미세 공정이 3nm, 2nm 수준으로 진입하면서 반도체 칩의 전기적 결함(Failure)의 형태는 점점 더 복잡해지고 있다. 과거에는 단순한 오픈(Open) 또는 쇼트(Short) 결함을 식별하고 해결하는 것이 주요 목표였지만, 오늘날의 반도체는 수십억 개의 트랜지스터가 고도로 집적되어 있기 때문에, 문제의 원인을 정확히 식별하는 데 필요한 분석 기술도 한층 정교해졌다.
특히 SoC·AI Accelerator·3D NAND·HBM 등 고집적 제품이 늘어나면서, 회로 내부의 전류 흐름(Current Path)을 실시간으로 관찰하고 정확한 고장 위치(Failure Site)를 pinpoint하는 기술이 필수적인 단계가 되었다. 광을 이용한 FA 기술 알아봅니다.
이러한 요구를 충족시키기 위해 등장한 기술 중 하나가 바로 Photon-Driven Current Mapping, 즉 광(Photon)을 활용한 전류 유도 기반 결함 위치 분석 기술이다. 이는 기존의 전기 신호 기반 Local ...
