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삼성전자 HBM 관련 강해령 기자님 기사 다시쓰기 (24.03.23 기사)

 삼성전자 HBM 관련 강해령 기자님 기사 다시쓰기 (24.03.23 기사)

엔비디아 최대 개발자 회의 GTC2024에서 젠슨황이 삼성 부스에서 삼성 12단 5세대 HBM hbm3e에 JENSEN approved라는 사인함. 삼성전자는 2024. 2월에 개발완료한 12단 HBM3E에 사활을 걸고 있음.

칩과 칩 사이에서 접착제 역할을 하는 비전도성접착필름(NCF: Non Conductive Film) 두께를 7마이크로미터로 낮춰서 칩 전체 두께를 720 마이크로미터로 두게 규격을 맞춤. 범프 특성 및 불량을 최소화한 NCF의 성능은 물론 실리콘관통전극(TSV:Through Silicon Via) 기술에도 자신감 비춤. 12단, 16단 등으로 단수가 높아질수록 삼성은 자신들이 선택한 공정이 유리하다는 판단을 하고 있음.

삼성 HBM 일본 공급망 NCF 일본 레조낙(옛 쇼와덴코) 그라이딩 및 다이싱: 일본 디스코 TC본더: 일본 신카와 TC-NCF 공정 vs MR-MUF 공정 TC-NCF 본딩 방식은 HBM용 D램을 결합하기 위한 공법임. 열과 압력이 가해짐. ...