른 Silicon 공정들에 비해 High technology를 요구하지 않는 것처럼 보일지 몰라도, 반도체 8대 공정에서 절반 이상의 비용(Cost)을 차지하는 공정으로

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반도체 공정 48장(Process of Packaging - 1)

저번 포스팅에서 Packaging 공정이 무엇인지 간략하게 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 Packaging 공정을 처음부터 순서대로 알아보도록 하겠습니다. 1. Traditional assembly and Packaging (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda)2001 by Prentice Hall 이제 Traditional assembly & packaging에 대해 알아보겠습니다. 앞서 배웠던 실리콘 공정은 High cost 공정은 맞지만, Wafer가 Batch process이기 때문에 생산량이 매우 뛰어납니다. 하지만 Packaging 공정은 웨이퍼 하나하나에 대한 공정이기 때문에 하나의 실수가 큰 재산적 피해를 끼치기 때문에 매우 중요한 공정입니다. 크게 위 그림과 같은 순서로 공정을 진행하게 됩니다. 가장 먼저 웨이퍼를 Dicing할 영역을 체크하고(Die separation)

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반도체 공정 49장(Process of packaging - 2)

이번 포스팅에서는 저번 포스팅에 이어 Packaging process의 순서에 대해 알아보겠습니다. 저번 포스팅까지 Lead frame에 어떻게 Chip을 붙히는지까지 알아봤습니다. 그럼 이제 Substrate(Lead frame)와 Chip을 이어줄 Wire bonding이 필요하겠죠. 1. Ultrasonic wire bonding (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda)2001 by Prentice Hall 먼저 위 기술은 Ultrasonic wire bonding입니다. Bonding 장치를 Wedge tool이라고 합니다. ② Bonding pad 위에 Ultrasonic energy와 약간의 Pressure를 통해 wire을 붙이게 됩니다. 이때 Ultrasonic energy를 사용하는 이유는 Al bonding pad 위에 생긴 산화막을 제거해주는 용도고, Die의 보호를 위해

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반도체 공정 50장(Grid array / Flip chip package)

이번 포스팅에서는 Grid array의 진화과정과, Flip chip package에 대해 알아보겠습니다. 1. Bonding pad configuration Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 그림은 Bonding pad 배치의 두가지 종류에 대해 나타낸 그림입니다. (a)는 Pheripheral bonding pads 구조로 Die의 테두리에만 Wire bonding pad가 있습니다. 하지만 Die 기능의 Input / Output이 커지면서 더 많은 Bonding pad가 필요해졌고, Bonding pad의 사이즈를 줄여가며 개수를 늘렸지만 한계에 다다랐습니다. (b)는 Area array bonding pads로 앞선 문제를 해결하기 위해 Die 내부에도 Pad를 만든 모습입니다. 이 경우 가운데 부분에 Wire을 연결하는 것이 쉬운 일이 아니기 때문에 Solder bell(Pb:Sn,

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반도체 공정 51장(Revolution of Packaging)

저번 포스팅까지 Packaging 공정의 기본적인 이론에 대해서 알아봤다면, 이번 포스팅부터는 Packaging 공정이 어떻게 다양하게 발전했는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Chip scale package (CSP) / Chip on board (COB) Chip scale package(CSP)와 Chip on board(COB) 구조는 Packaging 공정을 Chip size 범위에서 해결하는 공정으로서 뛰어난 공간절약을 만들 수 있는 기술입니다. Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 두 그림은 Chip scale package(CSP)의 두 예시입니다. (a)는 wire bonding을 이용한 CSP입니다. Substrate 위에 PCB 기판이 있고 Patterned Copper와 Overmold로 Packaging을 구성한 것을 알 수 있습니다. (b)는 Wire bonding이 아닌

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반도체 공정 52장(Relation between Yield & Area / Yield modeling)

이번 포스팅은 패키징 공정의 마지막인 Relation between Yield & Area와 Yield를 Modeling하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 이번 포스팅을 마지막으로 반도체 8대 공정에 대해 모두 학습했습니다. 1. Relation between Yield & Area Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger 위 그림은 면적에 대한 수율에 대해 비교한 그림입니다. 불량 Die의 Contentration은 같다고 가정했을 때 Chip size가 작을수록 웨이퍼의 수율이 높은 것을 확인할 수 있습니다. wafer의 크기를 고정하고 die 크기를 줄이면 wafer에서 전체 die가 차지하는 부피가 커집니다. Wafer 위에 defect 수가 1개라고 할 때, wafer 위에 1개의 die만 존재한다면 sort yield(λ)는 0%이지만, wafer 위에 100개의 die가 존재한다면 그 중 한 개

