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반도체 재료 10장(Carrier action - Recombination & Generation)

저번 포스팅에 이어 Carrier action의 마지막 종류인 Generation & Recombination에 대해 알아보겠습니다. Generation & Recombination(G/R)이란 다양한 경로를 통한 Electron 과 Hole 의 생성/소멸 과정으로 볼 수 있습니다. At equilibrium state G/R process는 반도체 내부에서 항상 일어나고 있는 현상입니다. 만약 반도체가 평형 상태(Equilibrium state)라면 캐리어의 갯수가 시간에 따라서 변화가 없어야 하기 때문에 위와 같이 Generation rate와 Recombination rate가 일치해야겠죠. 반면 평형상태가 깨졌다면 G/R process는 평형상태를 다시 회복하기 위한 방향으로 흘러갈 것입니다. 만약에 반도체에 캐리어가 넘쳤다면, 캐리어를 줄이기 위해 Recombination process가 지배적일 것입니다. 반면 반도체에 캐리어가 부족하다면, 캐리어를 늘리기 위해 Gener

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헤드 인스팅트 MP(Head Instinct MP) 시타 및 리뷰

샤라포바가 떠난 지금... 제 2의 전성기가 돌아올까? 동호인들 사이에서 흔히 볼 수 있는 라켓은 아니죠. 지금은 은퇴했지만 최고의 여자 테니스 스타, 마리아 샤라포바의 라켓. 오늘 리뷰할 라켓은 헤드 인스팅트 MP 입니다. 헤드 인스팅트 MP 스펙 출처: yahoo sports 헤드에서 출시한 라켓 중 메이저라고 보기도, 마이너라고 보기도 애매한 라인이 있습니다. 마리아 샤라포바(Maria Sharapova) 선수가 한창 활동 중일 때 그에 맞춰 인기가 올라오다가, 샤라포바 선수가 2020년 은퇴를 선언한 이후 같이 침체기를 맞이한 라켓입니다. 2022년 헤드 인스팅트 MP 모델이 새로 출시되었지만, 도색만 바뀌었을 뿐 라켓 자체는 그대로입니다. 헤드에서 다양한 라켓이 출시되면서 다양한 홍보를 진행하는 반면 인스팅트 시리즈에 대해서는 이와같은 홍보도 없이 출시되었습니다. 이렇게 뚜렷한 특징 없이 언젠가 헤드 라켓의 역사 속으로 사라지게 되는 것은 아닐지.. 특히 인스팅트 모델 시리

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테니스 레슨_서브는 토스가 결정한다 (9/28)

레슨 영상은 또 정말 오랜만에 올립니다. 인턴 생활이 끝난 후 레슨을 주 1회로 바꿔서 한 번 한 번이 너무 소중한 시간이라 배움을 청하는 데에만 집중한 것 같습니다. 하지만 이번 레슨은 전날에 정말 술을 많이마셔서, 숙취에 절어있는 상태로 제 웃긴 모습을 기록해보려 했습니다. 포핸드는 헤드가 확실히 가벼워진 이후로 멀리 돌려주는 느낌을 잃어버렸었죠. 그래서 한동안 자꾸 당기는 스윙을 하다가, 이제서야 점차 멀리 밀어주는 스윙을 하고 있는 것 같아요. 백핸드는 개인적으로 원핸드가 정말 멋있지만, 제 신체 적성에는 투핸드가 맞기에 원래의 저로 돌아왔습니다. 그리고 제일 중요한 서브는 실력이 늘어가는 속도가 참 더딘 것을 느껴요. 하지만 이번 레슨에서 제일 중요한 포인트를 얻었습니다. 서브할 때 토스는 무조건 앞에, 그리고 높이 던져야 한다. 토스의 항상성에 대한 연습은 집에서도 가능하니 항상 연습하자. 제이테니스아카데미 휘경점 서울특별시 동대문구 망우로 123 휘경메티컬프라자 702,

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응봉공원 테니스장 후기 & 예약 방법 (10/13)

오늘은 정말 오랜만에 응봉공원 테니스장에 다녀왔습니다. 영상으로 기록을 남긴건 올해 5월 3일 포스팅 이후 처음이네요. 하단 링크에 그 때의 코트 후기도 있으니 코트에 대해 더 궁금하신 분들은 참고해주세요. 저도 그동안 라켓이 두 번이나 바뀌었고, 제 파트너 또한 라켓이 두번이나 바뀌었습니다. 저는 "윌슨 프로스태프" - "헤드 스피드 MP" - "헤드 그래비티 PRO"의 길을 걸었고, 제 파트너는 "헤드 익스트림 MP" - "바볼랏 퓨어드라이브" - "헤드 래디컬 MP"의 길을 걷고 있습니다. 응봉공원 테니스장 응봉공원 테니스장 오랜만에 방문한 응봉공원 테니스장은 초여름 시절과는 다르게, 푸르고 높은 하늘을 보며 테니스를 칠 수 있었습니다. 오전 10시 - 12시에 게임을 해서 그런지 바닥에는 아직 촉촉한 이슬이 맺혀 있는 인조잔디를 볼 수 있었습니다. 가격이 시간당 4,000원인데 이 정도 퀄리티의 코트라니... (추가합니다. 중간중간 인조잔디 매트가 벌어진 곳이 있어서 불규칙

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반포종합운동장 테니스장 후기 & 예약 방법 (10/14)

매주 금요일 오후 5시 ~ 7시까지 반포종합운동장에서 대학연합테니스동아리 TC에서 테니스를 치고 있습니다. 대학연합테니스동아리 TC(@topofclubs) • Instagram 사진 및 동영상 팔로워 242명, 팔로잉 98명, 게시물 26개 - 대학연합테니스동아리 TC(@topofclubs)님의 Instagram 사진 및 동영상 보기 www.instagram.com 오늘은 그전에 시간이 되는 사람들과 오후 1시부터 3시까지 테니스를 쳤습니다. 동아리에서 구력 1년차는 최약체에 속하는 만큼 저와 비슷한 실력의 사람들을 찾기도 어렵습니다. 포스팅 하단에 게임 영상이 있으니 참고해주세요! 좌측부터 지훈, 형준, 규철, 준형 반포종합운동장 테니스장 야간 전경 서초구청에서 직접 운영하는 테니스장이기 때문에 비교적 관리가 정말 잘 되어 있는 인조잔디 코트입니다. 관리인분께서 항상 돌아다니시면서 코트 높이를 맞춰주시고, 모래를 뿌려주십니다. 코트는 총 12면으로 구성되어 있습니다. 코트의 앞뒤

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반도체 재료 11장(Recombination & Generation statistics)

저번 포스팅에 이어 Recombinaiton 과 Generation을 수식으로 표현하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 이번 포스팅부터 알아볼 내용은 차후 반도체 재료를 수식적으로 계산하는 모든 영역에 포함되기 때문에 꼼꼼히 학습하시는 것을 추천드립니다. 1. Photogeneration Photogeneration은 전자가 "빛"이라는 형태의 "에너지"를 받아 Conduction band로 뛰어올라가면서 발생합니다. 그리고 전자가 떠난 자리에는 양공이 남게 될 것입니다. 중요한 점은 Photogeneration이 일어나서 전자와 양공이 동시에 생긴다는 것입니다. 즉, Photogeneration으로 발생하는 양공과 전자의 생성 Rate는 항상 같은 값을 갖게 됩니다. 위 수식에서 볼 수 있듯이 단위 시간당 발생하는 전자의 농도와 단위 시간당 발생하는 양공의 농도가 서로 GL이라는 값으로 일치한다는 것을 알 수 있습니다. 2. Recombination 그래서 앞으로 우리가 계산하면서 사

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반도체 재료 12장(Equations of state - Continuity equation)

저번 포스팅에 이어 반도체 재료를 분석하기 위한 수식, 상태방정식(Equations of state)을 세워보겠습니다. 지금까지 배웠던 모든 내용이 이 수식으로 정리되기 때문에 시간이 조금 더 걸리더라도 꼭 이해하고 넘어가야 합니다. 앞서 Carrier action의 세가지 종류에 대해 배웠습니다. 바로 Drift, Diffusion, G&R 세가지였죠. 그럼 그 세가지를 모두 한 수식에 넣어서 연속방정식(Continuity equation)을 세워봅시다. 즉, 시간에 따라서 캐리어의 농도가 어떻게 변하는지 dn/dt 또는 dp/dt를 계산하는 수식입니다. 1. Continuity equation 연속방정식에서 캐리어의 농도 변화를 구하기 위해서는 Drift, Diffusion, G&R, 그리고 기타에 대한 모든 수식을 더해줘야 합니다. 이때 캐리어는 오직 G&R process에 의해 생성되거나 소멸하기 때문에 Drift와 Diffustion에 대해서는 "Carrier conserv

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반도체 재료 13장(Simplification condition & Case)

위 수식은 저번 포스팅에서 알아본 연속방정식(Continuity equation)의 단순화 형태입니다. 위 수식은 Minority carrier를 계산하는 수식이기 때문에 오로지 p-type semiconductor에서만 적용이 가능합니다. 반대로 n-type에 맞는 수식으로 변형하기 위해서는 수식에 있는 전자를 모두 양공으로 고쳐주면 되겠죠? 하지만 실제 디바이스 상황에서는 특정 조건들이 더 생기기 때문에 지금보다 더 단순화가 이루어집니다. 이번 포스팅에서는 이처럼 실제 상황에서 어떻게 수식에 변화가 생기고, 문제를 풀어나갈 수 있는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Simplification condition 위 표는 실제 디바이스 상황에서 일어날 수 있는 단순화 조건들입니다. ① Steady state - Steady state에서는 시간에 따른 농도변화가 없습니다. ② No concentration gradient / No diffusion current - Concentrati

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반도체 재료 14장(State equation example - 1)

저번 포스팅에 이어 실제 디바이스에서 Continuity equation을 어떻게 적용하는지에 대해 알아보겠습니다. 앞선 Simplified continuity equation과 실제 디바이스 단순화 조건에 대해 잘 기억해 주시기 바랍니다. 아직 잘 모르겠는 분들은 앞선 포스팅을 먼저 학습해 주시기 바랍니다. 반도체 재료 13장(Simplification condition & Case) 위 수식은 저번 포스팅에서 알아본 연속방정식(Continuity equation)의 단순화 형태입니다. 위 수식은 Mi... blog.naver.com 1. Example 1 문제 조건입니다. 위치에 따라 일정하게 도핑이 된 상온의 실리콘이고, t=0부터 Photogeneration이 일어난 상황입니다. ND 값으로 미루어보아 n-type semiconductor 라는 것을 알 수 있고, Minority carrier life time 값이 주어졌네요. 또한 Photogeneration(GL) 값은

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반도체 재료 14.5장(State equation example - 2)

저번 포스팅에 이어 두 번째 Example을 풀어보겠습니다. 앞선 Simplified continuity equation과 실제 디바이스 단순화 조건에 대해 잘 기억해 주시기 바랍니다. 아직 잘 모르겠는 분들은 앞선 포스팅을 먼저 학습해 주시기 바랍니다. 문제 조건입니다. 위치에 따라 일정하게 도핑이 된 상온의 실리콘 막대로 위치에 균일하게 도핑이 되어있습니다. 그리고 x=0에서 빛이 조사되고 있기 때문에 Δpn0 는 1010 cm-3 입니다. 그리고 그 빛은 막대기 표면에서만 작용합니다. 이때 위치에 따른 Δpn(x) 를 구하는게 문제의 목표입니다. 좌측 그림은 위 상황을 도식도로 나타낸 그림입니다. 실리콘 막대의 왼쪽 끝(x = 0)에서 빛이 조사되고 있습니다. 반면 x > 0 영역에서는 빛이 도달하지 않기 때문에 Photogeneration이 발생하지 않습니다. 그에 따라 x = 0 영역에서만 Minority carrier concentration이 매우 높을 것입니다. 우측

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반도체 재료 15장(Quasi fermi level)

저번 포스팅에 이어 반도체가 평형상태를 벗어나서 Steady state에 있을 때 Fermi level을 어떻게 정의할 것인지 알아보겠습니다. 기존에 우리가 학습한 밴드갭은 어디까지나 평형상태를 기준으로 합니다. 하지만 평형상태를 벗어나서 Minority carrier에 변화가 생긴 경우 기존 Fermi level과는 다른 지점이 생기는데, 이를 유사 페르미 준위(Quasi fermi level) 이라고 합니다. 페르미 레벨이 있으면 평형상태에서 많은 것을 알 수 있었듯이, 비 평형상태에서도 유사 페르미 레벨을 정의한 것이라고 생각하면 됩니다. 1. Qausi fermi level 평형상태(Equilibrium state)에서 Donor doping으로 인한 n-type semiconductor는 위와 같은 밴드갭을 갖게 됩니다. Intrinsic fermi level은 거의 밴드갭의 중간에 위치합니다. 그리고 Donor에 의해 상대적으로 Conduction band에 올라간 전자

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ① 서론

SPTA "반도체 소자 제작 및 특성분석(심화)" Photolithograpy process 2022년 4학년 1학기를 마치고, 지금까지 코로나19로 인해 가지 못했던 긴 해외여행을 위해 한 학기 휴학을 결정했습니다. 해외여행을 떠나기 전 약간의 시간이 남아 자기개발을 위해 많은 시간과 노력을 쏟았습니다. 미뤄뒀던 컴퓨터 활용능력 자격과 OPIc 을 취득했고, 파이썬 공부를 시작했습니다. 그래도 언젠가 제가 있을 삼성전자나 SK하이닉스에 가기 전에 미리 Semiconductor process에 대한 전체적인 흐름을 배워보고 싶었습니다. 그래서 선택한 교육이 SPTA 반도체 공정기술 교육원의 "반도체 소자 제작 및 특성분석(심화)" 교육과정입니다. 왜 SPTA를 선택했나? 더불어 왜 심화 교육 과정인 "반도체 소자 제작 및 특성분석"을 선택했나? 최근 반도체 취업 시장에서 오버 스펙이 많아지면서, 취직 전에도 실무 지식과 경험을 배양한 사람들이 많아지고 있습니다. 누군가는 인턴 활동을

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ② FAB / Starting wafer

'반도체 소자 제작 및 특성분석(심화)'는 총 4일의 교육과정으로 구성되어 있습니다. n-MOSFET 소자를 처음부터 끝까지 만들기 위해 Fab-in과 Fab-out까지의 시간이 3일, 소자 특성을 측정하는 데 1일이 걸립니다. 교육시간은 서론에서 설명드렸다시피 오전 9시부터 오후 6시까지입니다. 집은 동대문인데, 광교에 9시까지 가야 해서 정말 이른 시간부터 버스를 타고 이동해야 했습니다. 결국 교육 시작 시간보다 훨씬 빠른 8시에 도착했네요 ㅎㅎ 포스팅 순서는 공정 순서에 맞춰 아래와 같이 진행될 예정입니다. ① FAB-in / Starting wafer ② Active area patterning ③ Gate oxidation / Poly Si deposition ④ Gate photolithography ⑤ S/D doping / ILD deposition ⑥ Contact region photolithography ⑦ Metal deposition / Metal region

