반도체 장비에서 RF Bias Power의 역할

플라즈마 식각과 증착 공정은 단순히 가스를 공급하고 반응시키는 것이 아니라, 웨이퍼 표면에 도달하는 이온의 에너지와 방향성을 얼마나 정교하게 제어하느냐가 핵심이다. 이 과정에서 결정적인 역할을 하는 요소가 바로 RF Bias Power이다.

같은 RF 전력이라도 플라즈마 자체를 형성하는 Power(RF Source 또는 ICP Power)와, 웨이퍼 표면에 입사하는 이온의 에너지를 조절하는 Power(RF Bias)는 기능과 물리적 영향이 완전히 다르다. 이 글에서는 RF Bias Power의 물리적 원리, 식각 공정에서의 역할, 공정 창(Process Window) 및 Trade-off, 그리고 최근 장비 구조 변화까지 살펴봅니다.

RF Bias Power 어떤 핵심역할을할까요? 플라즈마 공정에서 RF 전력은 두 가지 역할로 분리된다 플라즈마 반응기에서는 보통 다음 두 개의 RF 전력이 사용된다.

RF Source Power (또는 ICP Power) RF Bias Power (또...