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테니스 일지(6/22)_레슨

어디선가 이런 말을 들은 적이 있습니다. 라켓에 따라 스윙을 맞춰가는 것이라고 말이죠. 이제서야 그 말이 어떤 의미인지 와닿는 것 같습니다. 기존에 사용하던 윌슨 프로스태프 V11.5와는 정 반대 성향을 띄고 있는 2022 헤드 스피드 MP 2022를 처음으로 사용하면서, 스윙을 처음부터 다시 배우고 있는 것 같은 느낌을 받았습니다. 프로스태프는 내 힘으로 공을 만들어야 해서 가로스윙이 주를 이루고 있던 반면, 스피드 MP는 반대로 반발력이 너무 좋아서 탑스핀을 만드는 세로스윙을 주로 사용해야 했기 때문입니다. 그만큼 이 라켓에 적응할 수만 있다면 직진성과 공의 회전을 동시에 잡을 수 있다는 의미겠지요? 포핸드 테이크백을 하고 스윙을 시작할 때, 무조건 라켓은 공보다 아래에 있어야 한다. 오늘의 레슨 포인트 ① 풀스윙 하자. 탑스핀 만들기 위해서 억지로 손목 힘을 쓰면 짧은 공만 만들어질 수 밖에 없다. ② 원핸드 백핸드를 칠 때 체중이 자꾸 뒤로 이동하게 되는데, 테니스는 전진하는

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테니스 일지(7月)_달성실내테니스장 후기

인턴을 하면서 거의 테니스를 치지 못한건 맞지만, 그래도 중간중간 테니스를 하지 않으면 지금까지 배운 모든 것이 물거품이 될 것 같았습니다. 그래서 다녀온 곳이 대구 달성실내테니스장입니다. 달성실내테니스장 대구광역시 달성군 현풍읍 현풍동로18길 23 출처 : 네이버지도 업체 등록사진 서울에 있을 때는 실외 풀코트에서 레슨하는 곳이 많지 않아서 항상 실내 레슨을 받다보니 내 공이 어디로 가고 있는지, 내가 친 공이 어떤 구질을 갖고 있는지 확인할 수 없었습니다. 하지만 풀코트에서 내 스트로크가 어떤지 볼 수 있고 다양한 구질에 대해 연습할 수 있다는 점이 매우 좋았습니다. 이용 요금은 서울에 비해 매우 저렴한 편입니다. 기본적으로 레슨 시간 20분 + 볼머신 이용시간 20분이 포함된 가격입니다. 볼머신 4대가 비치되어 있어 대기시간 없이 사용할 수 있고, 뒤에 사용하는 사람이 없으면 조금 더 이용하다 가는 것도 가능합니다. 레슨 문의는 아래 번호로 연락하시거나, 영업시간에 테니스장에

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2022 국토정중앙 전국대학동아리 테니스대회 후기

내 인생 첫 테니스 대회. 대학연합테니스동아리 TC에 마음이 맞는 고려대 분들과 함께 '고려대 TC' 팀명으로 단체전에 출전했습니다. 대학연합테니스동아리 TC(@topofclubs) • Instagram 사진 및 동영상 www.instagram.com 대회는 8월 13일 ~ 8월 17일까지 총 5일간 진행됐고, 떨어지더라도 좋은 경험이니 최대한 높은 라운드까지 올라가보자는게 목표였습니다. 대회는 양구 테니스파크, 정중앙테니스장, 남면테니스장 총 세곳에서 동시에 진행됐고 자차가 없으면 이동이 매우 까다로웠습니다. 다행히 동아리원 중 하나가 자차를 가지고 와서 비교적 편하게 이동할 수 있었습니다. 양구테니스파크 강원도 양구군 양구읍 함춘로 102 정중앙테니스클럽 강원도 양구군 양구읍 정림리 103 용하체육관테니스장 강원도 양구군 국토정중앙면 용하리 409-5 첫째날(8월 13일) 단체전 예선 / 1R 대회가 아침 9시부터 바로 시작하기 때문에 아침 일찍 서울에서

