로딩
요청 처리 중입니다...

반도체 패키지 와이어 본드(W/B: Wire Bond)공정의 개념과 접합방식의 종류(와이어본딩, TAB, 플립칩), 기술동향

 반도체 패키지 와이어 본드(W/B: Wire Bond)공정의 개념과 접합방식의 종류(와이어본딩, TAB, 플립칩), 기술동향

와이어 본드(W/B: Wire Bond) 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속 와이어(세선)를 이용하여 칩의 전극(패드)와과 리드 프레임을 전기적으로 연결한다. 와이어가 주입되는 가는 바늘 모양을 캐필러리라 하며, 바느질의 바늘처럼 금선을 끼워 고압을 걸어주어 볼 접합 형상을 만들어준다.

금 와이어의 직경은 0.8mil ~ 1.2mil, 순도는 99.99%(4N)을를 주로 사용한다. 0.01%는 사용자가 원하는 특성에 맞게 불순물(베릴륨, 칼슘, 세륨)을 첨가하며, 불순물의 종류 및 첨가량은 물리적 특성을 변화시키는 역할을 한다. 와이어 본딩 방식 볼 본딩과 웨지 본딩 방식이 있다.

볼 본딩은 열, 압력, 초음파 에너지를 이용하여 와이어 끝부분에 용접점을 형성시켜 본딩하고, 웨지 본딩은 웨지 도구가 사용되며 와이어를 일정한 힘으로 기판 위로 누르고 있는 동안 초음파 에너지로 본딩하는 방식이다. TAB 방식(TAB: Tape Automated Bonding) 사진의 필...