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ③ Active area patterning

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> Active area란 MOSFET에서 전류가 흐르는 통로가 되는 곳을 의미합니다. 즉, Source와 Drain과 Channel이 형성되는 Layer를 의미합니다. Active pattening은 특히 더 중요한 의미를 갖는데, 그 이유는 Active layer는 전자가 직접적으로 이동하는 통로이기 때문에 혹시라도 제대로 패터닝이 되지 않은 경우 전자가 다른 곳으로 흘러버려 쇼트가 나거나 심한경우 소자를 죽일 수도 있습니다. 따라서 더욱 신중하게 패터닝을 해야하고, Device isolation을 통해 각각의 소자가 독립적으로 동작하도록 만들어야 합니다. Active area patterning이 완료되면 위 그림과 같이 전류가 지나갈 수 있는 통로가 완성됩니다. Active area patterning PR 영향 최소화 위해 Yellow room에서 진행 우선 웨이퍼와 PR의 접

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ④ Gate oxidation / Poly Si deposition

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 자, 저번 포스팅에서 전자가 이동하는 통로가 되는 Active region을 만들었습니다. 그럼 Active region을 '수도'라고 하고, 전자가 '물'이라고 할 때, Gate는 '수도꼭지'역할을 할 것입니다. Gate에 어떤 전압이 걸리는지에 따라 수도꼭지가 잠길 수도 있고, 수도꼭지가 열릴 수도 있습니다. Gate의 구조는 MOS(Metal - Oxide - Semiconductor)로 구성되어있는데, Active region을 패터닝하면서 이미 Semiconductor는 존재하기 때문에 그 위에 Oxide와 Metal(여기서는 Poly-si)을 올려보겠습니다. 오늘의 Process인 Gate oxidation과 Poly Si deposition 이 끝나면 위와 같은 단면을 가진 구조가 완성됩니다. 그리고 우측 그림에서 확인할 수 있듯이 MOS 구조의 기초가 완성됩니다. Wa

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑤ Gate photolithography

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못 보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 자, 저번 포스팅에서 Gate의 필수 불가결 요소인 MOS Layer를 올렸습니다. 하지만 Layer만 있으면 무슨 의미가 있나요? Photolithography 공정을 통해 Gate structure를 만들어줘야 합니다. Channel 영역을 3면에서 둘러싸는 FinFET 구조를 만들어야 하기 때문에 채널을 기준으로 앞뒤 여유 공간이 있는 MASK를 사용해야 합니다. Gate photolithography가 끝나면 위와 같은 구조를 갖게 됩니다. Active layer가 화면의 앞뒤로 길게 위치하고 있고, 그 중간에 MOS 구조가 올라가서 Channel의 폭을 구성하게 됩니다. 이번 포스팅부터는 광학현미경을 통한 Inspection으로, 단면도가 아닌 위에서 바라본 이미지가 나올 예정입니다. 이해하시는데 참고해 주세요 ㅎㅎ Singe - PR coating - Exposure -

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑥ S/D doping / ILD deposition

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> S/D doping이란 Active layer에서 Source와 Drain, 그리고 Gate polysilicon에 n+로 Doping을 하는 공정입니다. Doping source는 Phosphorous를 사용하고, Furnacne를 통한 열처리로 Doping을 진행합니다. 이 때 solid source diffusion을 이용하고, 웨이퍼 측면에서는 Dophant가 충만한 Constant source diffusion이 진행됩니다. 따라서 S/D doping이 끝난 이후의 공정에서 높은 온도에서 열처리를 진행하면 의도치 않게 Dophant가 더 깊은 곳으로 이동할 수 있으니 주의해야 합니다. 마지막으로 device와 device 사이, 그리고 층과 층 사이를 구분하는 ILD oxide(Interlayer dielectric)를 PECVD 공정을 통해 올려줍니다. PECVD는 비교적

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑦ Contact region photolithography

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못 보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 자, 이제 ILD oxide에 구멍을 뽕뽕 뚫어서 Source, Drain, Gate, Well 네곳에 Contact를 위한 Trench를 뚫어줘야 합니다. 그리고 앞으로 Metal pad와 Contact 할 지점만 Oxide를 제거 해줘야겠죠. Oxide의 두께가 꽤나 두껍기 때문에 Photolithography를 진행해주고, 2 step으로 Oxide를 Etching 해줘야 합니다. 먼저 Dry etching을 통해 Oxide를 Non-isotropic 하게 제거해줍니다. 이때 주변에 있던 Photoresist를 Trench 내부로 끌고들어와 벽에 Polymer formation(PR 찌꺼기)을 두르게 됩니다. 이어서 Wet etching이 진행되는데, Selectivity가 우수하기 때문에 딱 SiO2만 제거하고 Poly silicon에는 아무런 반응도 하지 않는 장점이 있습

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑧ Metal deposition / Metal region photolithography

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못 보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> Contact Hole 을 뚫었으니, 이제 그 구멍을 Metal로 채워줘야 합니다. Metal deposition은 e-beam evaporator를 사용하는데, 한국어로 유일하게 '증착'이라는 용어를 붙일 수 있는 장비입니다. Filament에 고전압을 가해 방출된 전자를, 로런츠 힘(Lorentz force)을 통해 방향을 맞춰서, Sorce material을 때리도록 하는 장비로서, electron beam을 맞은 Source material은 빠르게 열에너지를 흡수하여 증발하게 되고, 상승하여 웨이퍼 표면에 증착되는 원리를 사용합니다. 웨이퍼 표면에 금속을 균일하게 증착한 후, Contact를 위한 Pad를 제외한 영역을 모두 Etching 해주기 위해 4번째 Photolithography process를 진행하면 위와 같은 단면도를 얻을 수 있습니다. Informal cl

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컴퓨터 활용능력 2급 실기 합격 후기 & 팁 (2주 독학, 학원X, 인강X)

컴퓨터 활용능력 2급 실기 2주 공부 합격 후기 합격 후기(필기 + 실기) 사실 군 복무시절 뭐라도 해보자는 마음에 컴퓨터활용능력 1급 필기를 취득했습니다. 문제은행 방식으로 진행되기 때문에 내용을 하나도 공부하지 않아도 문제만 많이 풀면 커트라인을 넘길 수 있었습니다. 최강 자격증 기출문제 전자문제집 CBT 전자문제집, CBT, 컴씨비티, 씨비티, 기사, 산업기사, 기능사, 컴활, 컴퓨터활용능력, 1급, 2급, 워드, 정보처리, 전기, 소방, 기계, 사무자동화, 정보기기, 제과, 제빵, 한국사, 공무원, 수능, 필기, 기출문제, 해설 www.comcbt.com 위 사이트에는 컴퓨터활용능력을 포함한 다양한 자격증의 필기시험 기출문제가 수록되어 있습니다. 따라서 많은 양의 기출문제를 출력하고, 그냥 받아들인다는 마음으로 계속 문제를 풀다보면 어느샌가 합격점에 도달하게 됩니다. 하지만 문제는 실기였습니다. 컴퓨터 활용능력 1급 실기는 Excel과 Acces 두 과목을 모두 봐야 하고,

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장충테니스장 후기 & 예약 방법(10/25)

장충테니스장이 최근에 큰 이슈에 놓여 있습니다. 장충테니스장의 운영자가 결정되었다는 소식이 들려왔어요. 기존 운영자 입찰가가 약 3억원이었던 것에 반해, 이번 입찰가가 약 26억원이라고 합니다. 입찰하신 분께서는 계약 기간 내에 최소 26억은 회수해야 한다는 것인데... 서울 시민들 모두 그저 즐겁게 테니스를 치고 싶을 뿐인데, 혹여 가격이 오르게 될까 걱정되네요.. 장충테니스장 6번코트 이용 금액이 시간당 4,000원인 것을 고려했을 때는 지금도 정말 싼 금액이긴 합니다. 하지만 장충테니스장의 이용 금액이 오르게 되면, 다른 테니스 코트 이용 금액 인상의 기폭제가 될까봐 걱정되는 마음입니다. 반면 현재 장충 테니스장의 코트 상태를 고려했을 때, 여유 자금을 만들어서 이곳저곳 보수가 필요해 보입니다. 1,2번 코트는 네트가 조금씩 뜯어져있고, 6,7,8번 코트는 바닥에 크랙이 있는 것을 심심치 않게 볼 수 있습니다. 또한 화장실의 상태가 좋지 않다는 점과, 미흡한 흡연 대책, 아쉬운

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장충테니스장 - 왜 영상으로 기록을 남기는가?(10/26)

"장충테니스장 리뉴얼 이후 방문 후기는 아래 링크를 참고해주세요" 장충테니스장 - NEW 예약 방법 & 코트 후기 장충테니스장이 새로워졌습니다. 공개입찰 이후 공사에 돌입했는데, 마침 예약이 풀리게 되어 귀국 이후 빠... blog.naver.com 예전 프로스태프의 손맛에서 벗어나서 이런저런 라켓에서 방황하다가 헤드 그래비티 프로에 안착했습니다. 디자인도 디자인이지만, 라켓 속이 비어있지 않은 것 같은 느낌과 내 힘으로 파워를 만들어내는 느낌이 참 좋았습니다. 라켓에 적응하는 기간이 조금 걸렸지만, 이제는 라켓 다루는 법이 어느 정도 익숙해진 것 것 같습니다. 어느 정도 파워를 실어 공을 보내도 베이스라인 안쪽에서 뚝 떨어지게 되었고, 톱스핀 로브와 같은 기술적인 샷들을 시도하고 있습니다. 이것도 어디까지나 하드코트의 바운스와 타이밍에 국한되는 이야기지만 말이죠. 둘다 몸이 1세트 후반부터 풀리기 시작한 것 같네요.. 최근 게임 영상을 유튜브에 올리기 시작했습니다. 네이버 블로그에

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑨ Metal alloy / 후기

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 이제 n-MOSFET의 모든 구조는 완성되었습니다. 마지막으로 Metal과 Semiconductor 사이의 접촉 저항(Contact resistnace)을 줄이기 위한 마지막 공정이 남았습니다. 접촉저항을 줄여야 하는 이유는 RC time delay를 최대한 줄이는 것에 기인합니다. 지금까지 Contact resistance를 줄이기 위한 여러가지 방법이 연구되었지만, 이번 공정에서는 열처리를 통한 Metal alloy 공정을 사용했습니다. 즉, Silicon과 Metal 사이의 계면을 열처리를 통해 Silicide로 만드는 방법입니다. 이때 열처리를 하면서 발생하는 Donor diffusion 은 차후 소자 측정을 진행할 때 오차 요소가 될 수 있습니다. Metal alloy 공정이 마무리된 이후 n-MOSFET의 단면도는 위와 같습니다. Metal alloy Silicide Me

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반도체 재료 16장(Direct & Indirect bandgap)

저번 포스팅에 이어 반도체의 주요 특성 중 하나인 Direct bandgap과 Indirect bandgap에 대해 알아보겠습니다. 그에 앞서 반도체 재료에서 전자가 어떻게 더 높은 에너지 준위로 올라가는지에 대해 먼저 살펴보며 개념 학습을 진행하겠습니다. 1. Photon absorption in solids 위 그림은 일반적으로 우리가 알고 있는 상황에 대해 나타낸 그림입니다. 빛에너지 E = hv 를 받아서 낮은 에너지 준위에 있던 전자가 높은 에너지 준위로 올라가는 상황입니다. 이번에는 반도체 소재에서 전자가 에너지를 받았을 때 어떤 거동을 하는지에 대해 알아봅시다. 반도체 소재에는 전자가 채워져 있는 Valence band가 있고, 전자가 채워져 있는 가장 높은 에너지 준위인 Ev가 존재합니다. 반대로 전자가 비워져 있는 Conduction band가 있고, 전자가 비어 있는 가장 낮은 에너지 준위인 Ec가 존재합니다. 전자는 Valence band의 어디에든 존재하고 있고

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반도체 재료 17장(Degenerate semiconductor)

저번 포스팅에 이어 Degenerate semiconductor에 대해 알아보겠습니다. 우선 'Degenerate'가 무슨 뜻인지부터 알아야겠죠? 사전적 의미로 Degenerate는 '퇴화하다' 라는 의미를 갖고 있습니다. 따라서 Degenerate semiconductor 는 퇴화된 반도체 라는 의미로 받아들여집니다. 맞습니다. 반도체는 맞지만, 도핑을 너무 많이 해서 반도체로서 기능을 하지 못하는 반도체를 Degenerate semiconductor 라고 합니다. 반도체는 본래 특전 전압 이상을 인가해야 전류가 흐르는데, 마치 금속처럼 Ohmic 특성을 갖게 되는 것이죠. 1. Degenerate semiconductor 위 그림은 Degenerate semiconductor의 밴드갭 예시입니다. 좌측 그림은 n-type 반도체로서 Donor doping을 얼마나 많이 했으면 EF가 conduction band 내부에 위치하고 있습니다. 이미 Conduction band에 전자들

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반도체 재료 18장(p-n junction band diagram)

저번 포스팅에 이어 반도체 재료에서 p-n junction이 어떻게 이루어지는지 자세하게 알아보도록 하겠습니다. 나아가 p-n junction에서 밴드갭을 어떻게 그려야 할지 가이드 라인에 대해서도 학습해보도록 하겠습니다. p-n junction은 앞으로 반도체 소자를 이해함에 있어 필수적인 요소가 되기 때문에 꼼꼼하게 학습해 주시기 바랍니다. 1. Junction terminology 자 위와 같은 반도체 소자가 있습니다. 기존 n-type의 Silicon은 도핑 농도가 일정하고 Cz법으로 잉곳 성장 이후 슬라이싱 하였습니다. 위 그래프에서 위치에 무관하게 균일한 ND를 갖고 있는 것을 확인할 수 있습니다. 이후 Junction을 형성시키기 위해 반대쪽 표면에서 Acceptor를 주입하였습니다. 따라서 반대쪽 표면에서 Acceptor과 확산해서 들어가게 됩니다. 위 그래프에서 확산하여 들어간 NA를 확인할 수 있습니다. 그럼 ND의 값과 NA의 값이 서로 일치하는 곳에서 Compe

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반도체 재료 18.5장(p-n junction formation step)

저번 포스팅에 이어 p-n junction이 어떻게 형성되는지에 대해 알아보겠습니다. 이번에는 밴드 다이어그램 측면보다는 접합부에서 미시적으로 어떤 일들이 일어나고 있는지에 대해 자세히 알아보겠습니다. 1. p-n junction formation step 자, 위 그림과 같이 p-type 반도체와 n-type 반도체가 있습니다. 아직 Junction을 형성하지는 않았기 때문에 Electron, Hole, Ionized donor, Ionized acceptor가 고르게 분포한 것을 확인할 수 있습니다. 이제 두 종류의 반도체를 접합시킨 직후의 모습입니다. 그럼 접합부 근처에 존재하는 전자와 양공은 반대편에 있는 무언가를 느끼게 되겠죠? 좌측의 p-type 반도체에는 양공(Hole)이 많기 때문에 전자가 많은 우측의 n-type 반도체로 옳거니 하고 이동할 것입니다. 반대로 우측의 n-type 반도체에는 전자(Electron)이 많기 때문에 양공이 많은 우측의 p-type 반도체로

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반도체 재료 19장(Built-in potential & Poisson's eqation)

