왜 NAND Flash는 Multi-Level Cell이 가능한가?

NAND Flash 메모리는 저장 셀 내에 전하를 축적해 Threshold Voltage(Vt) 상태를 제어함으로써 데이터를 저장하는 구조를 가진다. 초기 NAND는 1개 셀 당 1비트(SLC) 만 저장할 수 있었지만, Floating-Gate / Charge-Trap 구조의 정밀 제어 기술 발전으로 인해 하나의 셀 내에 여러 개의 전압 상태를 구분하여 복수 비트를 저장하는 Multi-Level Cell(MLC, TLC, QLC, PLC) 으로 확장되었다.

오늘날 스마트폰, SSD, AI/HPC 서버 저장장치가 고용량을 요구하면서, 셀 단가와 저장 효율 측면에서 MLC 이상의 구조는 사실상 NAND 산업의 핵심 경쟁력이 되었다. 그렇다면 NAND Flash는 어떤 이유로 Multi-Level Cell이 가능할까?

NAND Flash는 Multi-Level Cell에 대해서 알아봅니다! NAND Flash 셀이 데이터를 저장하는 방식 NAND Flash는 Floating Gate(또는...