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2021 헤드 그래비티 프로 시타기(Head gravity pro)와 리뷰

Dominate any court and opponent with Massive sweet spot (넓은 스윗 스팟을 통해 어떤 환경에서든, 어떤 상대든 압도하라) Head Gravity 라켓을 바꾼지 얼마 되지 않아 다시 새로운 라켓을 장만하게 되었습니다. 바로 독일의 즈베레프 선수가 사용하기로 유명한 2021 헤드 그래비티 프로 라켓입니다. 어떻게 라켓을 바꾸게 됐나? 윌슨 프로스태프 → 헤드 스피드 MP → 헤드 그래비티 프로 기존에 윌슨 프로스태프 V11.5 모델을 사용하다가 극강의 헤드라이트에 반발력이 너무 낮다는 느낌에 납을 계속 붙혀오다가, 반발력이 높은 라켓을 사용해보자는 마음에 2022 헤드 스피드 MP 모델을 구입하여 약 3개월간 사용했습니다. 2022 헤드 스피드 MP (AUXETIC) 라켓 시타기 1초라도 빠른 승리를 위해 스피드와 빠른 스윙을 위해 만들어진 라켓 HEAD SPEED 2021 Graphene ... blog.naver.com 하지만 헤드 스피드

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헤드 래디컬 MP 2021 시타기와 리뷰(Head Radical MP)

강력한 힘과 자유로운 핸들링을 요구하는 토너먼트 플레이어용, 올 코트용 라켓 Radical MP 우리나라의 권순우 선수가 사용하기로 유명한 라켓입니다. 오늘 리뷰할 라켓은 Head Radical MP 입니다. 헤드 래디컬 MP 스펙 Curated: Expert Journal by Brandon M. 주황색 라켓. 그것도 형광을 띠고 있어서 조명이나 햇빛 아래에서 강렬하고 임팩트있는 잔상을 만드는 라켓입니다. 개인적으로 검은색이나 흰색 조합의 라켓을 좋아하는 편이라 제 취향과는 맞지 않지만, 상당한 동호인분들이 디자인 측면에서 호평을 남기고 있는 라켓입니다. 특히 테니스를 영상으로 기록하시는 분들은 영상 속 스윙에서 라켓의 선명한 주황색 잔상이 남아서 더 예쁘게 찍힌다고 합니다. 그리고 헤드 래디컬 시리즈는 본래 헤드 라켓의 베스트셀러이자 헤드를 상징하는 라켓입니다. 컨트롤, 파워, 부드러움을 모두 겸비한 라켓으로 딱히 이렇다할 특징이 없는 것도 사실이지만, 그만큼 테니스를 얼마간 배

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2021 바볼랏 퓨어드라이브(Babolat Puredrive) 100 시타 및 리뷰

폭발력을 더+하다. 퓨어드라이브 2021 Babolat Puredrive 100 국민 라켓이죠. 바볼랏을 전 세계 라켓 시장 1위로 만들어준 라켓. 오늘 리뷰할 라켓은 바볼랏 퓨어드라이브 100입니다. 2021 바볼랏 퓨어드라이브 100 스펙 Lovetennisblog.com 이 정도면 대한민국 동호인을 상징하는 라켓이죠. 사실 전 세계 어디를 가든 퓨어드라이브를 쓰시는 분은 꼭 있을 것 같습니다. 그만큼 잘 만들어진 라켓이고, 출시 될 때마다 완판에 완판을 갈아치우는 바볼랏의 푸른 라켓입니다. 바볼랏의 명작, 베스트셀러이자 스테디셀러로 라켓제작 초창기 프로케넥스의 금형을 빌려와 제작하기 시작했지만, 현재는 완전히 독자노선으로 제작하고 있습니다. 처음은 로켓 서브로 유명했던 앤디 로딕을 앞세워 파워 컨셉으로 가던 라켓이지만 요즘에는 파워도 퓨어 에어로와 비슷합니다. 굳이 말하자면 플랫한 구질을 더 잘 만들어냅니다. 두꺼운 빔과 무난한 조작성 덕분에 누가써도 좋은 라켓이지만, 라켓 강

