GaN(Gallium Nitride)은 현대 전력반도체와 RF 통신 장비의 핵심 소재로 자리잡고 있으며, 동일한 전력 조건에서 Si 대비 월등히 높은 성능을 제공한다. 특히 Electron Mobility(전자 이동도)가 높다는 점이 GaN 디바이스가 주목받는 핵심 이유이다.
그렇다면 왜 GaN은 높은 전자 이동도를 가지는가? 이 질문에 대한 정확한 이해는 GaN 기반 HEMT(High Electron Mobility Transistor)의 구조와 작동 원리를 이해하는 출발점이 된다.
GaN의 전자이동도 얼마나 높은지 왜그런지 알고계신가요? GaN의 전자 이동도가 높은 근본 원인 Polarization 효과(분극 효과)에 의해 형성되는 2DEG(2-Dimensional Electron Gas) GaN은 Wurtzite(육방정계) 결정 구조를 가지며, 강한 Spontaneous Polarization(고유 분극)과 Piezoelectric Polarization(압전 분극) 특성을 가...
