EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피는 13.5 nm 파장의 짧은 빛을 사용하여 기존 DUV(ArF, 193 nm) 대비 훨씬 더 미세한 패턴 형성이 가능한 노광 기술이다. 그러나 EUV는 근본적으로 빛을 만드는 과정 자체가 매우 어렵고, 생산되는 광 플럭스(광량)가 제한적이라는 태생적 제약을 갖는다.
이 때문에 EUV 노광 장비에서 가장 핵심적인 구성 요소 중 하나가 광원-수집(Collector) 단계이며, 그 중심에 있는 요소가 바로 Collector Mirror이다. EUV의 핵심 컬렉터 미러 알아봅니다.
Collector Mirror는 단순히 빛을 반사하는 거울이 아니다. EUV 광원에서 발생하는 플라즈마 방출 빛을 최대한 효율적으로 모아 노광 광학계(최종 Mask, Wafer)에 전달하는 역할을 수행한다.
즉, Collector Mirror의 효율과 상태는 곧 EUV 스캐너 전체의 생산성(Throughput)과 공정 수율을 직접 결정한다. CO₂ 레이저 →...
