반도체 #2 MOSFET (1959, 강대원)

2. MOSFET (1959, 강대원) 1) 간단한 소개 MOSFET은 1959년 미국 벨 연구소에서 강대원 박사팀이 개발한 트랜지스터로 전세계의 모든 반도체 제품에 수억 개씩 들어있는 필수적이자 기초적인 소자이다.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터의 약자로 금속[3] 및 산화막, 전기장에 의한 효과를 이용한다는 의미에서 붙여진 이름이다. MOSFET은 소스(source), 게이트(gate), 드레인(drain), 바디/기판(body, substrate)으로 구성되고 게이트 전압에 따라서 전류가 흐르는 상태(1)와 전류가 흐르지 않는 상태(0)을 만들 수 있다.

MOSFET은 nMOSFET(N채널 모스펫)과 pMOSFET(P채널 모스펫)으로 구분된다. PMOS보다는 NMOS를 주로 이용하는데 전자의 이동도가 양공에 비해 2배 높아 소자 작동 속도가 높기 때문이다.

MOSFET 2) 구조 [...