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열평형 상태의 전자와 정공 농도(Thermal-Equilibrium Electron/Holes Concentration)

 열평형 상태의 전자와 정공 농도(Thermal-Equilibrium Electron/Holes Concentration)

반도체 내에 흐르는 전류 중 드리프트 전류라는 것은 캐리어(전자/정공) 의 속도와 개수의 곱으로 정의된다고 간단히 말한 적이 있습니다. 결국 우리는 전류를 구하기 위해 이것들을 하고 있는 것이죠.

지난 포스팅에서 f(E)의 의미에 대해서 알아보고 페르미 레벨 EF의 의미에 대해 알아보았고, 그 전에 g(E)라는 DOS, 상태 밀도 함수에 대해 배웠습니다. 그리고 이 둘의 곱을 적분하면 캐리어의 농도를 구할 수 있다까지 했어요.

오늘이 이제 이 둘의 곱을 적분해보는 시간입니다. 지난 포스팅의 마지막에 언급했던 볼츠만 근사와 열적 평형 상태라는 개념이 필요하기 때문에 이전의 포스팅을 안 보고 오신 분들은 다시 보고 오시는 걸 추천드립니다.

오늘 배우는 것을 n0, p0 equation 이라고도 부릅니다. 열평형상태의 캐리어 농도 방정식인거죠.

먼저 전자의 농도를 구해볼겁니다. 원래는 conduction band의 시작점부터 끝점까지 적분을 해야하는데 우리는 conduction band ...

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