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헤드 익스트림 MP 나이트(Head Extreme NITE) 시타 및 리뷰

바볼랏을 따라잡기 위한, 스핀과 파워를 중시한 트위너 라켓 Head Extreme MP 동호인들 사이에서는 흔하게 볼 수 없는 라켓입니다. HEAD사에서 바볼랏으로 대표되는 스핀과 파워를 따라잡기 위해 출시한 트위너 라켓. 오늘 리뷰할 라켓은 헤드 익스트림 MP NITE입니다. 헤드 익스트림 MP NITE 스펙 출처: HEAD TENNIS KOREA 오늘 리뷰할 라켓은 조금 더 유니크한 한정판 라켓입니다. HEAD Extreme MP에서 도색을 검은색과 형광색으로 탈바꿈한 NITE 버전입니다. 처음 한정판이 출시되었을 때 디자인 측면에서 매니악하게 판매되었던 라켓입니다. 헤드에서 스핀과 파워 만을 내세우면서 출시된 라켓이기 때문에, 사용자들 사이에서도 헤드에서 무식한 파워와 스핀으로 무장한 라켓을 출시했다는 평가를 많이 받았습니다. 하지만 면 안정성이 떨어지는 이슈와 그에 따른 컨트롤 난이도 상승이라는 문제점이 제기되어 상대적으로 라켓에 힘을 잘 못 싵는 초보자들에게 추천되고 있는

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반도체 재료 1장(Carrier modeling & Energy band model)

오늘부터 '반도체 재료'에 대해 학습하겠습니다. 연재되는 포스트의 자료는 'Semiconductor Device Fundamentals by R. F. Pierret' 교재를 바탕으로 진행하겠습니다. 오늘 포스팅에서는 반도체 재료의 물성에 대해 이해하기 위해서 가장 중요한 것인 Carrier와 Quantization에 대해 이해하고, Energy Band model에 대해 간단하게 학습 해보도록 하겠습니다. 1. Carrier - Electric charge transporters(전하 운반자) : 물질 내에서 전하를 운반하는 역할을 맡고 있습니다. - Electron & Hole : 반도체 재료에서 캐리어 역할을 하는 것은 전자와 양공입니다. - Carrier charge : 전자나 양공 하나의 전하량은 1.602 * 10-19 C 이 캐리어를 이해해야만 비로소 Energy band model에 대해 이해할 수 있고, 반도체 접합 모델인 Bonding model에 대해 이해할 수

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반도체 재료 2장(Overlapping Energy bands & Classification of material)

저번 시간에서 반도체 재료를 이해하기 위한 핵심적인 개념에 대해 학습했습니다. 이번 포스팅부터는 앞선 개념들에 대한 심화적인 내용인 Overlapping energy band에 대해 알아보고, 밴드갭에 따른 물질 분류에 대해 알아보겠습니다. 1. Electron energy state at Li metal Semiconductor Device Fundamentals by R. F. Pierret 위 그림은 Li metal에 대한 Energy level - Interatomic distance 차트입니다. 원자 하나하나가 멀리 떨어져있는 상태에서는 오비탈 겹침 현상이 일어나지 않고, 원자간 간격이 짧아지면서 오비탈 겹침(Orbital overlapping) 현상이 발생하는 것을 알 수 있습니다. 위 차트에서 확인할 수 있는 정보는 다음과 같습니다. ① 1s 오비탈보다 2s 오비탈의 겹침이 먼저 일어납니다. 원자를 중심으로 2s 오비탈이 1s 오비탈보다 멀리 떨어져있는 궤도기 때문에 원

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테니스 일지(9/6)_장충 테니스장 리뷰

국토정중앙 전국대학테니스대회에 나간 이후 하드코트에서의 적응이 필수적이라는 생각이 들었습니다. 그래서 오늘은 집에서 가장 가까운 하드코트인 장충 테니스장에 다녀왔습니다. '신라호텔'과 '반얀트리 클럽 앤 스파 서울' 사이에 있는 전경이 예쁜 테니스장으로, 꽤나 넓은 부지의 테니스장입니다. 장충테니스장 서울특별시 중구 장충동2가 산14-68 장충테니스장 아래에 제가 플레이한 영상이 있으니 참고해주시면 되겠습니다. 예약 방법 홈페이지 방문 예약은 전화가 아닌 온라인에서 일주일 단위로 진행됩니다. 아래 장충 테니스장 홈페이지에서 예약하기 버튼을 눌러 진행하시면 되는데, 매주 월요일 오전 10시 정각에 한 주의 예약이 오픈됩니다. 예약이 빠르게 차는 편이니 오픈 시간에 맞춰서 들어가보시는 것을 추천드립니다. 금액은 시간당 4,000원이고, 두시간 단위로 예약을 받으니 최소 예약금은 8,000원입니다. 장충 테니스장 공지사항 휴장 연장 안내 (9월 7일 ~10월 18일) 2021-07-27