저번 포스팅에 이어 Built-in potential(Vbi)이 어떻게 결정되는지 수식적인 측면에서 분석해보겠습니다. 나아가 푸아송 방정식으로부터 반도체 재료를 분석하는 방법에 대해서도 알아보겠습니다. 수식이 조금 어려울 수 있으나, 이해하신다면 반도체 재료를 분석하는데 훌륭한 도구가 되기 때문에 천천히 공부해주세요. 1. Built - in potential (Vbi) 반도체 재료를 이해함에 있어 대체적으로 항상 같은 가정을 하고 시작합니다. 바로 p-n junction under equilibrium, 즉 p-n 접합이 평형상태라는 것입니다. 위 수식은 반도체 재료에서 전기장(Electric field)과 전압(Voltage)의 관계식입니다. 저저번 포스팅에서 밴드 다이어그램을 그렸던 것을 떠올려봅시다. p-type 반도체와 n-type 반도체의 bulk 영역에서는 밴드가 평평했고, 공핍층 영역에서만 밴드가 휘어있던 것을 잘 기억해주세요. 각각의 bulk 영역에서의 위치를 xn,

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반도체 재료 20장(p-n junction electrostatics - 1)

저번 포스팅에 이어 p-n junction을 계속 수학적으로 분석해보겠습니다. 이번에는 역으로 푸아송 관계식(Poisson's equation)으로부터 밴드 다이어그램을 유도하는 과정입니다. 앞선 포스팅에 대한 이해를 바탕으로 이번 포스팅을 이해하셔도 좋고, 그 반대가 되어도 좋습니다. 뭐가 됐든 Charge density를 설명하는 푸아송 관계식과 밴드 다이어그램은 유기적으로 연결된 관계라는 것을 이해해주세요. 1. p-n junction 구조 p-n junction을 살펴보기 전에 꼭 알아둬야 할 가정이 있습니다. 이전에도 그렇고, 앞으로도 수식적으로 p-n junction을 분석함에 있어 필수적인 전제조건이니 꼭 알아두세요. 1-D 조건은 말 그대로 반도체 소자가 1차원적으로 p-n junction을 구성한다는 것입니다. 반도체 전체는 단결정 물질이고, 한쪽은 Acceptor가 도핑된 p-type, 인접한 영역은 Donor가 도핑된 n-type입니다. 그리고 그 경계면을을 야금

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반도체 재료 21장(p-n junction electrostatics - 2)

저번 포스팅에 이어 p-n junction electrostatics 를 이어가겠습니다. 이번 포스팅은 특히 저번 포스팅에 대한 이해를 바탕으로 진행되기 때문에, 꼭 저번 포스팅을 충분히 학습하고 오셔야 합니다. 앞서 유도한 수식들을 바탕으로 Depletion layer width를 유도하고, 지금까지 유도한 수식들에 Applied voltage가 존재할 때 그래프가 어떻게 변화하는지 알아보겠습니다. 1. Depletion layer width Depletion layer width 수식을 유도하기 위해서는 앞서 배운 두 개의 수식이 필요합니다. 먼저, 전기장은 항상 연속적인 함수여야 한다는 것으로부터 유도한 수식입니다. x=0 에서 연속이라는 것으로부터 수식을 얻을 수 있었죠? 두 번째, 전압은 항상 연속적인 함수여야 한다는 것으로부터 유도한 수식입니다. x=0에서 전압이 연속이라는 것으로부터 수식을 얻을 수 있었죠? 앞선 두 수식을 연립하면 xn과 xp를 얻을 수 있습니다. 유도

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반도체 재료 22장(p-n junction IV characteristics)

이제 새로운 챕터로 넘어가겠습니다. 어려운 수식은 끝났지만, 지금부터는 반도체 접합의 원리에 대해 정성적으로 이해하려는 노력이 필요합니다. 이번 포스팅부터는 p-n junction의 전류-전압 특성에 대해 알아보려고 합니다. 흔히 반도체 소자를 다이오드(Diode)라고 부르는 만큼, 전류를 한 방향으로 흐르게 만드는 정류작용이 왜 일어나는 것인지 알아봅시다. 1. p-n diode at equilibrium 위 그림은 p-n diode를 나타낸 에너지 밴드 다이어그램입니다. 소자가 평형상태(Equilibrium state)이기 때문에 Fermi energy level이 평평하게 위치한 것을 확인할 수 있습니다. 당연하게도 n-type 반도체에는 Donor가 많이 도핑 되어 있기 때문에 Conduction band에 전자가 많습니다. 반대로 p-type 반도체에는 Acceptor가 많이 도핑 되어 있기 때문에 Valenece band에 양공이 많습니다. 그림으로 유추해보건대 각각 6개

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반도체 재료 23장(Quantitative derivation of diode equation)

저번 포스팅에 이어 다이오드의 특성을 정량적(Quantitative)으로 분석해보겠습니다. 이번에도 마찬가지로 포스팅에 수식이 많이 등장하기 때문에 시간이 조금 걸리더라도 천천히 이해해 주시기 바랍니다. 기본적으로 Diode equation은 앞서 학습한 State equation에 많이 의존하기 때문에, 기억이 잘 안나신다면 아래 링크에서 상태 방정식을 먼저 학습하고 이번 포스팅을 봐주시기 바랍니다. 반도체 재료 12장(Equations of state - Continuity equation) 저번 포스팅에 이어 반도체 재료를 분석하기 위한 수식, 상태방정식(Equations of state)을 세워보겠습니... blog.naver.com 1. Basic assumption Diode equation을 유도하기 위해서는 위 5개의 전제조건이 필요합니다. Steady state 조건과 1-D 조건은 앞서 모든 반도체를 쉽게 이해하는데 기본 전제 조건이라고 말씀드린 바 있습니다. 반도

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반도체 재료 24장( I-V characteristic & Current density calculation )

저번 포스팅에 이어 p-n diode의 Current density 계산을 이어가봅시다. 저번 포스팅에서는 계산을 어떻게 하면 될지 가이드라인을 제시했다면, 이번 포스팅에서는 실제 수식 유도를 진행합니다. Current density에 대한 계산이 중요한 이유는, 그것이 반도체 소자의 I-V characteristic을 알 수 있는 중요한 지표이기 때문입니다. 결국 이번 포스팅을 통해 꼭 알아두셔야 할 것은 p-n diode의 Current density가 아래 그림과 같은 모양으로 나타난다는 것입니다. 1. First step (축 설정) 우선 가볍게 계산을 위한 축 설정을 해봅시다. n-type quasi neutral region에 대해서는 x' 축을 기준으로 xn이 0이 되도록 계산을 진행할 것입니다. 반면, p-type quasi neutral region에 대해서는 x'' 축을 기준으로 xp가 0이 되도록 계산을 진행할 것입니다. 이처럼 축을 다르게 설정하는 이유는 qua

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반도체 재료 25장(Carrier distribution under bias & Scenarios)

저번 포스팅에서는 Applied bias 상황에서 Current density가 어떤 분포를 그리는지에 대해 알아봤습니다. 그리고 나아가 가장 기본적인 I-V curve까지 유도했었죠? 이번 포스팅에서는 Applied bias 상황에서 Carrier distribition이 어떻게 이루어지고 있는지에 대해 알아보겠습니다. 그리고 Applied bias에서 Carrier injection이 어떻게 이뤄지는지 그림을 통해 쉽게 알아보겠습니다. 1. Carrier distribution under bias 먼저 순방향 전압(Forward bias)이 걸린 상황을 살펴봅시다. 좌측이 p-type 반도체, 우측이 n-type 반도체입니다. 그리고 그래프의 축은 Log scale로 표기되었습니다. NA가 ND 보다 큰 것으로 미루어보아 Acceptor doping을 더 많이 한 것을 알 수 있습니다. 이는 Majority carrier concentration이기 때문에 위쪽에 있는 더 큰 농

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반도체 재료 26장(Ideal theory vs. Experiment - 1)

저번 포스팅까지는 이론적인 부분에 대해서만 다뤘습니다. 하지만 결국 반도체 소자는 절대로 이론적으로 작동하지 않습니다. 이번 포스팅에서는 반도체 소자의 I-V curve가 현실에서 실험적으로는 어떻게 도출되는지 알아보겠습니다. 나아가 왜 Ideal 특성과는 다른 Experimental 특성이 나오는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Experimental data 먼저 우측 그래프는 앞선 포스팅에서 살펴봤던 Ideal I-V curve 입니다. 순방향 전압이 걸렸을 때 바로 전류가 상승하고, 역방향 전압이 걸렸을 때는 아주 작고 일정한 전류가 흐르는 것을 배웠습니다. 하지만 좌측 그래프는 실험적인 Experimental I-V curve 입니다. 순방향 전압에 따라 전류가 바로 상승하지 않고, 역방향 전압의 임계점을 넘었을 때 급격하게 역방향 전류가 흐르는 것을 알 수 있습니다. 실제 I-V curve를 확대하면 위와 같은 그래프를 얻을 수 있습니다. 가장 대표적인 특징 4곳이 빨간 동

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반도체 재료 27장(Ideal theory vs. Experiment - 2)

이번 포스팅은 저번 포스팅과 이어지는 내용이기 때문에, 꼭 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요! 반도체 재료 26장(Ideal theory vs. Experiment - 1) 저번 포스팅까지는 이론적인 부분에 대해서만 다뤘습니다. 하지만 결국 반도체 소자는 절대로 이론적으로 ... blog.naver.com 저번 포스팅에서는 순방향 전압에 대한 실험적 I-V curve가 어떻게 그려지는지에 대해 알아봤습니다. 따라서 순방향 전압에서 I-V curve가 달라지는 3가지 원인에 대해 알아봤죠? 이번 포스팅에서는 역방향 전압에 대한 실험적 I-V curve가 어떻게 그려지는지에 대해 알아보겠습니다. 저번 포스팅에서 맛보기로 보신 분들은 알겠지만 역방향 전압에서 I-V curve가 달라지는 두 가지 원인이 존재합니다. 1. Experimental data 잠깐 저번 포스팅에서 학습한 내용을 복습해볼까요? 먼저 우측 그래프는 앞선 포스팅에서 살펴봤던 Ideal I-V curve 입니다. 순방향 전압

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반도체 재료 27.5장(Tunneling diode)

저번 포스팅까지 실제 I-V curve에서 나타나는 특성에 대해 모두 살펴봤습니다. 하지만 눈썰미가 좋으신 분들은 뭔가 추가적으로 다른 점을 찾으셨을 수도 있습니다. 바로 순방향 전압에서 왜 저 부분이 쭈글쭈글하게 그려지는지입니다. 물론 저 부분이 독특하게 그려지는 이유는 다양하게 존재할 수 있지만, 그중 가장 대표적인 이유에 대해 설명해 드리고자 합니다. 1. Tunneling diode (Esaki diode) 우선 Tunneling이 일어나기 위해서 두 가지 조건이 필요합니다. ① Depletion layer(Barrier) 두께가 10nm 이하일 것 ② Filled state(Valence band)가 Empty state(Conduction band)와 일직선상에 놓일 것 Applied voltage가 0일 때 Tunnel diode의 Band diagram은 위 그림과 같습니다. Tunnel diode를 만들기 위해 High doping을 진행했기 때문에 위 그림과 같이

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반도체 재료 28장(M-S contact introduction)

저번 포스팅에 이어 아예 새로운 파트에 들어가도록 하겠습니다. 반도체 재료 포스팅의 마지막 파트인 M-S contact입니다. Metal과 Semiconductor 사이의 결합으로서, 앞서 p+n junction이나 n+p junction과 비슷하다는 것을 얼추 배웠습니다. 이번 포스팅에서는 M-S contact에 대한 간단하게 알아보겠습니다. 1. M/S junction overview 우선 M/S junction 이란 무엇일까요? 이것은 금속과 반도체 사이의 접합으로서, 반도체 IC 칩 내부에서 정말 많은 부분을 차지하고 있습니다. 왜냐하면 반도체 소자와 외부 회로를 연결하기 위해서는 무조건 M/S contact가 존재할 수밖에 없기 때문입니다. M/S contact는 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. Schottky barrier contacts는 Rectifying contacts, blocking contacts 로도 불립니다. 옴의 법칙(V=IR)을 만족하지 않고, 특정

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반도체 재료 29장(2 types of M/S contact)

저번 포스팅에 이어 M/S contact에 대해 더 깊게 알아보겠습니다. 이번 포스팅에서는 M/S contact의 두 종류인 Schottky contact와 Ohmic contact가 어떤 경우에 생기는지에 대해 알아보겠습니다. 저번 포스팅에서도 강조했지만 그 둘을 결정하는 것은 금속의 일함수(ΦM), 그리고 반도체의 일함수(ΦS)가 결정합니다. 그리고 그것을 표현할 수 있는 방법은 바로 에너지 밴드 다이어그램(Energy band diagram)입니다. 그럼 총 4가지 경우의 수가 나올 수 있습니다. ① ΦM > ΦS (n-type) ② ΦM < ΦS (n-type) ③ ΦM > ΦS (p-type) ④ ΦM < ΦS (p-type) 결론부터 말씀드리자면 ①,④가 Blocking contact이고 ②,③이 Ohmic contact입니다. 이제 왜 그렇게 되는지 천천히 알아봅시다. 1. ΦM > ΦS (n-type) 첫 번째로 할 작업은 E0를 같은 선상에 위치시킨 채로 금속과 반도

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반도체 재료 29.5장(Biasing M/S contacts & Important things)

저번 포스팅에서는 Applied bias가 없을 때 M/S contact band diagram이 어떻게 그려지는지에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 M/S contact에 Applied bias를 걸어줬을 때 Band diagram이 어떻게 거동하는지에 대해 알아보겠습니다. 뒤에 설명드릴 내용은 전자(Electron)를 기준으로 표현된 밴드 다이어그램입니다. 따라서 양공을 기준으로 현상을 이해하기 위해서는, 저번 포스팅을 참고하여 아래 그림과 정 반대를 생각하시면 됩니다. 1. Schottky contact 먼저 Schottky contact에 순방향 전압(Forward bias)을 걸었을 때에 대해 알아보겠습니다. 평형상태에 놓여있던 Fermi level이 Applied bias에 의해 틀어지게 될 것입니다. 그리고 순방향 전압에서 반도체의 Fermi level이 위로 올라가게 되고, xn이 줄어들게 되겠지요. 그럼 Conduction band에 있던 전자들이 느끼던 에너지

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반도체 재료 30장(Electrostatics of Schottky junction)

저번 포스팅에 이어서 수식적으로 Schottky junction을 분석해 봅시다. M/S contact는 p+n junction이나 n+p junction과 매우 유사하기 때문에 쉽게 이해하실 수 있습니다. 반도체 재료 20장(p-n junction electrostatics - 1) 저번 포스팅에 이어 p-n junction을 계속 수학적으로 분석해보겠습니다. 이번에는 역으로 푸아송 관계식(P... blog.naver.com 반도체 재료 21장(p-n junction electrostatics - 2) 저번 포스팅에 이어 p-n junction electrostatics 를 이어가겠습니다. 이번 포스팅은 특히 저번 포스팅에 ... blog.naver.com 이번 포스팅과 함께 '반도체재료 20장'과 '반도체재료 21장'을 공부하시면 시너지 효과를 얻으실 수 있습니다. p-n junction Electrostatics에 대한 내용으로 금속-반도체 접합과 반도체-반도체 접합 사이의 차

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반도체 재료 31장(I-V characteristics of M/S contacts)

