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반도체 공정 41장(Different kinds of material deposition)

 반도체 공정 41장(Different kinds of material deposition)

저번 포스팅까지 증착을 진행하면서 고려해야 할 사항들에 대해 학습했습니다. 이번 포스팅에서는 Silicon을 제외한 다른 물질들을 어떻게 증착하는지 알아보겠습니다. 1.

Polycrystalline silicon Substrate로 Single crystal이 사용되지 않거나 속도를 너무 빠르게 하면 epitaxial growth는 이뤄질 수 없습니다. 오직 polysilicon이나 Amorphous Si가 증착됩니다.

Polysilicon이 사용되는 예시는 다음과 같습니다. 제일 흔히 볼 수 있는 예시는 Gate MOS입니다.

Poly-Si는 metal에 비해 녹는점이 높아 안정적인 동작이 가능하며 공정 프로세스 사용의 범위가 넓어지는 장점과, Poly-Si의 농도를 조절하여 Threshold voltage를 조절할 수 있다는 장점이 있습니다. Si를 증착할 때는 앞서 학습한 것과 같이 SiH4를 사용합니다.

질소나 수소 가스는 Carrier 역할을 합니다. (Semiconduct...

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