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제주. Color

제주 20220827 정규철. <본인>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <고양이>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <새별>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <놀멍>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <말>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <섭지>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <남겨짐>. Photography Digital C-print. 2022 Filmed by GC. Nikon FM2 Kodak Colorplus 200 Place 새빌 제주특별자치도 제주시 애월읍 평화로 1529 섭지코지 제주특별자치도 서귀포시 성산읍 고성리 성이시돌목장 제주특별자치도 제주시 한림읍 산록남로 53 제주놀멍펜션 제주특별자치도 제주시 애월읍 어음13길 152-34 D

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제주도 필름 사진. Gray

제주 220827 정규철. <연인>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <이상>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <사색>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <인생>. Photography Digital C-print. 2022 정규철. <번짐>. Photography Digital C-print. 2022 Filmed by GC. Nikon FM2 Kodak Colorplus 200 Place 모슬포항 제주특별자치도 서귀포시 대정읍 하모리 인스밀 제주특별자치도 서귀포시 대정읍 일과대수로27번길 22 1층 산방산 제주특별자치도 서귀포시 안덕면 Development 우성상사 서울특별시 종로구 돈화문로 31

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테니스 일지(9/13)_장충테니스장 후기&예약 방법

테니스를 치기 너무 좋은 날씨가 다가오고 있습니다. 선선한 바람을 맞으며 테니스 한 게임, 끝나고 하늘을 바라보며 시원한 물 한잔에 일상의 스트레스를 다 날려버립니다. 장충 테니스장은 이런 일상 속 여유의 품질을 한껏 끌어올려줄 예쁜 풍경을 갖고 있습니다. 장충장호테니스장 (하늘색 옷은 본인) 점점 예약이 어려워지고 있는 것 같지만, 그래도 일주일에 한번씩 예약이 가능하니 평일 오전에는 충분히 잡으실 수 있습니다. 게다가 8,000원이라는 금액에 2시간 이용이 가능하니 이정도는 감수해야지요. 오늘도 마찬가지로 성엽이와 함께 가벼운 게임을 했습니다. 밝은 옷이 본인이고, 어두운 옷이 친구입니다. 총 3세트 진행했는데, 영상으로 담은건 2세트입니다. 결과는 당연히 1세트(6:0), 2세트(6:1)로 제가 승리했습니다. 구력은 이제 1년차에 접어들어 서로 비슷하지만, 그래도 밖에서 친 경험이 제가 더 많다보니 어쩔 수 없는 결과라고 생각합니다.. 장충테니스장 예약 방법 이제 예약 방법에

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나노기술연구협의회 'GOI 제조기술' 수료 & 후기

GOI 제작기술 수료증 나노기술연구협의회에서 진행하는 'GOI 제조기술' 이론교육을 수료했습니다. 정부기관인 과학기술정보통신부 주관인 만큼, 다른 반도체 교육들과 다르게 무료로 교육이 진행됩니다. 그래서 이론교육 신청, 선발이 매우 어렵습니다. 메인 교육인 "나노소자공정"의 경우 경쟁률이 항상 5:1이 넘고, "GOI 제조기술"의 경우 경쟁률이 2:1이 넘습니다. 그래서 한번 신청시 2개의 교육과정까지 신청이 가능한데, 우선 원하시는 교육과정 2개를 동시에 신청해두시는 것이 좋습니다. 둘 다 선발되면 공부하셔야 할 양이 정말 많겠지만, 둘 중 하나도 안되는 경우가 많습니다. 나노기술연구협의회 나노기술연구협의회 edu.kontrs.or.kr 위 링크에 들어가셔서 상단 바의 '공지사항'에서 연간 교육 일정이 세세하게 정리되어 있습니다. 참고하셔서 놓치지 말고 교육 신청 하시기 바랍니다. GOI 제작기술이란? 출처: SK 하이닉스 뉴스룸(https://news.skhynix.co.kr/p