저번 포스팅에 이어서 M/S contacts의 I-V characteristics를 알아봅시다. 특히, p+n junction과 공통점과 차이점을 중심으로 내용을 풀어가봅시다. 1. I-V characteristics M/S contact와 p+n junction은 Diode electrostatics나 I-V characteristics가 매우 흡사합니다. 하지만 어디까지나 차이점은 존재하기 마련입니다. 위 그림은 p+n diode의 band diagram입니다. p-type에 Acceptor doping을 매우 많이 진행했기 때문에 Hole이 매우 많은 반도체 소자입니다. 그리고 반대편에는 n-type semiconductor가 있는데, 상대적으로 도핑 농도가 낮기 때문에 Depletion layer가 치우쳐서 형성되었습니다. 위 소자는 Hole이 주된 요소로 작용하는 반도체 소자로서, 넓은 영역의 Depletion layer에서 Recombination 하는 것이 전류 흐름의

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반도체 재료 32장(AC response & C-V measurement)

저번 포스팅에 이어 M/S contact에 교류 전압을 흘러주었을 때 어떤 반응을 보이는지에 대해 알아보겠습니다. 정확히는 교류 전압이 아니라, V 단위의 직류전압에 mV 단위의 교류전압을 합쳐준 것입니다. M/S contact에는 Depletion layer가 존재하기 때문에, 이곳에는 전하 운반 요소인 Carrier가 존재하지 않습니다. 따라서 Depletion layer을 하나의 절연체로 봐도 무방합니다. 그럼 Metal 과 Semiconductor, 그리고 Depletion layer가 하나의 Capacitor로 거동하는 것을 알 수 있습니다. 따라서 반도체 소자는 교류전압을 통해 depletion layer의 Capacitance 를 측정할 수 있습니다. 그리고 이것을 반도체 소자의 C-V characteristics 라고 합니다. 1. AC response 위 그림은 M/S contact의 AC response를 알아보기 위한 회로입니다. 회로에 있는 전원부를 보시면 교류

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반도체 재료 33장(Surface states & Practical ohmic contacts)

저번 포스팅에 이어서 Surface state에 대해 알아보겠습니다. Surface state에 대한 개념은 한 번에 이해하기 어려울 수 있지만, 반도체 소자 특성을 결정하는 중요한 개념입니다. 이번이 마지막 포스팅인 만큼 끝까지 힘내봅시다. 실제 IC 칩에서 회로를 구성할 때 Surface state에 의한 대표적인 문제가 발생합니다. 바로 Fermi level이 금속의 일함수와 관계없이 고정되어 항상 Schottky barrier가 생기기 때문입니다. 그럼 전류가 한 방향으로밖에 잘 흐르지 않는 대참사가 발생합니다... 이 현상을 Fermi level pinning이라고 하고, 반도체 소자를 제작하면서 꼭 피해야 하는 현상입니다. 1. Surface state 반도체 소자를 구성하는 실리콘 결정은 무한대로 결정성이 유지되지는 않습니다. 왜냐하면 앞에서 학습한 M/S contact와 같이 실리콘 결정이 끝나는 곳(계면)이 존재하기 때문입니다. 실리콘은 최외곽전자가 4인 원소이기 때

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응봉공원 테니스장 - 랠리 감각 & 코트 후기

최근 유럽 여행을 3주간 다녀오면서 테니스 라켓을 만져본 적이 없었습니다. 물론 여행에서 Nitto ATP final 경기를 관람하고, 윔블던 경기장도 다녀오면서 테니스에 대한 열정을 불태웠죠. 테니스 경기 영상을 보면 공이 그렇게 빨라 보이지는 않습니다. 하지만 실제로 조코비치-메드베데프 경기를 직관하면서 느낀 점은 '선수들이 치는 공은 확실히 다르다'였습니다. 부드럽게 스윙하지만 엄청난 속도의 플랫 드라이브가 걸리고, 가벼운 스텝으로 모든 코트를 커버합니다. 포인트는 바로 '라켓의 Lagging과 Whipping', 그리고 '스플릿 스텝', '잔발'입니다. 어렸을 때부터 라켓을 잡은 게 아니라 선수들의 래깅과 위핑을 100% 따라 할 수는 없겠지만, 스플릿 스텝과 잔발은 처음엔 불편하더라도 억지로 습관을 만들어야겠다고 생각했습니다. 그렇게 응봉공원 테니스장을 예약했습니다. 테니스는 신기한 게 잠깐 한 달 정도 쉬었다고 감각을 다 잊어버리는 것 같습니다. 매번 공을 함께 치는 성엽

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프랑스 노르망디 여행 일정 Day 9 - 에트르타 해변 / 노르망디 / 코끼리 절벽 / 옹플뢰르 / 몽생미셸 투어 / 몽생미셸 야경 / 모리스 르블랑 생가

오늘은 이번 여행의 로망이 가득찬, 세상에서 가장 아름다운 해변, 에트르타로 가는 날. 중간에 잠시 항구도시 옹플뢰르에 들렀다가, 미카엘 대천사의 계시를 받은 몽생미셸 수도원까지. 오늘도 어김없이 아픈 몸을 이끌고 여행을 강행하는 성엽... 고생이 많다... 에트르타 해변 Etretat Previous image Next image 또 꼭두새벽부터 대중교통에 올랐다. 4시에 기상하고, 6시에 버스 탑승. Previous image Next image 에트르타 해변으로 걸어가는 길에 모리스 르블랑의 생가가 있었다. 영국의 국민 캐릭터 셜록홈즈가 항상 놓치고 못잡는, 아르센 뤼팽 시리즈의 작가로 유명하다. 100년 전쟁 이후 지금까지도 미묘한 관계에서 영국에게 크게 한방 먹여줬던, 그런 작가다. Previous image Next image 에트르타 해변에 도착하자마자 날씨가 기가막히게 개었다. 저 위에 보이는 성당 옆에서 19세기 인상파 대가 클로드 모네가 항상 그림을 그렸다고 한다.

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테크니화이버 티파이트 ISO 305 (Tecnifibre Tfight ISO 305) 시타 및 리뷰

Big 4를 제치고 18년 만의 세계 랭킹 1위, 다닐 메드베데프의 Tfight 라코스테가 인수한 이후 프레임 디자인 상승세를 급격하게 타더니, 윌슨, 헤드, 바볼랏, 요넥스의 자리를 넘보는 테크니화이버의 주력 컨트롤 라켓. 오늘 리뷰할 라켓은 테크니화이버 티파이트 ISO 305입니다. 테크니화이버 티파이트 ISO 305 스펙 Source: Tecnifibre hompage 테크니화이버에서 출시한 라켓 중에서 파워와 컨트롤을 겸비한 올 라운드형 라켓입니다. 특히 라켓에 두 가지의 기술력이 탑재되었는데, 첫 번째는 RS section입니다. 파워와 컨트롤을 겸비한 라켓을 탄생시키기 위해 전통적인 사각형 프레임과, 현대적인 원형 프레임을 융합하여 이상적인 절충안을 찾았다고 합니다. 두 번째는 신형 모델에만 탑재된 기술력인 ISOFLEX입니다. 라켓 프레임 전체에 걸쳐 강성이 강화되고, 각각의 스트링을 잡아줘서 면을 안정화시켜, 타구 시 내구성과 안정성을 높입니다. Head size 27

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이탈리아 로마 여행일정 Day 15 - 보르게세 미술관 봐야할 것 10선

로마에서 꼭 들러야 할 최고의 미술관을 뽑으라면, 단언 보르게세 미술관을 뽑을 것이다. 사실 봄이나, 여름, 가을 중에 방문하면 보르게세 정원까지 구경하는 게 예의라고 할 수 있겠다. 중세 이탈리아의 강력한 가문, 보르게세 가문이 르네상스 - 바로크 시대까지, 600점 이상의 예술품을 소장한 곳이다. 물론 가문의 몰락 이후 보르게세 컬렉션 중 일부를 프랑스에 매각하여 소유권이 루브르 박물관쪽에 있게 된 비화가 있지만, 티치아노, 카라바조, 베르니니, 이탈리아 유명 예술가들의 작품을 볼 수 있는 것만으로 보르게세 미술관에 방문 할 이유는 충분하다. 페르세포네의 납치 잔 로렌초 베르니니 Previous image Next image 지하 세계의 신 플루토가 페르세포네를 본 그 순간 사랑에 빠졌고, 그녀를 자신의 세계로 데려가기 위해 무력을 쓰는 모습을 담은 작품이다. 신체의 역동적인 표현을, 1/4000의 셔터스피드로 잡아낸 것 처럼, 완벽하게 표현해낸 것이 인상적이었다. 사실상 겁탈에

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[성신여대역 맛집] 폴라니포케 성신여대점

고려대 근처에 요거트와 샐러드 가게는 있어도, 포케를 파는 곳은 정말 없어요. 마침 성신여대에 포케 맛집이 있다고 해서, 마침 점심시간에 재빠르게 다녀왔어요. 학교에서도 성북04 버스를 타면, 10분 안으로 도착해서 쉽게 이용 가능할 것 같아요. Previous image Next image 포케(Poke)는 원래 하와이에서 유래된 음식이에요. 신선한 생선회를 야채와 함께 버무려 먹었던, 전통적인 생선회 샐러드였어요. "순수한"이라는 의미를 담은 폴라니(Polani)와 포케와의 합성어로, 신선한 재료를 통해 건강한 한끼를 제공하고자 하는 의미를 담았다고 하셨어요. 내부 좌석이랑 인테리어는 깔끔했어요. 하와이를 컨셉으로 내부 인테리어를 진행한 것 같은데, 정말 잘 담으신 것 같아요. 위생 관리도 잘 되고 있는 것 같았고, 좌석도 포케 먹을 시간동안 정말 편하게 있었어요. 외부 좌석에는 앉아보지 못했지만, 이제 날씨가 좋아서 밖에서 먹어도 좋을 것 같아요. Previous image N

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[잠실새내역 맛집] 잠실새내 조개는 청년조개!

비가 내린 후 갑자기 쌀쌀해진 날씨에 시원한 국물이 땡겨 오늘은 친구와 함께 잠실새내역 조개전골 맛집 '청년조개'에 다녀왔어요! 부천에 있을 때부터 단골이었던 집인데, 잠실새내에도 있다는 소식을 듣고 바로 숑 다녀왔어요. 청년조개 외관 & 인테리어 깔끔 + 파랑 Previous image Next image 청년조개는 버스정류장에서도, 지하철 출구에서도 매우 가까워 접근성이 아주 좋아요. 잠실새내역 4번 출구에서도 도보 5분 거리, 가장 가까운 버스정류장에서도 도보 5분 거리 에 위치해 있습니다. Previous image Next image 식당 앞에 도착하니 귀여운 조개전골 모형이 저를 반겨주고 있었어요. 저는 한산한 시간에 방문하여 웨이팅이 없었는데, 평소에는 웨이팅이 많은지 대기자 명단이 붙어있더라고요. Previous image Next image 청년조개 안으로 들어가보니, 이른 시간에 방문하였는데도 이미 식사 중이신 분들이 꽤 있었습니다 ㅎㅎ 내부는 상당히 깔끔하고 쾌적

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[도쿄 여행 1일차] 나리타 공항 / 스카이라이너 / 우에노역 / 나카미세도리 / 가미나리몬 / 나카미세도리

2018년 말 교토를 마지막으로 찢어져서 가족 여행을 간 적은 있어도, 한 번도 다 같이 해외로 휴가를 떠난 적은 없었다. 아빠가 제주도에 펜션을 매입하면서 두 달에 한 번은 제주도에서 쉬다 오긴 했지만, 해외여행이라니...! 이번 일본 포스팅에 사용된 사진들은 모두 소니 a6400 / 18-135 렌즈로 촬영된 사진입니다. 독자분들을 사진으로 발을 묶어버리겠어 서울역으로 이동 04:30 - 05:00 일본에서 꽉 채운 3박 4일 일정이기에 새벽부터 인천공항으로 이동해야 했다. 요즘 새벽 공기를 마실 일이 잘 없는데, 은은히 습하고 톡 쏘는 아침 공기를 마시니, 여행을 간다는 실감이 들었다. 서울역은 아침부터 정말 붐볐는데, 모두들 서편에서 공항철도를 타러 가는 것 같았다. 가족들도 보였고, 친구들도 보였고, 연인들도 보였고, 우리 부모님도 보였는데, 아빠만큼 신나있는 사람이 없었다. 공항철도 직통열차 A-REX를 타면 좋은 점은 미리 서울역에서 짐을 부칠 수 있다는 점이다. 물론

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장충테니스장 - NEW 예약 방법 & 코트 후기

장충테니스장 서울특별시 중구 장충동2가 산14-68 장충테니스장 장충테니스장이 새로워졌습니다. 공개입찰 이후 공사에 돌입했는데, 마침 예약이 풀리게 되어 귀국 이후 빠르게 다녀왔습니다. 이번 포스팅에서 새로워진 장충테니스장 후기, 예약 방법에 대해 알려드리겠습니다. 장충테니스장은 올해 11월 11일부터 3년 동안 체육 전문시설업체 '필드글로벌'에 낙찰되었습니다. 3년 감정가인 6억 5000만원에서 약 450%에 달하는 26억 6000만원에 낙찰된 만큼 앞으로 요금에 대한 걱정이 많았습니다. 왜냐하면 3년 동안 26억 6000만원을 환수하기 위해서는 1일 300만원 이상의 수입을 올려야 하기 때문입니다. 아무리 테니스의 인기가 하늘을 치솟고 테니스 인구가 폭발적으로 증가했지만, 일 300만원의 수입을 얻기 위해서는 코트 가격을 올려야 할 수밖에 없으니까요. 하지만 서울특별시 도시공원 조례 제15조에 따르면 평일 코트 1면 두 시간에 8000원, 주말/공휴일/야간은 11000원을 받도록

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테니스 레슨_ATP 포핸드 구사하기(12/7)

다시 또 오랜만에 레슨 영상을 올립니다. 최근에는 실제 테니스장에 방문하여 레슨을 받지 않더라도, 유튜브나 다른 영상매체들을 통해 테니스를 배울 수 있어서 동호인들의 실력 향상이 빨라진 것 같습니다. 물론 정보의 바다에서 '좋은 정보'만 골라내는 것도 개개인의 능력이지만요. 최근 유튜브에서 재밌는 영상을 하나 찾았습니다. 간단하게 요점만 말씀드리자면 WTA식 포핸드와 ATP식 포핸드를 구분해야 한다는 것입니다. ATP 포핸드는 앞에서 봤을 때 테이크백이 어깨 안쪽에 있는 와이퍼스윙 중심의 유닛턴을 하게 됩니다. WTA 포핸드는 앞에서 봤을 때 테이크백이 어꺠 뒤로 넘어가는 가로스윙 중심의 유닛턴을 하게 됩니다. ATP 포핸드는 상대적으로 공에 회전을 주기 용이하기 때문에, 공이 WTA 포핸드에 비해서 네트 위를 높게 넘어가는 것을 알 수 있었습니다. 3달 전 레슨 영상 저는 지금까지 이렇게 ATP 포핸드가 아니라 WTA 포핸드를 구사하고 있었습니다. 파워는 훨씬 강할지 몰라도, 빠른

