NAND Flash 메모리는 한정된 면적 안에서 저장 용량을 극대화하기 위해 셀(cell) 간 간격을 극도로 줄이고, 한 셀 안에 여러 레벨의 전하를 저장하는 구조로 진화해왔다. SLC에서 MLC, TLC, QLC로의 발전은 저장 효율을 높였지만, 동시에 셀 간 간섭(Coupling) 과 전하 안정성 문제가 커지며 Program Disturb라는 대표적인 신뢰성 문제가 발생한다.
Program Disturb는 말 그대로 특정 셀을 프로그램할 때, 인접 셀에 의도하지 않은 전하 변화가 발생하여 데이터가 오염되는 현상을 의미한다. Program Disturb는 NAND의 구조적 특성, 동작 방식, 셀 간 전기적 커플링, 공정 스케일 축소 등 복합적인 요인에 의해 발생한다.
특히 3D NAND로의 전환 이후 Vertical Channel 구조가 적용되면서 문제의 형태와 영향도도 변화하고 있다. 본 글에서는 왜 Program Disturb가 발생하는지, 그리고 현대 NAND 설계와 공정에서...