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반도체 재료 2.5장(Bonding model & Carrier 서론)

저번 포스팅까지 밴드갭(Bandgap)이 어떻게 만들어지는지에 대해 알아보겠습니다. 이번에는 현재 반도체 재료에 가장 많이 쓰이는 실리콘(Si) 원자가 어떻게 구성되는지, 그리고 그에 따라 어떻게 밴드가 형성되는지에 대해 알아보겠습니다. 1. 실리콘(Si) 배열과 Variation Semiconductor Device Fundamentals by R. F. Pierret 위 그림은 실리콘(Si) 원자의 배열에 대해 나타낸 그림입니다. 각각의 원은 실리콘 원자핵을 나타낸 것이고, 각각의 막대기는 2개의 전자가 결합한 모습입니다. Semiconductor Device Fundamentals by R. F. Pierret 열역학 시간에 어렴풋이 완전한 결정은 열역학 제 2법칙에 의해 존재할 수 없다는 것을 이미 배웠을 것입니다. 그럼 실제 결정에서는 어떤 현상이 일어나고 있을까요? ① Substitutional impurity(치환형) - 격자에 존재하는 원자를 떼어내고 다른 원자가 그

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반도체 재료 3장(Carrier & Ionization energy)

저번 포스팅까지 Carrier가 무엇인지 간략하게 살펴보았습니다. 이번에는 실제 반도체 재료에서 캐리어(Carrier)에 따라서 반도의 거동이 어떻게 달라지는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Number of carrier of intrinsic materials "Intrinsic semiconductor"라는 단어의 의미는 순수한 반도체 물질에 아무것도 하지 않은 Pure semiconductor라는 의미입니다. 즉, 물질 고유의 상태와 성질을 갖고 있다는 것을 의미합니다. 하지만 앞선 설명과 마찬가지로 100% 순수한 물질은 존재하지 못하지만, 일반적으로 반도체에 다른 족의 원소를 Doping하여 사용하기 때문에 Intrinsic semiconductor라는 단어를 사용하게 되었습니다. n = cm3 당 존재하는 전자(Electron) 수 p = cm3 당 존재하는 양공(Hole) 수 위와 같이 물질 내부에서 전자와 양공의 밀도를 정의했을 때, Intrinsic semicondu

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반도체 재료 4장(Density of state & Fermi-Dirac distribution & Carrier distribution)

이제 본격적으로 반도체 내부에서 캐리어 분포(Carrier distribution)에 대해 알아보겠습니다. 이를 위해서 알아야 할 개념이 Density of state와 Fermi - Dirac distribution이 있는데, 간단하게 설명하자면 이렇습니다. 반도체 내부에 전자나 양공이 정량적으로 어떻게 존재하는지(캐리어 분포)를 알기 위해서는 캐리어가 존재할 수 있는 자리 수(Density of state,g(E))와 캐리어가 존재할 수 있는 확률(Fermi - Dirac distribution, f(E))을 곱해주면 됩니다. 쉽게 설명하자면 KTX같은 길다란 열차가 있디고 했을 때 특정 열차 칸 안에 손님이 얼마나 탔는지 알기 위해서는 우선 한 칸에 자리가 몇개나 있는지(Density of state)를 알고, 손님이 그 칸에 탈 확률(Fermi - dirac distribution)을 곱해주면 된다는 뜻입니다. 1. Density of state Semiconductor De

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반도체 재료 5장(Calculating carrier distribution)

저번 포스팅에 이어 Carrier distribution을 계산하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 이번 포스팅부터는 정량적인 수식을 사용하기 때문에, 큼지막하게 캐리어 분포가 어떻게 계산되는지만 알아두셔도 좋을 것 같습니다. 1. Carrier distribution Semiconductor Device Fundamentals by R. F. Pierret 밴드갭에서 캐리어 분포를 어떻게 한 눈에 볼 수 있는지에 대해 먼저 알아보겠습니다. Intrinsic semiconductor의 경우 아무런 도핑을 하지 않았기 때문에 Intrinsic fermi level, 즉 밴드갭의 중간이 전자 존재 확률이 0.5가 되는 곳입니다. 반면 n-type semiconductor은 상대적으로 전자가 많아진 상황이기 때문에 Conduction band에 가깝게 Fermi level이 이동합니다. 또한 p-type semiconductor은 상대적으로 양공이 많아진 상황이기 때문에 Valence ban