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오픽 AL(Advanced Low) 일주일 독학 후기 & 공부 방법

우선 글을 시작하기에 앞서 저는 한 번도 해외 거주 경험도 없고, 해외 장기 체류 경험이 없습니다. 대한민국에서 태어나서 우리나라의 교육과정을 받으며 성장한 대학생입니다. 주변 가까운 분들이 하나 둘 오픽을 취득하는 상황에서, 미루고 미루다가 빠르게 해치우자는 마음에 시작하게 된 오픽이었습니다. 시험 접수 22.10.08. OPIc Oral Proficiency Interview - computer 대학연합 OPIc 평가 접수 로그인 로그인 아이디 저장 아이디 찾기 패스워드 찾기 신규 회원 가입하기 로그인 및 회원 가입과 관련된 자세한 사항은 고객센터 (1644-0505)에 문의 바랍니다. univ.opic.or.kr 우선 저는 대학생이기 때문에 '대학연합 오픽'에서 할인을 받을 수 있었습니다. 기존 오픽 시험 가격인 78,000원에서 15% 할인된 66,000원에 시험을 응시할 수 있었습니다. 물론 항상 쓸 수 있는 것은 아니고, 1년에 한 번만 혜택 적용이 가능합니다. 1년에 한

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑩ 측정 시스템 구성 및 장치

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못 보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 이제 n-MOSFET 소자 제작은 마무리되었습니다. 앞으로는 완성된 소자의 특성을 측정하고, 분석하고, 평가하는 단계입니다. 위 단계를 바탕으로 앞선 실험에서 어떤 점을 개선할 수 있을지 판단할 수 있을 것입니다. 또한 Trade-off 관계에서 내렸던 선택에 대한 피드백도 얻을 수 있겠죠? 결국 엔지니어의 업무는 위와 같은 고리로 연결됩니다. 그리고 고리가 얼마나 더 반복되도록 만드는지가 업무 효율에 직접적인 영향을 미치게 됩니다. ① DOE(Design of Experiment) 과정을 통해 주어진 상황에 대한 실험 설계를 합니다. ② Experiment 과정을 통해 설계된 실험을 진행합니다. ③ Analyze 과정을 통해 실험값을 분석합니다. 그래서 최근 엔지니어의 역량으로 급부상하고 있는 것이 코딩 능력입니다. 앞선 고리를 인력으로 하나하나 이어가는 것이 아니라, 코딩을 통

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑪ MOS capacitor CV curve

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못 보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 저번 포스팅에서 측정 장비에 대한 이론을 마쳤습니다. 이번 포스팅에서는 본격적으로 MOS capacitor에 대한 이론과 실제 CV curve 측정 과정에 대해 알아보겠습니다. 이번 포스팅에서 중점으로 봐야 할 부분은, 3일차까지 진행했던 실험과의 비교입니다. 측정에서 얻은 데이터와 인과 관계가 어떻게 되는 것인지 파악하는 것이야말로 엔지니어가 해야 할 일입니다. MOS capacitor 이론 MOS capacitor를 위에서 본 그림은 우측 그림과 같습니다. 그리고 빨간색 점선을 기준으로 단면도를 그리면 우측 그림과 같습니다. 맨 위에 게이트가 있고, 순서대로 Oxide, Substrate가 위치하고 있습니다. Gate에 전압을 인가해 주면, Oxide에서는 전류가 흐를 수 없기 때문에 Substrate에 전하가 모이게 됩니다. 이것이 바로 일종의 Capacitor가 되는 것이지

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SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑫ MOSFET IV curve

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못 보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 저번 포스팅에서 MOS capacitor의 CV curve 측정과 분석에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 본격적으로 MOSFET에 대한 이론과 실제 IV curve 측정에 대해 알아보겠습니다. 이번 포스팅을 끝으로 SPTA 공정 실습은 마무리됩니다. 소자 제작부터 소자 특성 분석까지 긴 포스팅을 봐주셔서 감사드립니다. 더불어 이런 좋은 경험을 제공해 주신 SPTA와 이종욱 원장님께 감사 인사드립니다. MOSFET & IV curve 이론 MOSFET의 동작 구조는 기본적으로 위 그림과 같습니다. Gate에 Gate voltage(VG)가 가해지고, Drain에는 Drain voltage(VD), 그리고 Source에는 Ground가 연결됩니다. 본격적으로 설명하기에 앞서 MOSFET을 쉽게 설명하자면, 게이트(Gate)는 수도꼭지 역할을 하고, 드레인(Drain)은 수압의 역

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영국 런던 여행 일정 Day 1,2 - 공항 / 웨스트민스터 대성당 / 버킹엄 궁 / 그린파크 / 웨스트민스터 사원 / 빅벤 / 국회의사당 / 한국전쟁기념비 / 근위 기병대 박물관

휴학 제0순위 목표 해외여행 할 일에 치이고, 준비할 일에 치이다가, 늦고 늦은 11월에 출발한 서유럽 이야기. Day 2. am 9:00 ~ pm 2:00 인천공항 - 뮌헨 - 런던 루프트한자 Previous image Next image 해외여행을 갈 때는 짐을 최대한 적게 챙겨야 한다. 애매하다 싶으면 그냥 빼자. 유럽 걷기 힘들다. 성엽이랑 여행은 항상 무자본 무계획 여행이다. 이날까지 이탈리아 숙소는 잡아두지도 않았다. 토스 뱅크에서 환전을 하면 환율우대 최대 100% 심지어 공항에 있는 하나은행에서 바로 찾을 수 있다. 그런데 유럽에서 현금 잘 안 쓰니까, 그냥 신용카드로 긁자. Previous image Next image 탑건은 다시 봐도 재밌다. 유러피안 빙의하려고 20시간 동안 와인만 마셨다. 와인 무한리필 최고 기내식에 코리안 비프와 파스타가 있었다. 유럽 사람처럼 파스타를 시켰는데 그냥 코리안 비프를 먹었어야 했다. 나름 체스 잘 한다고 생각했는데, 컴퓨터한테

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영국 런던 여행 일정 Day 2 - 트래펄가 광장 / 내셔널 갤러리 / 국회의사당 / 웨스트민스터 궁 / 블랙락 / 소호 한인마트 / 팰리스 극장

무계획이 계획인 여행. 발걸음이 닿는 대로, 마음이 끌리는 대로, 그렇게 걷다 보니 17km를 걸었다. 트래펄가 광장 Trafalgar square Previous image Next image 트래펄가 광장은 영국인들에게 꽤나 상징적인 곳이다. 우뚝 솟아있는 넬슨 제독 기념비는 트라팔가르 해전을 승리로 이끌었던 넬슨 제독을 기리기 위해 지어졌다. 침략자에 맞서 조국을 지킨 점, 마지막 전투에서 순국한 점을 빌어 이순신 장군과 종종 비교되곤 한다. Previous image Next image 광장을 둘러보면 다양한 천재들을 만나볼 수 있다. 거리의 행위 예술가들이 곳곳에서 끼를 뽐내고, 수많은 화가들이 작품을 남긴다. 광장 좌우 측에는 아름다운 분수가 있다. 그저 광장에 앉아서, 분수와 주변 사람들을 구경하는 것만으로 편안함을 느낄 수 있는 곳이다. 내셔널 갤러리 (영국 국립 미술관) National galery Previous image Next image 내셔널 갤러리는 대영박

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영국 런던 여행 일정 Day 3 - 윔블던 테니스 / 윔블던 투어 예약 / 윔블던공원 / 피시 앤 칩스

사실 이번 여행은 테니스다. 최근 1년 동안 테니스에 빠져 지냈는데, 이번 기회에 테니스의 성지를 보고 왔다. 오늘의 투어는 테니스 4대 메이저 대회 중 유일한 천연잔디 코트 대회, 윔블던이다. 윔블던으로 이동 To Wimbledon Previous image Next image 윔블던은 런던 중심가에서 거리가 있는 편이다. 사실 직선거리로는 가깝지만, 런던 시내의 교통체증 때문에 더 멀게 느껴진다. 더불어 런던의 잦은 지하철 파업(Tube strike)과 맞물려 버스로는 약 40분에서 1시간을 잡아야 한다. Previous image Next image 윔블던은 고급 주거 지역이다. 서울 성북동이나 평창동처럼 잘 관리된 전원주택이 모여있는 곳이다. 시내의 윔블던 빌리지에는 인디 부티크와 세련된 카페들이 가득하며 고급 외제차를 자주 목격할 수 있다. 윔블던 테니스 클럽 Wimbledon Tenniscircus(좌), The New York Times(우) 1877년 첫 대회를 시작으

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영국 런던 여행 일정 Day 4 - 레옹 / 대영박물관 봐야 할 것 / 버버리 아울렛 / 타워브릿지 / 더 샤드 / 런던 탑

아직 여행 일정은 한참 남았는데 계속 강행군을 하다 보니 벌써부터 번아웃의 증세가 보였다. 심지어 오늘은 대영박물관까지 가야 하는데.. 한숨과 함께 하루를 시작했다. 레옹 LEON Previous image Next image 런던에서 '레옹'이 보이면 꼭 들어가서 먹어보는 걸 추천한다. 아침부터 식사가 가능하고 정말 신선한 잉글리시 머핀을 먹을 수 있다. 파이브 가이즈보다도 레옹이 먼저 우리나라에 입점했으면 한다. 파이브 가이즈는 동양인 입맛에 헤비 한 감이 있다.. 대영 박물관 (영국 박물관) The British Museum Previous image Next image 아침 일찍 레옹에서 끼니를 해결하고 대영 박물관 오픈 시간에 맞춰서 방문했다. 부지런한 한국인이라고 뿌듯했는데 심상치 않은 줄이 있다. 아니나 다를까 대영박물관 줄이다. 그래도 낮에 서는 것보다는 낫다고 하니 꼭 오픈 시간에 가는 걸 추천한다. Previous image Next image 대영박물관 내부에 들

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영국 런던 여행 일정 Day 5 - 세인트판크라스 역 / 킹스크로스 역 / 해리포터 정거장 / 짐 보관 / 버버리아울렛 / 타워브릿지 / 파이브 가이즈 / 유로스타 / 파리 북역

5일이면 긴 시간이라고 생각했는데, 이렇게 빠르게 지나갈 줄이야. 오늘은 영국에서의 일정을 마치고 파리로 가는 날이었다. 아무 생각 없이 싸다고 잡았던 우리의 파리 숙소는 치안이 막장으로 달리는 곳이었다... 아침 산책 Morning walk Previous image Next image 벌써 영국이 마지막이라는 사실이 믿기지 않는다. 이렇게 아침 산책을 하면서 이곳의 사람들을 구경하는 것도 오늘이 마지막이다. 이곳의 아침 풍경은 어땠는지, 이곳에 있는 사람들이 어떻게 살아가는지, 최대한 눈에 담아가야지. 레옹 LEON Previous image Next image 오늘도 어김없이 아침식사는 레옹이다. 레옹이 없었으면 런던에서 굶어 죽을 뻔했다. 이해할 수 없는 런던의 미식 세계에서 가뭄의 단비와 같은 맛으로 나를 행복하게 해준다. 세인트 판크라스 역 St. Pancras International station Previous image Next image 사실 지금 보이는 건물은

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프랑스 파리 여행 일정 Day 6 - 파리 북 역 / 대중교통 / 뮤지엄 패스 / 루브르 박물관 / 오르세 미술관 / 센 강 / 앵발리드 / 에펠탑

분명히 어제까지는 너무 힘들었는데, 숙소 앞을 나서자마자 생각이 바뀌었다. 화창한 날씨와 멋있는 사람들. 낭만의 도시, 파리가 내게 왔다. 파리 북 역 Gare du Nord Previous image Next image 어젯밤 처음 북역을 마주했을 때는 너무 무섭다는 생각에 주위를 둘러보지 못했는데, 북역은 정말 아름다운 역이다. 170년이 넘는 역사를 자랑하며 로스차일드 가문이 처음 운영을 시작했다고 한다. 파리의 리옹역과 더불어 파리의 아름다운 역으로 꼽히는 곳이다. Previous image Next image 북역 앞의 길거리도 정말 아름다웠다. 항상 많은 사람들이 북적이는 곳이고, 어딘가 한국처럼 조금은 바빠 보이는 동네였다. 그래도 테라스에 앉아서 담배와 함께 여유로운 티타임을 갖는, 파리지앵을 쉽게 만나볼 수 있다. Previous image Next image 대중교통 티켓은 지하철역 내부에서 쉽게 구매할 수 있다. 버스와 지하철에 모두 이용 가능하며, 10개씩 구매

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프랑스 파리 여행 일정 Day 6 - 오르세 미술관 봐야 할 것

오르세 미술관은 세계 3대 미술관 중 하나로서 19세기 인상파 작품의 보고로 불린다. 그만큼 미술관도 매우 커서 하루에 모든 작품을 절대 눈에 담을 수 없다. 하지만 우리는 관광객이었고, 주어진 시간 안에 오르세를 파헤쳐야 했다. Previous image Next image 첫 번째. 장 프랑수아 밀레의 <이삭 줍는 여인들>과 <만종> 밀레는 농사를 신성시 여겼다. 그래서 밀레의 유명한 그림은 땅에서 출발한다. 한편 그는 매우 비판적인 화가였다. 그래서 그림의 따뜻한 외견에 취하지 말고, 시대 풍자적인 시선으로도 그림을 바라보자. 이삭 줍는 여인들에는 최하층민의 고된 삶이 녹아들어 있고, 만종에는 어딘가 어두운 분위기와 바구니가 눈에 띄었다. Previous image Next image 두 번째. 에두아르 마네의 그림들이다. 에두아르 마네는 사실주의에서 인상주의로 넘어가는데 중요한 역할을 한 화가다. 내가 방문했을 때는 주요 그림들이 출장을 갔지만, <올랭피아>와 <풀밭 위의 점

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프랑스 파리 여행 일정 Day 7 - 에투알 개선문 /샹젤리제 거리 / 오페라 가르니에 / 스타벅스 1호점 (카푸친스) / 팔레 루아얄 / 루브르 박물관 / 코다와리 라멘

북 역의 어두움도 어느새 적응해 갈 때쯤, 성엽이가 아프기 시작했다. 우리의 여행 일정은 조금씩 미뤄졌고, 언젠가 낫기를 바라면서 약으로 악으로 하루하루를 버텼다. 에투알 개선문 Arc de Triomphe Previous image Next image 파리를 상징하는 또 하나의 랜드마크, 에투알 개선문이다. 프랑스 혁명과 나폴레옹 전쟁 시기에 죽은 프랑스 병사들을 기리기 위해 지어졌다. Previous image Next image 에투알 개선문이 바라보는 샹젤리제 거리에는 포토 스폿이 있다. 도로 중간에 줄을 잘 서보자. 그리고 에투알 개선문을 둘러서 차도가 있다. 그래서 횡단보도를 찾는데 20분을 썼지만, 지하도를 통해서 가면 됩니다^^ Previous image Next image 지하도를 통해서 개선문에 도착하면 가장 먼저 눈에 띄는 곳이 있다. 1차 세계대전 당시, 전사한 무명용사들을 위한 무덤이다. '여기 조국을 위해 죽은 프랑스 군인이 잠들다' '1914 - 1918'

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프랑스 파리 여행 일정 Day 8 - 베르사유 궁전 / 라뒤레 마카롱 / 베르사유 정원 / 카페 드로잉 / 파리 밤거리

