반도체 공정에서 SiGe Epitaxy의 장점

반도체 공정에서 SiGe(Silicon-Germanium) Epitaxy는 고성능 논리 소자와 RF·아날로그 회로에서 핵심적인 역할을 담당하는 확실한 기술 축으로 자리 잡았다. 원래 CMOS는 Si 단일 재료 기반으로 설계·공정이 이어져 왔지만, 채널 이동도 한계, 낮은 드라이브 전류, 단채널 효과(Short Channel Effect) 심화 등의 물리적 한계로 인해 재료 공학적 접근이 필수적으로 요구되었다.

그 결과 핵심 솔루션으로 선택된 것이 바로 SiGe Epitaxial Channel이다. SiGe는 Si 격자에 Ge를 일정 비율로 혼입시킨 합금 구조로, 밴드갭 축소, 격자 상수 증가, 정공 이동도 향상, 응력 엔지니어링(Strain Engineering) 구현이라는 강력한 특성을 제공한다.

이러한 특성은 PMOS 성능을 극대화하고, 차세대 GAA 및 CFET로 이어지는 기술 로드맵의 기반을 형성한다. SiGe Epitaxy, 왜 고성능 CMOS는 Si 대신 SiGe를 선택하...