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반도체 재료 6장(Mass-action law & Carrier modeling)

저번 포스팅에 이어 Carrier concentration 수식을 더 활용하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 대표적인 방법으로 Mass-action law가 있는데, 기본적으로 평형상태의 반도체에서는 np = ni2 을 만족시킨다는 것입니다. 이번 포스팅에는 앞서 살펴본 수식의 응용이 많이 등장하기 때문에 학습하기에 앞서 이전 포스팅에 대해 확실하게 공부를 마치는 것을 추천드립니다. 1. Mass-action law 저번 포스팅에서 살펴본 ni에 대한 수식 두개를 곱하면 위와 같은 결과물을 얻을 수 있습니다. 즉, 아무런 도핑을 하지 않은 반도체의 intrinsic carrier concentration은 절대적으로 온도와 밴드갭의 크기에 의존한다는 것을 알 수 있습니다. Semiconductor Physics and Devices 3rd Ed., D.A. Neamen 위 수식을 그래프로 나타내면 위와 같습니다. 좌측의 그래프는 Intrinsic carrier concentration

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2022 유진투자증권 코리아오픈 ATP 250 결승(Shapvalov vs Nishioka)

테니스를 시작한 지 이제 1주년이 넘어갑니다. 그동안 정말 많은 선수들의 영상을 보고 따라 해보려고 많은 노력을 했지만, 어디까지나 영상 매체로의 학습은 한계가 있었습니다. 코리아 오픈은 대한민국에서 개최되는 유일한 ATP 투어 남자 테니스 대회입니다. 2022년에 총상금 $1,117,930 이 걸린 '유진투자증권 코리아오픈테니스대회 2022(Euene Korea Open Tennis Championships)'라는 타이틀로 재창설 되었습니다. 2022년 코리아오픈 테니스는 1987년부터 1996년까지 열린 KAL컵 코리아오픈 이후, 26년 만에 대한민국에서 열리는 ATP 정규 투어 대회입니다. 010년대 초반 이래, 국내 테니스 열기의 부활을 위해 ATP 대회 유치를 꾸준히 타진했으나 아시아 지역 ATP 대회 슬롯이 여의치 않은 가운데, 중국이 코로나19 방역으로 3년째 개최를 포기하자 그 가운데 2022 청두시 개최 대회를 한국이 임대해 개최했습니다. 본래 제가 현재 사용 중인

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반도체 재료 7장(Temperature dependence of carrier distribution)

저번 포스팅에 이어 Carrier distribution의 온도 의존성에 대해 알아보겠습니다. 이미 충분히 유추하실 수 있겠지만, 온도가 올라갈 수록 더 많은 전자가 밴드갭을 극복하고 다 올라가버리니 Intrinsic에 가까워지겠죠? 한번에 캐치하지 못해도 포스팅을 잘 따라가시면 충분히 이해할 수 있습니다. 1. Calculation (n-type) n ≒ ND 이므로 p = ni2 / ND (p-type) p ≒ NA 이므로 n = ni2 / NA 우선 n-type과 p-type에 대해서 위와 같은 수식을 만족한다는 것은 이미 알고 있습니다. 하지만 만약 온도가 점차 올라간다면, 더 많은 전자가 밴드갭을 극복하고 올라갈테니 ni 값이 점차 커지게 될 것입니다. ni = ND / ni = NA 그러다가 결국 ni가 도핑한 양만큼 커지게 될 것입니다. ni = n = p 온도가 점차 더 높아짐에 따라 ni값이 제일 커지게 되면 위와 같은 관계식을 만족하게 되고, Intrinsic se

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반도체 재료 7.5장(Finding Fermi energy level)

