반도체 공정 29장(p-n junction depth measurement)

저번 시간까지 반도체 소자의 저항을 측정하는 방법인 4 point probe method에 대해 알아봤습니다. 이번 시간부터는 반도체 p-n junction의 깊이를 측정하는 방법에 대해 알아보겠습니다. p-n junction depth를 측정하는 것은 의도한 반도체 소자를 설계하는 것에 중요한 process입니다. 1.

Groove and Stain method Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C.

Jaeger Grove and Stain method는 p-n junction depth를 측정하는 가장 원초적인 방법입니다. 반도체 소자를 원통형 밀대로 눌러준 후, 그 곡률에 맞춰서 에칭을 진행합니다.

이 때 발생하는 가상의 원반지름을 R이라고 합시다. 중심축부터 에칭이 시작된 곳까지의 거리를 a, 중심축부터 juntion이 형성된 곳까지 거리를 b라고 했을 때, Junction depth는 다음과 같은 공식으로 ...

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반도체 공정 29장(p-n junction depth measurement)

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