지금까지 유럽에 있으면서 비가 내린 적은 없었는데, 오늘 파리에서는 추적추적 비가 내렸다. 베르사유 궁전 Chateau de Versailles Previous image Next image 파리 도심에서 약 24km 떨어진 곳. 1/2존을 벗어나기 때문에, 기존의 대중교통 티켓은 사용이 불가능하다. 아무 지하철역 키오스크에서 'Versailles Chantiers' 역을 검색하여 발권하면 된다. 파리 도심에서 멀리 떨어져 있음에도 매해 700만 명의 사람들이 방문하는 곳. 오늘 가고 있는 곳은 세상에서 가장 화려한 궁전이라고 불리는 베르사유 궁전이다. Previous image Next image 베르사유 궁전은 그 문화 역사적 가치를 인정받아 1979년 유네스코 세계 문화유산에 등재됐다. 사실 지금 프랑스의 수도는 파리지만, 프랑스가 유럽을 주도했던 17~18세기의 수도는 단언 베르사유였다. '태양왕' 루이 14세가 사냥터로 쓰이던 이곳을 본격적으로 개조하면서 지금의 베르사유 궁

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프랑스 파리 여행 일정 Day 10 - 파리 브런치 / 크헤미유 거리 / 바스티유 광장 / 생마르탱 운하 / 센 강 산책 / 노트르담 대성당 / 리옹 역 / 토리노 대성당

프랑스 여행도 어느덧 갈무리할 때가 되었다. 몸이 힘든 것도 차차 적응했고, 마지막으로 프랑스의 여유를 즐기기로 했다. 이탈리아에서는 우리 여행의 종착점인 Nitto ATP Final 이 기다리고 있으니까. 파리의 브런치 Brunch of Paris Previous image Next image 파리의 아침은 한국에 비해 비교적 늦게 시작한다. 대부분 10시 ~ 12시 사이에 사람들이 밖에서 아침을 맞이하고는 한다. 그래서 그 시간에 맞춰 많은 파티세리(Patisserie)가 문을 연다. Previous image Next image 물론 나도 아침은 먹어야 하기에 바로 들어가서 요깃거리를 담아왔다. 오늘 아침 메뉴는 훈제 연어 참치 샐러드, 크로아상, 카페 알롱제. 카페 알롱제는 아메리카노처럼 에스프레소를 약간 희석한 메뉴다. Previous image Next image 그리고 소화도 시킬 겸 리옹 역 주변을 맴돌면서 파리의 사람들을 관찰했다. 크헤미유 거리 Rue Cremieu

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이탈리아 토리노 여행 일정 Day 11 - Nitto ATP Final 직관 / Pala Alpitour / 조코비치 / 메드베데프 / 치치파스 / 루블레프 / 키리오스

블로그에 글을 남기면서 이 순간이 언제 오는지 정말 많이 기다렸다. 드디어 오늘 이번 여행의 최종 종착지, 토리노의 Nitto ATP Final 직관을 간다. Pala Alpitour Nitto ATP Final 주경기장 Previous image Next image 어김없이 오늘도 조금 늦었다. 충분히 맞춰서 나왔다고 생각했는데, 이탈리아 버스는 계획대로 도착하는 법이 없다. 그런데 재밌는건, 우리도 버스 표 없이 탔다ㅋㅋㅋ 신용카드로 다 되는 줄 알았는데, 이 구식 동네는 따로 버스 티켓이 있다고 한다. Previous image Next image 다들 들어가려고 줄 서고 난리가 났다. 그래도 꽤나 질서정연하게 줄 서서 입장한다. 역시 신사의 스포츠는 관중도 신사인 듯 하다. Previous image Next image 다양한 체험 부스가 있다. 서브 스피드 측정하기 Nitto ATP Final 우승컵과 사진찍기 Xbox 테니스 게임하기 그래도 제일 좋았던 건 들어가기 전에

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요넥스 브이코어 100 (Yonex VCORE 100) 시타 및 리뷰

ATP 코리아 오픈 결승전의 주역, 니시오카와 샤포발로프의 라켓 독특한 타구감으로 국내에서도 매니아 계층을 확실하게 보유한, 애들레이트 2차 대회에서 우승한 권순우 선수가 새로 장착한 라켓의 브랜드, 오늘 리뷰할 라켓은 요넥스 브이코어 100입니다. 요넥스 브이코어 100 스펙 요넥스에서 출시하는 라켓 중에서 파워와 스핀을 중시하는 라인업, 브이코어(VCORE) 시리즈입니다. 요넥스 라켓에서 가장 먼저 떠오르는 것은 바로 아이소메트릭(Isometric) 구조입니다. 라켓 윗 면이 둥글지 않고 판판해서, 유효 타구면을 증가시킵니다. 그리고 라이너 테크 설계에서 라켓 프레임의 구조를 살짝 바꾸기 시작하여 스위트 스폿의 범위를 더욱 넓혔습니다. 게다가 에어로 핀, 에어로 트렌치 기술을 통해 공기저항을 극단적으로 감소시켜 스윙스피드를 올리는데 기여했죠. Length 27 in / 69cm Head size 100 sq in. Strung Weight 320g Balance 4 pts HL

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윌슨 프로스태프 97 315 g (Prostaff V12) 시타 및 리뷰

테니스의 황제, 로저 페더러의 라켓 특유의 클래식한 타구감과 묵직함으로 쇠 파이프라고 불리기도 하지만, 고수들이 쓰면 무서운 라켓이자, 페더러를 사랑하는 사람들의 매니악 한 라켓. 지금은 은퇴한 샘프라스와 페더러를 이어 다음 전설의 주인공을 기다리는 라켓. 오늘 리뷰할 라켓은 윌슨 프로스태프 V12 입니다. 윌슨 프로스태프 V12 스펙 Source: Carousell 윌슨에서 출시하는 라켓 중에서 극강의 컨트롤형 헤드 라이트 라켓, 윌슨 프로스태프 시리즈입니다. V11의 올블랙 라켓에서 페더러의 화려한 복귀, V12의 턱시도 라켓을 거쳐, V13의 클래식한 프로스태프에서 페더러의 은퇴. 사실 페더러의 마지막 불꽃을 함께한 라켓입니다. 프로스태프는 그 역사와 전통이 깊고, 시대를 풍미한 선수가 사용했던 만큼, 다음 메인 모델이 누가 될지 기대되는 모델입니다. Length 27 in / 69cm Head size 97 sq in. Strung Weight 332g Balance 7 pt

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테니스 레슨_포핸드 개선하기 & 드릴 (12/28)

포핸드가 희한하다. 분명히 가장 처음 배우고, 가장 많이쳤는데, 왜 지금까지도 항상 발목을 잡을까. 테니스에서 가장 많이 구사하는 샷인데, 왜 하면 할 수록 헷갈리는건지.. 최근에 포핸드 폼을 바꾸면서 공을 치는 타이밍을 계속 놓치고 있습니다. 공 타이밍을 맞춰서 한번에 스윙을 돌려야 하는데, 타이밍이 헷갈리니 자꾸 라켓을 갖다 대기만 합니다. 그렇게 가속되는 스윙이 아니라, 정속으로 갖다 대는 스윙을 하니, 공빨도 죽는 듯 합니다. 포핸드를 치면서 키 포인트라고 느꼈던 점을 정리해봅시다. 사실 누구나 알고 있는 점입니다. 1. 팔꿈치와 몸은 항상 멀어야 한다. 2. 몸 앞에서 와이퍼 스윙 말고, 밀어주는 스윙 3. 앉았다가 일어나는 힘 4. 끝까지 왼손 뻗었다가 당기는 힘 5. 상체 밸런스 유지. 6. 어깨 밀어넣어줬다가 열어주는 힘 7. 잡아뒀다가 한번에 가속하는 힘 적다보니 지켜야 할 포인트가 너무 많습니다. 최근 포핸드를 치다가 자꾸 상체 밸런스가 깨져서 상반신이 들려서 공을

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테니스 레슨_아프면 쉬자, 안녕 그래비티 (1/4)

물론 제가 스트렁 웨이트 350g의 투어급 라켓을 쓰고 있던 것은 맞습니다. 사실 부상은 라켓의 무게와는 상관 없다고 생각했습니다. 줄곧 자세의 영향이라고 믿어왔습니다. 그런데 이번에 회전근개쪽에 문제가 생겼고, 그래비티 라켓을 사용하는 마지막 레슨 영상입니다. 확실히 라켓 무게가 있으면, 공을 쭉 밀고나가는 느낌이 참 좋습니다. 안그래도 그래비티의 넓은 스위트 스폿과, 무게에서 오는 보정치까지, 어느정도의 실수를 용인해주는 라켓.. 그 맛에 무게를 올리다보니, 제 근력에는 맞지 않는 라켓이 되어버렸고, 그 무게를 감당하기 위해서 포핸드 폼이 WTA처럼 바뀌었던 걸지도 모르겠습니다. 세컨서브는 정말 감이 안잡힙니다. 애초에 계속 슬라이스 성으로 맞는데다가, 공에 직진성을 어떻게 부여하는지 모르겠습니다. 아직 계속 연습 중이고 공부 중이라 감이 잡히는데로 적어보겠습니다. 마지막일 줄 알았던건지 이상하게 볼머신 연습도 영상으로 남겼습니다. 그래도 점차 래깅이 익숙해지고 있습니다. 그나마

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테니스 레슨_포핸드 완성하기, 페더러와 비교 (1/18)

천천히 포핸드를 개선해 봅시다. 요즘은 날씨가 추워서 레슨이라도 받지 않았다가는 앞으로 3개월은 라켓을 잡을 일이 없을 것 같아요. 오늘의 레슨은 포핸드 영상의 사이드 뷰를 찍어서 페더러 선수와 비교를 해보려 합니다. 조금 배속을 느리게 하긴 했지만, gif 파일 특성상 프레임 수가 떨어져서 자세와 임팩트가 잘 보이지 않네요. 오늘 비교 분석을 통해서 이스턴 그립을 잡을지, 세미 웨스턴 그립을 잡을지 확실하게 정해야겠습니다. 저번 포핸드 레슨에 이어서 조금 더 밀어치는 스윙을 연습했습니다. 손목에 힘을 점차 더 풀어서 래깅이 편안하게 이루어지도록 노력 중이고, 그 부작용인 히팅 타이밍은 뭐 점차 개선되겠지요. 준비 간계야 뭐 얼추 비슷합니다. 모두 포핸드 그립을 잡고 준비를 하는데 저는 라켓을 눕힌 상태에서, 페더러는 세운 상태에서 준비를 하고 있네요. 사실 정석적인 자세는 포핸드 백핸드에 모두 대응이 가능한 페더러 쪽입니다. 저는 팔을 왜 저렇게 들까요? 포핸드를 칠 때 팔꿈치가

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이탈리아 피렌체 여행 일정 Day 12 - 이딸로(Italo) / 산타 마리아 노벨라 성당 / 구찌 본점 / 명품거리 / 베키오 다리 / 피티 궁 / 오스테리아 파스텔라

토리노에서 환상적인 기억을 마무리하고, 오늘은 그림 같은 풍경으로 가득 찬 피렌체로 이동한다. 피렌체 하면 떠오르는 것은 상징적인 붉은 지붕들과 갖가지 명품 브랜드들의 시작점. 토리노에서 피렌체 Turin to Florence Previous image Next image 아침 일찍 숙소에서 나섰다. 사실 ATP Final을 빼면 토리노에 용건은 없었다. 날씨가 아주 화창하게 개어서 많은 사람들이 밖으로 나왔다. Previous image Next image 곧장 걸어서 Porta Nuova 역으로 향했다. 이곳에서 이딸로(Italo)를 타고 피렌체로 이동해야 한다. 2층으로 올라가면 자유롭게 쉴 공간이 있고, 경찰들이 많기 때문에 치안 걱정도 없다. Previous image Next image 시간이 조금 남아서 아침으로 머핀과 마키아토. 부스러기가 떨어지면 비둘기들이 잽싸게 물어간다. Previous image Next image 이탈로(Italo)는 이탈리아의 국적 철도 트렌

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이탈리아 피렌체 여행 일정 Day 13 - 우피치 미술관 / 미켈란젤로 광장 / 산타 크로체 성당 / 피렌체 대성당(두오모 성당) / 조토의 종탑

어제는 사실 이동 시간 때문에 피렌체를 제대로 즐기지 못했는데, 오늘은 온전한 하루를 피렌체에서 보낸다. 어제와 다르게 날씨도 확 개어서 아름다운 피렌체 풍경을 눈에 담으러 최대한 높은 곳 위주로 다닐 예정이다. 우피치 미술관 Galleria degli Uffizi Previous image Next image 우피치 미술관. 피렌체를 지배한 메디치 가문의 마지막 상속녀가 막대한 예술품을 기부한 곳이다. 게다가 이곳에 소장된 미술품들은 기부할 당시 조항으로 인해 외부 전시가 금지되어, 오로지 피렌체에서만 볼 수 있다. 결과적으로 피렌체의 부흥을 위한 그 조항은 매우 성공했다. 대기 줄도 매우 길어. Previous image Next image 우피치 미술관은 본디 르네상스 걸작의 보고로, 르네상스 미술의 키워드를 갖고 관람하면 좋다. 1. 원근감 2. 명암 대조 3. 유화 얼추 시간 순서대로 배치되어 있으니, 르네상스의 시작을 알린 조토의 그림부터 어떻게 변화했는지 알아보는 게 하

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이탈리아 피렌체 여행 일정 Day 13 - 우피치 미술관 봐야할 작품 10선

우피치 미술관은 피렌체에 있는 미술관으로, 르네상스 화풍의 창고 그 자체인 곳이다. 그래서 우피치 미술관을 관람할 때는 꼭 르네상스 시대에 대한 이해가 우선되어야 한다. 르네상스 시대가 도래한 계기는 의외로 십자군 전쟁과 흑사병이었다. 유럽 대륙에 두 번에 걸쳐 피바람이 불면서 사람들은 신에게 기도를 했다. "부디 내 사랑하는 이들을 데려가지 말아주세요." 그런데 신은 가혹했다. 주변의 사랑하는 사람들은 하나 둘 쓰러져 갔고, 사람들은 본질적으로 신의 존재를 의심하기 시작했다. 그러자 인간은 세상을 인간 중심으로 보기 시작했다. 마치 고대 그리스 시대처럼. 그래서 다시 태어났다는 의미의 "르네상스"를 붙이게 되었다. 신이 아닌 인간을 주체로 세상을 바라보니, 우리 주변의 3차원 세상에 집중하게 되었고, 명암 기법과 원근법이 등장하게 되었다. 게다가 서양 미술의 근간인 유화가 탄생하니, 정말 미술 세계의 재탄생, 르네상스가 아닐 수 없다. 결국 우리가 우피치 미술관에서 집중할 것은 네

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이탈리아 로마 여행 일정 Day 14 - 이딸로 / 떼르미니 역 / 로마패스 72h / 버스 티켓(Tabacci) / 나보나 광장 / 폰테&파리오네 파스타

