DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 ‘메모리’라는 이름에 걸맞게 정보를 저장하는 가장 기본적인 형태의 반도체다. 그러나 DRAM의 본질을 들여다보면, 이 기억의 기반은 놀라울 만큼 불안정하다.
수십 femto-coulomb(fC) 수준의 미세한 전하(Charge)가 한 셀의 ‘1’ 또는 ‘0’을 결정하고, 이 전하가 단 몇 밀리초만 지나도 누설 전류로 인해 자연히 사라진다. 이렇듯 DRAM은 본질적으로 휘발성(Volatile) 메모리이며, 트랜지스터 하나와 축전기(Capacitor) 하나로 구성된 ‘1T1C 구조’에서 정보가 유지된다.
그런데 어떻게 이런 불안정한 전하 기반 구조가, 수십억 개 셀이 동시에 동작하는 시스템 메모리로 안정적으로 사용될 수 있을까? 그 해답이 바로 Sense Amplifier(센스 앰프) 이다.
이 회로는 전하의 ‘속삭임’을 전압으로 바꾸는 기술적 심장부이자, DRAM이 ‘정보를 잃지 않는 비결’의 중심에 있다. 왜 DRAM은...
