반도체 칩이 복잡해질수록, 내부 결함을 비파괴적으로 관찰하는 기술의 중요성은 기하급수적으로 커지고 있다. 그중에서도 Photon Emission Microscopy(PEM)은 디바이스에서 발생하는 미약한 광(Photon)을 검출해 결함 위치를 추적하는 고감도 분석 기술로, FA(Failure Analysis)의 초기에 전류 경로 이상과 소자 단락(Short), 누설(Leakage)을 시각화하는 핵심 장비로 자리 잡았다.
불량분석의 핵심 PEM에 대해서 알아봅시다. PEM의 기본 원리: 전류가 빛으로 바뀌는 순간 PEM의 작동 원리는 단순히 말해 소자의 동작 중 방출되는 미세한 광자를 검출하는 것이다.
트랜지스터나 다이오드가 전류를 흘릴 때, PN 접합 부근에서는 Hot Carrier Recombination, Avalanche Breakdown, Tunneling Emission과 같은 현상으로 인해 광자가 발생한다. 이 빛은 보통 가시광~근적외선(0.8~1.3 µm) 영역에 분포하...
