지금까지 아무런 물질도 도핑하지 않은 순수한 반도체인 진성 반도체(intrinsic semiconductor)에 대해서만 다뤄봤습니다. 그러나 실제로 사용하는 반도체의 98% 이상은 도핑을 한 외인성 반도체(extrinsic semiconductor) 입니다.
외인성 반도체가 더 일반적인 반도체라고 할 수 있는 거죠. 오늘 알아볼 내용은 불순물이 들어간 순수하지 않은 반도체 extrinsic Si와 만들어주는 과정인 도핑(dopping), 그리고 여기서 나오는 개념들 dopant, acceptor, ionization energy, mass-action law 정도입니다.
이미지 출처 : Solid State Electronic Devices 지난 포스팅에서 저희는 intrinsic Si에 대해서 실리콘에 대한 Ei 수식을 유도해 봤습니다. 그리고 EF와 Ei 간의 차이도 수식적으로 유도해 봤죠.
추가적으로 페르미 레벨이 conduction band 쪽에 가까워지면, 즉 위로 올라가...
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acceptor
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외인성반도체
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반도체도핑
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물리전자
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다수캐리어
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ptypesemiconductor
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ntypesemiconductor
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minoritycarrier
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massactionlaw
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majoritycarrier
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ionizationenergy
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doping
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dopant
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donor
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activationenergy
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캐리어농도
원문 링크 : 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor)
