반도체 GIDL (Gate-Induced Drain Leakage)이란? Reliability, Aging, Stress

반도체 Reliability modeling을 할 때 중요한 개념으로 NBTI와 GIDL이 있습니다. 그 중 GIDL에 대해 먼저 알아보도록 하겠습니다.

Kpop 그룹 (G-IDLE) 아님 ~ ㅎㅎ...!! MOSFET의 기본 동작은 "MOSFET의 Gate에 Threshold 이상의 양전압을 걸어줘야 전류가 흐른다" 그런데 반도체 사용량이 많아지고 노화가 될 수록, 이와 다른 물리적 현상들이 보이게 됩니다.

GIDL (Gate-Induced Drain Leakage)란? GIDL(Gate Inducted Drain Leakage)은 Gate에 음전압을 걸었을때 생기는 Leakage 성분입니다.

(Threshold voltage보다 낮은 양전압에서도 발생은 하긴 하는데, 음전압에 비해 작음.) Gate에 음전압이 커질수록 전류가 커지는 Leakage Current(누설전류)의 일종입니다.

MOSFET에서 게이트 전압이 낮은 상태, 즉 트랜지스터가 꺼진 상태에서 발생하는 누설 전류 현상...