반도체 미세화는 더 많은 트랜지스터를 동일 면적에 집적하기 위한 끝없는 도전이다. 그러나 광학 리소그래피(Optical Lithography) 의 해상도 한계는 파장의 물리적 제약에 부딪혀 있다.
DUV(193 nm) 공정에서 ArF Immersion, 그리고 EUV(13.5 nm)로까지 진화했지만, 단일 노광(single exposure) 만으로는 이미 수 nm 이하의 패턴을 안정적으로 구현하기 어렵다. 이때 등장한 해결책이 Spacer Lithography이다.
이는 기존 리소그래피에서 형성된 패턴의 측벽(Sidewall)을 활용해 새로운 라인을 만들어내는 Self-Aligned Patterning 기술로, 리소그래피의 해상도 한계를 ‘기하학적 증식(Geometric Multiplication)’ 방식으로 극복한다. 즉, 한 번의 노광으로 생성된 패턴을 기반으로 측벽 막(Spacer) 을 증착하고 이를 식각·복제함으로써 선폭을 절반 이하로 세분화할 수 있다.
Spacer Lith...