피렌체에서 로마... 미리 알아보지 않은 자의 최후는 하나로 귀결된다. 고생길이다. 뭐 어때. 그것 또한 여행의 묘미니까, 나는 바꿀 생각 없어. 숙소에서 아침식사 + 맥도날드 Breakfast + Mcdonald Previous image Next image 어제 오리엔탈 마트에서 중국 아주머님께서 추천해 주신 인스턴트. 음... 마라 만둣국 느낌이다. 아들이 귀엽게 생겼다고 중국어로 칭찬해 줬더니, 신나서 골라주시던데 정말 맛있었다. 기무성엽 또 준비 늦게 해서 아침 준비랑 설거지 내가 또 다했다. Previous image Next image 아침을 간단하게 먹고 바로 체크아웃하는 바람에 열차 시간까지 남은 시간을 때우러 맥도날드로 향했다. 입이 심심하니까 치즈 버거 세트에 콜라만 라떼로 바꿨는데, 진짜 이탈리아는 삼시 세끼 커피 마셔야 한다. 왜 이렇게 맛있어..? 피렌체 - 로마 이딸로(Italo) Florence to Rome Previous image Next image

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이탈리아 로마 여행 일정 Day 15 - 판테온 / 산티냐시오 성당 / 트레비 분수 / 라 셀라 / 산타 마리아 마조레 대성전 / 보르게제 미술관 / 시로야 라멘

오늘부터 본격적인 로마 여행에 나선다. 로마의 첫날은 추적추적 비가 내렸다. 물론 로마에 5일을 체류할 예정이지만, 벌써 마지막 도시에 왔다는 사실이 믿기지 않는다. 여행은 순간순간을 돌이켜 보면 힘든 시간이었지만, 크게 돌아보면 좋은 기억뿐이라는 게 참 신기한 것 같다. 판테온 Pantheon Previous image Next image 그리스, 로마의 만신전(萬神殿)으로 기원전 로마의 모든 신들을 모시는 신전이다. 현존하는 가장 오래된 돔 형태 건축물이고, 규모 또한 미국 국회의사당보다 크다. 기원전 로마의 건축물이 대부분 터로 남아있음에도 판테온은 굳건히 그 모습을 온전히 간직하고 있음에 그 의의가 있다. Previous image Next image 원래 판테온에서는 기존 주민들의 신뿐만 아니라, 피정복민들의 신까지 모셔두었다고 한다. 고대 로마 시절에는 종교와 정치가 분리되지 않았기에 자연스럽게 피정복민들을 흡수하기 위함이었다. 하지만 기독교가 강력한 힘을 얻게 된 7세기

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12주 웨이트 트레이닝 프로젝트 - 1주차 결산

1주차도 순식간에 지나갔다. 2월 14일 월요일에 첫 등록을 하고, 일주일간 정해진 계획에 맞춰 운동을 진행했다. 항상 첫 걸음은 경쾌한 법이다. 자만하지 말고, 흐름을 꾸준히 유지하는 것이야말로 내가 프로가 되었음을 입증하는 길이다. 체중 63.8kg → 63.8kg 골격근량 31.4kg → 31.8kg (+0.4kg) 체지방률 13.0% → 12.0% (-1.0%) 2/15 (화) 전신운동 Previous image Next image 모든 것이 낯설기만 했던 첫날. 헬스장에 있던 운동기구들 위치를 파악하고, 어떤 분위기인지 둘러보는데 시간을 썼다. 헬스장에 자주 오시는 것 같았던분들이 조금 무서웠... 그래도 해야 할 일은 해야 하는 법이다. 러닝머신 5km/h * 10분 스트레칭 10분 업라이트로우 15kg * 10회 * 3set 랫풀다운 35kg * 10회 * 3set 벤치프레스 40kg * 10회 * 3set 딥 -20kg * 10회 * 3set 스쿼트 40kg * 10회

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12주 웨이트 트레이닝 프로젝트 - 시작

유럽 여행 이후 급격한 근 손실 & 체중 감소로 인해 테니스 어깨 부상을 맞닥뜨리게 되었습니다. 정형외과도 가보고 물리치료도 받았지만, 근본적인 해결책은 어디까지나 신체 강화였습니다. 기본적으로 속근육 강화와 재활에 중점을 둬서 근력이 아닌 근지구력을 강화하려 합니다. 또한 유산소 운동을 체계적으로 진행하여, 체지방률을 10% ~ 15% 사이로 유지할 계획입니다. 벌크업과 함께 찾아오는 체지방을 막아야죠. Previous image Next image 그래서 조코비치처럼 말라 보여도 속이 탄탄해 보이는 몸을 만들 겁니다. 기록은 일주일에 한 번 블로그를 통해 올리고, 일주일 운동에 대한 피드백과 인바디 검사 결과를 올릴 예정입니다. 스타팅 포인트 시작일 인바디 23년 2월 14일 기준 몸무게 63.8kg 골격근량 31.4kg 체지방률 13% 스포애니 신설동역점 서울특별시 동대문구 천호대로 3 B1 스포애니 신설동점 23.02.14. ~ 23.05.28. 1주~4주 차 전신운동 - 유

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잠실유수지공원 테니스장 - 예약 방법 & 코트 후기

잠실유수지공원 서울특별시 송파구 탄천동로 211 잠실유수지공원 테니스장에 다녀왔습니다. 코트 사이 간격도 넓고, 베이스라인 뒤쪽 공간도 충분하고, 전체적으로 관리가 잘 된 테니스장이었습니다. 다른 코트에 비해 예약이 쉬운 데다가, 이렇게나 깨끗하고 넓은 코트라니. 가지 말아야 할 이유가 없겠죠? 잠실유수지공원 소프트테니스장 코트 후기 Previous image Next image 잠실유수지공원 테니스장은 총 2개의 코트로 구성되어 있습니다. 따로 코트 번호가 있지는 않고, 먼저 온 팀이 원하는 코트를 사용하는 방식입니다. 두 코트 사이도 충분히 떨어져 있고, 베이스라인과 펜스 사이의 간격도 충분해서 여유롭게 테니스를 즐길 수 있습니다. 대신 '소프트테니스장'이기 때문에 네트 높이에 약간의 차이가 있다는 점. 알고 계시죠? 인조잔디가 꽤나 새것 같았고, 여타 인조잔디 코트와 다르게 모래가 적었습니다. 그래서 사진이나 영상을 찍을 때, 초록색 배경이 더 잘 살아서 예쁘게 나옵니다. 응봉

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윌슨 신형 프로스태프 97 v14 290g (Prostaff V14) 시타 및 리뷰

가장 프로스태프 다운 프로스태프 레전드 라켓의 새로운 시작 가장 프로스태프 다운 프로스태프 라는 엄청난 슬로건으로 등장한 프로스태프 v14 페더러가 떠난 이후 RF 시리즈는 자취를 감췄고, 대중을 위한 100빵 X시리즈가 등장했습니다. 이번 프로스태프 v14의 성공은 이전작과 크게 달라진 구리 도색 디자인과, 100빵 라켓으로 사용자의 유입을 늘리는 것, 두가지에 달렸다고 생각합니다. 오늘 리뷰할 라켓은 세간을 뜨겁게 달궜던 페더러 은퇴 이후 대중에게 공개된 첫 번째 명품 라켓, 프로스태프 V14입니다. 프로스태프 V14 스펙 Source: ATP tour 윌슨에서 출시되는 테니스 라켓 중에서 유수의 탑 플레이어들이 사용한 전설적인 라켓으로, 극강의 컨트롤형 라켓으로 분류되고 있습니다. 현재 출시되는 라켓 중에서 가장 헤드라이트에 가까운 밸런스를 갖고 있고, 스윙이 매우 빠르지만, 공빨은 기가막히게 탄탄합니다. Source: Wilson 앞서 설명했듯이 이번 프로스태프 v14는 4가

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[서유럽] 로마 여행 일정 Day 16 - 라고 디 토레 아르헨티나 / 콜로세움 / 콘스탄티누스 개선문 / 티투스 개선문 / 포로 로마노 / 팔라티노 언덕 / 베네치아 광장

어제와 다르게 날씨 요정이 다시 강림했다. 구름 한 점 없는 맑은 날씨가 찾아왔다. 이런 맑은 날씨 속에서 로마의 곳곳을 탐험하는 것은 정말 아름다운 일이다. 라고 디 토레 아르헨티나 Largo di torre Argentina Previous image Next image 카이사르가 죽은 유적지인데, 유기묘들의 안식처로 쓰이고 있다고 한다. 그런데 내가 유적지에 방문했을 때는 고양이의 흔적조차 찾을 수 없었다.... 콜로세움 Colosseo Previous image Next image 사진으로 봤을 때는 무너져가는 저 건물이 왜 7대 불가사의로 불리는지, 이해할 수 없었다. 하지만 콜로세움의 실물을 실제로 보고 나면 왜 이 건축물이 불가사의로 불리는지 이해할 수 있다. 3층 구조의 원형 경기장으로, 많은 곳들이 파손되어 있음에도 그 웅장함이 와닿는다. Previous image Next image 내부에는 비성수기임에도 불구하고, 전 세계 사람들이 다 모여있는 것 같았다. 외국인

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서울시립대 웰니스센터 실내테니스장 후기 & 예약방법

테니스 치기에 정말 좋은 날이 다가왔습니다. 이상기후라고는 하지만, 미세먼지 빼고는 완벽한 온도. 그런 날씨가 또 내게 다가와준 기념으로 서울시립대 웰니스센터 실내 테니스코트에 다녀왔습니다. 오랜만에 코트 나와서 테니스 치니까 정말 모든 스트레스가 다 날아가는거 아시죠? 그리고 게임 시작하면 다시 스트레스 돌아오는... 오랜만에 성엽이랑 영상을 찍었는데 남는게 없어요. 서울시립대학교 웰니스센터 테니스장 후기 Previous image Next image 지도 어플에 '웰니스센터'를 검색하면 됩니다. 대중교통을 이용하면 1호선 회기역이나, 시립대학교 입구 버스정거장에 내리면 됩니다. Previous image Next image 코트는 A,B,C 3면으로 구성되어 있습니다. 탈의실, 화장실도 깨끗하게 구비되어 있어서 여러모로 최고의 테니스장이라고 생각합니다. 특히 실내 테니스장은 소리가 울려서 타구음이 아주아주 시원합니다. Previous image Next image 대기 장소나 벤

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서울시립대 웰니스센터 테니스장 후기 & 예약 방법 & 주차

한번 웰니스 센터로 테니스를 치러간 이후, 자주 못치게 되더라도 꼭 웰니스로 가게 돼요. 좋은 시설과 합리적인 가격에, 예약은 점점 어려워지고 있지만 말이죠 ㅎㅎ 오늘은 웰니스센터 테니스장 후기와 예약 방법, 그리고 주차에 대해 알아볼게요. 웰니스센터 테니스장 후기 서울시립대학교 테니스를 칠 때면 시립대학교 학생이 되고싶어요. 시립대학교 학우분들은 매주 월요일에, 일반 예약은 매주 화요일에 진행되어서, 교내 구성원들에게 우선권을 제공하기 때문이에요. 오늘은 동아리에서 가까운 분들을 모셨어요. 처음 테니스를 배울 때를 생각하면, 정말 실력이 많이 늘었죠? Previous image Next image 언제 가도 항상 좋은 시설을 보유한 웰니스에요. 평일 주중에 가면 시간당 24,000원. 최근에 생긴 용마 랠리 테니스장에 비하면 너무 합리적인 가격이죠? Previous image Next image 대기 공간도 여유로워서 일찍 도착하신 분들은 여기서 몸을 풀고 계세요. 그리고 테니스장

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1. 전하(Q), 전류(I), 전기장(E), 전압(V), 에너지(U)의 관계

등고자비(登高自卑) 높은 곳을 가려면, 낮은 곳부터 시작한다. 반도체에 대해 이해하기 위해서는, 기본부터 천천히 알아가야 합니다. 몇개의 포스팅을 걸쳐 마무리 될지는 모르겠지만, 빈 내용 없이 차근차근 정리해보려고 합니다. 반도체의 물리적인 특성인 반도체 소자, 그리고 반도체를 제조하는 과정인 반도체 공정, 두 가지 관점을 차례대로 연재할 계획입니다. 전하(Q) Charge 전하(Charge)란 어떤 물질이 가지고 있는 전기의 양입니다. 조금 특별한 점은 극성이라는 것이 존재해서. 같은 극끼리는 밀어내고, 다른 극끼리는 끌어당긴다는 것이죠. 그런데, 앞서 전하는 전기의 양이라고 했습니다. 그럼 전하라는 개념은 크기의 개념이죠. 여기서 알 수 있는 하나의 포인트는, 전하는 이동할 수 없다는 것입니다. 애초에 이동하는 것이 아니죠. 양의 개념이니까. 그래서 전하를 운반하는 물질인 캐리어(Carrier)가 있는 것입니다. 대표적인 예시로 전자(Electron)과 양공(Hole)이 있죠.

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2. 반도체(Semiconductor), 에너지 밴드갭(Energy bandgap), 물질의 분류

다음으로 알아볼 내용은 반도체(Semiconductor)와 에너지 밴드갭입니다. 어떤 것을 설명할 때, 정의를 내리는 것이 생각보다 상당히 어려운데, 반도체도 마찬가지인 것 같습니다. 어떤 관점으로 보느냐에 따라서 정의할 수 있는 방향이 다르거든요! 그래서 에너지 밴드갭이 매우 중요합니다. 거기서부터 다양한 정의을 파생할 수 있습니다. Band와 Bandgap 실리콘(Si) 원자는 전자가 14개입니다. 고등학교 때 배운 오비탈 구조를 그려볼까요? 실리콘 원자가 하나만 있다면 위에 있는 그림과 같이 3s와 3p가 구분되어 전자가 채워질 것입니다. 하지만 실리콘은 원자 하나로 존재하는 것이 아니라, 격자 단위로 존재하고 있습니다. 그래서 오비탈이 겹치게되고, sp3오비탈이 만들어집니다. 3s와 3p의 에너지 준위는 다르지만, 3sp3 혼성 오비탈은 하나의 에너지 준위를 갖습니다. 그래프에서 오른쪽으로 갈 수록, 실리콘(Si)원자가 멀리 떨어져 있는 상황이고, 그래프에서 왼쪽으로 갈 수록

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3. 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)와 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor), 그리고 도핑(Doping)

사실 실리콘(Si) 반도체를 제조한 그대로 사용할 수는 없습니다. 온도에 따른 저항의 변화로 센서처럼 사용할 수는 있지만, 환경이 극히 제한적이기 때문입니다. 그렇기 떄문에 우리는 도핑(Doping)이라는 공정을 거쳐서, 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor)를 만들게 됩니다. 그래서 전자가 어떨 때는 쉽게 자유전자가 되고, 어떨 때는 어렵게 자유전자가 되어서, 상황에 맞게 반도체를 사용할 수 있습니다. 진성 반도체 Intrinsic semiconductor 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)란 캐리어의 농도가 Intrinsic 캐리어 농도와 동일한 반도체를 뜻합니다. 즉, 절대영도(0K)에서는 어떤 전자도 전도대로 올라가지 못해서 완전 부도체로 거동하다가, 온도가 올라갈 수록 전자가 에너지를 받아서 자유전자가 됩니다. 그래서 위 그래프와 같이 온도가 증가할 수록 진성 캐리어 농도도 증가하게 되는 것입니다. 한마디로 완전히 온도에 따라서 전도