이번 포스팅에서는 반도체 재료의 특성을 알기 위해서 가장 필수적인 Fermi energy level을 어떻게 구하는지에 대해 알아보겠습니다. 정확한 Fermi energy level(EF)을 구하는 것으로부터 반도체 특성에 대한 이해가 시작됩니다. 왜냐하면 Equilibrium 상태에서 n이나 p, 그리고 EF 중 하나만 알아도 나머지 둘을 구할 수 있기 때문입니다. 1. Intrinsic semiconductor n = p , EF = Ei Intrinsic semiconductor의 가장 큰 특징은 위와 같습니다. 도핑이 진행되지 않았으니 n과 p가 같고, Fermi energy level 또한 Intrinsic level로 밴드갭의 딱 중간에 위치해 있겠죠. 따라서 앞서 설명한 특징 때문에 위와 같은 수식을 얻을 수 있습니다. 그리고 intrinsic semiconductor에서 n = p 이기 때문에 앞선 두 식에서 얻을 수 있는 관계식은 위와 같습니다. 그리고 양 변에 ex

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반도체 재료 8장(Carrier action - Drift)

저번 포스팅까지 Carrier distribution에 대해 알아봤다면, 이번 포스팅부터는 Carrier action에 대해 알아보겠습니다. 즉, 이제 반도체 내부에서 캐리어가 어떻게 거동하는지에 대해 알아보는 것입니다. 크게 Carrier action은 위 세가지로 구분지을 수 있습니다. 이 세가지 메커니즘은 모두 반도체 내부에서 동시다발적으로 일어나고 있습니다. 1. Drift 위 그림은 캐리어가 Drift하는 과정에 대해 다른 시각에서 바라본 것입니다. 가장 먼저 (a)는 반도체 내부에 외부 전압이 걸렸을 때 캐리어가 어떻게 이동하는지 거시적으로 보여준 그림입니다. (b)는 반도체 내부에서 캐리어의 이동을 미시적(Microscopic)으로 보여준 그림입니다. 반도체 결정 내부에는 캐리어의 이동을 방해하는 특정 요소들이 존재하기 때문에 직선으로 이동하지 않고, 지속적으로 튕겨나오면서 이동하는 Scattering 현상이 발생합니다. (c)는 반도체 내부에서 캐리어의 이동을 거시적(

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반도체 재료 9장(Carrier action - Diffusion)

저번 시간에 이어 Carrier action의 구성 요소인 Diffusion과 Recombination & Generation에 대해 알아보겠습니다. 비교적 Drift에 비해 이해하기 쉽기 때문에 잘 따라오실 것이라고 생각합니다. 1. Diffusion 확산(Diffusion)을 큰 도식도로 보면 위와 같은 그림으로 해석할 수 있습니다. 즉, 농도가 짙은 곳에서 농도가 옅은 곳으로 구성 물질이 이동해 가는 현상입니다. 좌측 그림은 한쪽 방향에 양공(Hole)이 쌓여있는 상태고, 우측 그림은 한쪽 방향에 전자(electron)가 쌓여있는 상태입니다. 그러면 외부 전기장이 없어도 당연히 많이 쌓여있는 쪽에서 아닌 쪽으로 캐리어가 이동해 갈 것입니다. 아래 있는 두 그래프를 봅시다. y축은 carrier concentration이고, x축은 앞선 그림에 있던 위치입니다. 캐리어가 쌓여있었던 쪽에는 Carrier concentration이 높은 것을 확인할 수 있습니다. 우선 좌측의 "El

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반도체 재료 9.5장(Hot point probe measurement & differentiation relation)

Carrier action의 마지막 파트인 Recombination & Generation에 대해 알아보기 전에 온도구배를 이용하여 빠르게 n-type 인지 p-type인지 판단이 가능한 Hot point probe measurement에 대해 알아보고, 밴드갭을 미분하면서 어떤 값들을 얻을 수 있는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Hot point probe measurement Hot point probe measurement는 손쉽게 Dominant carrier를 판별할 수 있는 유용한 도구입니다. 방법은 간단합니다. Temerature gradient를 만들 수 있는 Probe 에 전류계를 설치한 상태로 반도체에 가져다 대기만 하면 됩니다. 온도가 높은 Probe 에 닿았을 경우 캐리어는 멀어지는 현상을 활용한 방법으로, n-type의 경우 전자가 뜨거운 쪽으로부터 멀어지기 때문에 뜨거운 Probe 에는 (+)가 걸리게 됩니다. 반대로 p-type의 경우 양공이 뜨거운 쪽으로

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