왜 Logic 공정은 STI를 사용하는가?

반도체 공정에서 소자의 전기적 특성을 안정적으로 유지하기 위해서는 트랜지스터 간 간섭을 최소화하는 절연 구조가 필수적이다. 특히 고집적이 진행될수록 소자 간 간격은 좁아지고, 채널 길이도 짧아지며, 소자 간 누설 전류나 기생 커패시턴스 문제는 더욱 심각해진다.

이러한 배경에서 STI(Shallow Trench Isolation)은 Logic 소자 공정의 핵심 절연 기술로 자리 잡았다. 단순히 절연을 위한 기술이라는 수준을 넘어, 소자 신뢰성, 변동성 제어, 공정 미세화 대응, 성능 최적화까지 직결되는 구조적 해답이다.

이 글에서는 Logic 공정에서 STI가 사용되는 이유를 기술적·구조적 관점에서 체계적으로 정리한다. LOCOS가 아닌 STI가 선택된 이유 알아봅니다.

STI의 구조적 특징: Trench를 파고 SiO₂를 채우는 절연 방식 STI는 실리콘 표면을 트렌치 형태로 깊게 식각한 뒤, 내부를 SiO₂ 등의 절연막으로 채워 소자를 물리적으로 구분하는 방식이다. 이는 이전 세대...