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4. 페르미 함수(Fermi function)와 에너지 준위 밀도(Density of state), 그리고 캐리어 분포(Carrier distribution)

저번 포스팅의 내용을 빠르게 복습해 봅시다. 페르미 레벨(Fermi level)은 전자 존재 확률이 50%. 그래서 진성 반도체에서는 페르미 레벨이 밴드갭 중간에 있습니다. 반면 외인성 반도체에서는 페르미 레벨이 도핑에 따라 달라지죠? n-type은 Conduction band에, p-type은 Valence band에 가깝습니다. 페르미 함수, 페르미 분포 Fermi function, Fermi distribution 페르미 함수(Fermi function)란 전자가 어떠한 에너지 준위 E에 존재할 확률입니다. 수식에 존재하는 EF 는 앞서 살펴본 페르미 레벨입니다. 페르미 함수 또한 온도에 대한 함수입니다. 절대 영도(0K)의 경우, 어떤 전자도 전도대로 올라가지 못하기 때문에, 페르미 레벨이 계단 모양(Step function)이 됩니다. 반면 온도가 올라가면서, 몇몇 전자가 밴드갭을 극복하고 전도대로 올라간 것을 확인할 수 있습니다. 도핑을 하면 캐리어를 농도를 조절할 수 있

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5. 캐리어 생성과 재결합(Recombination / Generation)

저번 포스팅까지 캐리어가 어디에 얼만큼 있을지에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 캐리어가 어떻게 생성되고 어떻게 소멸하는지, 그 과정에 대해 알아보겠습니다. 캐리어 생성(Generation)은 에너지를 받아 캐리어가 생기는 과정이고, 캐리어 재결합(Recombination)은 에너지를 방출하면서 캐리어가 소멸하는 현상입니다. Band to Band Generation 가장 기초적인 캐리어 생성입니다. 밴드갭 이상의 에너지를 받아서, 전자가 Conduction band로 천이되어 전자 - 정공 쌍이 만들어지게 됩니다. Direct bandgap인 경우 빛에너지만, Indirect bandgap인 경우 열에너지까지 받아야 천이가 가능한 경우입니다. Direct / Indirect bandgap은 아래 링크를 통해 학습할 수 있습니다. 반도체 재료 16장(Direct & Indirect bandgap) 저번 포스팅에 이어 반도체의 주요 특성 중 하나인 Direct bandgap과 I

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6. 캐리어 이동(Drift)와 이동도(Mobility), 이동도에 영향을 미치는 변수들

처음 실리콘(Si) Bulk를 만들고, 아무런 외력이 가해지지 않았다고 했을 때, 실리콘은 Steady state에 놓여있게 됩니다. 사실 전자는 열에 의해서 계속 이동하고 있지만, 외력이 존재하지 않기 떄문에 (a) 그림처럼 제자리로 돌아오게 되는 것이지요. 거시적인 관점에서 전자의 이동이 없기 때문에, Net current도 0이 되는 것입니다. 반면 전기장(E)이 가해졌을 때는 어떤가요? 제자리로 돌아오던 전자가 (b) 그림처럼 전기장의 방향에 맞춰 이동하게 됩니다. 따라서 Net current가 발생하게 되는 것입니다. 이처럼 전기장이 가해졌을 떄, 전자가 이동해서 Net current가 발생하는 것을 캐리어의 이동(Drift)이라고 합니다. 열평형 상태 Generation = Recombination 열평형 상태란 열에너지에 의해 전자 - 정공 쌍이 형성된 이후 일정한 양이 유지되는 상태입니다. 사실 어디선가 계속 생성은 될 것이고, 어디선가 계속 재결합은 하고 있지만, 그

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7. 캐리어의 확산(Diffusion), 그리고 비저항(Resistivity)

앞선 포스팅에서 캐리어가 움직이는 첫번째 메커니즘, 캐리어 이동(Drift)을 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 두번째 메커니즘, 캐리어 확산(Diffusion)에 대해 알아보겠습니다. 캐리어 확산 Diffusion 확산(Diffusion)이란 무엇인가요? 중고등학교 과학 시간에 확산이란, 농도가 짙은 곳에서 옅은 곳으로 물질이 이동하는 현상이라고 배웠습니다. 캐리어도 똑같습니다. 캐리어 농도가 짙은 곳에서, 옅은 곳으로 이동합니다. 그것이 바로 캐리어 확산(Diffusion)입니다. 확산이 만들어내는 힘은, 그 농도의 차이, 즉 기울기와 비례합니다. 같은 거리만큼 떨어져 있는 공간에 존재하는 물질의 차이가 10인 곳과 100인 곳은, 10배 만큼 확산의 힘이 빠른 것입니다. 그리고 기울기의 부호와는 반대 방향으로 힘이 전달되기 때문에 (-)를 붙혀줘야 합니다. 이것이 바로 확산법칙, Fick's first law입니다. 그런데 캐리어에는 부호가 있죠? 정공은 (+), 전자는 (-)입

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서울시립대 실외 테니스장 후기 & 예약 방법 & 가는 법

매번 웰니스센터 실내테니스장을 이용했는데, 날씨가 좋아져서 그런지 예약이 너무 힘들었습니다. 하지만 이번 기회에 실외 테니스장에 방문했어요. 일반 회원으로 예약 가능한 시간대가 늘어났거든요. 서울시립대 실외 테니스장 후기 A 코트, C 코트 서울시립대학교 실외 테니스장은 A, B, C 코트로 구분되어 있습니다. 웰니스 센터랑은 거리가 멀어서, 미리 지도 확인하시고 가는 걸 추천드립니다. 완전히 반대편이라 시립대학교 후문으로 가셔야 합니다. 먼저 A 코트와 B 코트입니다. 반포종합운동장 테니스장과 매우 흡사합니다. 주변으로 지나다니시는 분들이 많아서, 실력을 뽐내고 싶으신 분들은 이곳으로 잡으세요.^^ 인조잔디 코트의 모래 양도 적당하고, 공도 적당히 잘 튀어 오르는데, 요즘 햇빛이 너무 강해서, 낮 시간대는 피해야 할 것 같아요. 다음으로 C 코트입니다. 이곳은 코트가 따로 독립되어 있어서, 프라이빗 한 느낌을 줘서 좋았던 것 같아요. 코트 바닥 느낌은 잠실 유수지 테니스장과 매우

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[성신여대 맛집] 서울방콕, 푸팟퐁커리 태국요리 맛집

고려대 이공 캠퍼스 근처에는 맛있는 태국 요리 집이 없어요. 게다가 그렇게까지 인테리어에 신경 쓴 가게가 없었는데, 성신여대에 맛과 인테리어를 모두 잡은, 정말 맛있는 태국 요리 가게가 있었어요. 최근에 오픈한 성신여대 맛집 서울 방콕, 사장님께서 10년 이상 태국 요리를 해오셨대요. Previous image Next image 성신여대 맛집, 서울방콕 성신여대 정문에서 도보 1분 거리에 있는데, 외관부터 정말 신경 쓰신 게 느껴지더라고요. 대학교에서 인접성도 좋아서, 조금만 더 있으면 또 웨이팅 해야 할 것 같은 느낌.. 더 유명해지기 전에 후딱 다녀와야겠죠? 안암에서도 성북04 버스를 타면, 10분이면 도착할 수 있으니까 수업 끝나고 가봐요. 진짜 가게도 예쁘고 맛있어요... 성신여대 맛집, 서울방콕 내부 인테리어는 더 좋았어요. 전체적으로 우드톤으로 인테리어를 해두셨고, 백열등 조명이랑 더 잘 어울렸던 것 같아요. 그리고 자리마다 생화를 꽂아두셨는데, 정말 가게에 신경 쓰고

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8. 수동 소자(Passive device) - 저항기(Resistor), 축전기(Capacitor), 유도기(Inductor)

드디어 반도체 기초 이론을 지나 반도체 소자 파트로 넘어왔습니다. 수동소자(Passive device)란 공급된 전력을 소비/축적/방출하는 소자입니다. 즉, 우리가 흔히 들어본 트랜지스터나 MOSFET처럼 신호를 증폭하거나 정류하는 기능은 없습니다. 저항기 Resistor 가장 먼저 저항기(Resistor)에 대해 알아봅시다. 저항은 옴의 법칙을 충실하게 수행하면서, 말 그대로 전류의 흐름을 방해합니다. 전력을 잡아먹으면서 말이죠. 저항은 위와 같이 구불구불한 기호로 표현합니다. 좌측은 직렬 연결, 우측은 병렬 연결입니다 그리고 회로에 연결된 전체 저항은 위와 같은 수식으로 표현이 가능합니다. 직렬로 연결되었을 때는 각각의 저항이 전력을 빼앗기 때문에 전체 저항이 커지고, 병렬로 연결되었을 때는 전기가 저항이 작은 쪽으로 빠져나갈 수 있기 때문에 전체 적항이 작아집니다. 반도체 소자는 매우 얇고 작습니다. 그래서 저항을 구현하기 위해 평면도에서 배선의 너비(Width)를 조절합니다.

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포핸드 백핸드 짧은 공 어프로치, 테니스 레슨 (5/17)

오랜만에 레슨 영상으로 찾아뵙습니다. 최근 테니스 게임 영상에만 집중하다보니, 레슨 영상에 조금 소홀해졌네요. 며칠 전 재미난 레슨을 했습니다. 짧은 공을 8개정도 피딩해주시고, 상황에 따라 어프로치해서 낮고 빠른 공을 구사하는 것. 나아가 뒤로 후퇴해야 하는 짧은 공도 진행했습니다. 집중력도 집중력이지만, 스윙스피드 개선에도 많은 도움이 되는 것 같습니다. 포핸드 어프로치 짧은 공입니다. 사이드 스텝으로 빠르게 공으로 이동해서, 공을 잡아채는 스윙을 해야 합니다. 백핸드 어프로치 짧은 공입니다. 마찬가지로 사이드 스텝으로 빠르게 이동하고, 공을 잡아채는 스윙을 해야합니다. 오픈보다는 클로즈 스탠스가 훨씬 편합니다. 그리고 그 반발력으로 왼발이 나갔다가, 다시 돌아오면 됩니다. 포핸드 후퇴 짧은 공입니다. 뒤로 사이드 스텝을 하면서 힘을 모았다가, 반대로 통 튕겨져 나가는 힘을 사용합니다. 너무 올려치기만 하면, 앞에 있는 전위한테 두드려 맞으니까, 어느정도 밀어주는 힘도 써야합니다

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[에세이] 류시화 시인의 '좋은지 나쁜지 누가 아는가'

최근 인생에 큰 변곡점이 찾아온 듯합니다. 사실 돌이켜보면 지금까지 제 인생은 '실패'와는 거리가 먼 인생이었습니다. 어느 정도 부유하고 화목한 가정 밑에서, 좋은 교육을 받고 자라왔으며, 넓은 스펙트럼의 활동들, 적당히 많은 해외 경험까지. 그런데 대학 생활이 저무는 마지막 학기에, 당연히 될 거라고 생각했던 회사에 떨어지면서 이런저런 생각이 들 때 즈음 이 책을 만나게 됐습니다. 짧은 스토리들 사이에 있는 좋은글귀가 방황하고 흔들리던 마음을 가라앉혔습니다. Previous image Next image 류시화 시인 에세이, <좋은지 나쁜지 누가 아는가> 책을 읽고 많은 것을 다시 생각하게 되었습니다. 이제 와서 달라질 수 있는 결과도 아니기에 그 일을 마음속 짐으로 둘 것도 아니며, 살아간다는 것은 그 자체로 아픈 것이기에 그 아픔을 맞이하는 것 또한 살아간다는 것이며, 눈앞의 상황이 좋을지 나쁠지는 모르는 것이기에 그저 내 눈앞의 현실에 충실하면 그뿐이라는 것. 간단한 원리였지

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[관절염 책 추천] 오창훈 한의사님의 '기적의3·3요법'

어떤 관절염도 완치할 수 있는 기적의 3·3요법 저자 오창훈,박영석 출판 쌤앤파커스 발매 2023.03.31. 요즘 테니스를 너무 자주 치다 보니, 어깨랑 무릎관절염이 남아나지 않는 것 같아요. 사실 염증이 한번 생기게 되면, 약을 먹어도 본질적인 치료가 되지 않아서, 본질적인 치료법을 찾고자 했어요. 아무래도 신빙성 있는 분의 치료법을 봐야 뭔가 안심이 될 것 같아서, 에이비 한의원 원장 오창훈 한의사님의 책을 추천받아서 읽어보게 되었어요. 책 소개 기적의 3·3요법 책은 표지부터 엄청 직관적으로 생겨서 신뢰가 가는 비주얼이었어요. 이렇게 하면 나을 수 있다고, 강력하게 어필하는 느낌이었어요. 앞으로 3개월 동안 제가 불편함을 호소했던 어깨와 무릎관절염에 대한 치료법을 똑같이 따라 해볼 계획이에요. 책의 구성은 이렇게 되어 있어요. 책에 들어가기에 앞서서, 만성염증이나 관절에 대해 자기진단이 가능한 체크리스트를 넣어주셔서 더욱 좋았던 것 같아요. 무릎관절염은 아직 아닌 것 같지만,

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[제주도 테니스장 예약] 성산국민체육센터 테니스장 / 옹포천 테니스장 / 애월체육공원 테니스장

제주도에서도 테니스를 놓칠 수 없는 분들, 제주 바람을 맞으면서 테니스를 치고싶은 분들, 예쁜 테니스장에서 즐기고 싶은 분들, 제주도에는 널리고 널린게 테니스장이고, 모두 정말 아름다운 곳들입니다. 대표적인 곳 몇군데를 소개시켜 드릴테니, 기회가 되시는 분들은 꼭 한번 방문해보세요. 성산국민체육센터 테니스장 성산 코스 앞선 영상에서도 보셨던 곳, 성산국민체육센터 테니스장입니다. 성산일출봉, 우도, 섭지코지 방향으로 코스를 잡으신 관광객 분들은 이곳을 찾아주세요. 코트는 총 3개 면으로 구성되어 있고, 1개의 레슨코트가 있습니다. Previous image Next image 코트 정말 깨끗하고 관리가 잘 되어 있었습니다. 제주도 동호인분들께서 어디서 오셨나고, 호기심을 갖고 물어봐주셨어요. 코트 가격은 한 시간에 4,000원으로 가격이 서울 공공 코트와 비슷하게 형성되어있어요. 옹포천 테니스장 (구) 한림종합운동장 테니스장 Previous image Next image 한림종합운동장

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우도 필름 사진. Color

우도 필름 사진 20230525 정규철. <우도>. Photography Digital C-print. 2023 정규철. <우도봉과 우도>. Photography Digital C-print. 2023 정규철. <산호사>. Photography Digital C-print. 2023 정규철. <보리밭>. Photography Digital C-print. 2023 정규철. <우도의 성산>. Photography Digital C-print. 2023 정규철. <우도봉과 등대>. Photography Digital C-print. 2023 정규철. <우도의 마을>. Photography Digital C-print. 2023 정규철. <제주가 보이는 우도>. Photography Digital C-print. 2023 Filmed by GC. Nikon FM2 Kodak Colorplus 200 Place 우도봉 제주특별자치도 제주시 우도면 연평리 산17 산호해수욕장 제주특별자치도 제

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