삼성전자는 추격, 하이닉스는 방어… HBM4E 전환기 정리

HBM4에서 HBM4E로의 흐름은 이미 샘플 단계에서 상용화에 이르는 속도로 전환되고 있으며, 주가는 차세대 기대를 먼저 반영하는 양상을 보이고 있다. 삼성전자는 2026년 5월에 HBM4E 12단 샘플 출하를 발표했고 14Gbps의 안정 속도와 최대 16Gbps 성능을 제시한다. 이는 HBM4 양산 전후의 경쟁 구도에서 삼성전자가 추격의 카드를 어떻게 활용하는지에 주목하게 한다.

HBM의 흐름은 단순히 메모리 용량의 증대가 아니라 위의 고성능 D램과 아래의 로직 칩 간의 데이터 정리 구성이 핵심이다. 삼성전자는 두 부분을 자사 기술로 묶어야 한다는 점을 강조하며, HBM4E가 단일 메모리 제품이 아니라 메모리·파운드리·패키징 역량의 종합 시험대임을 드러낸다. 반면 SK하이닉스는 엔비디아와의 다년 파트너십을 바탕으로 실제 양산 안정성·수율·장기 공급 능력을 중시하며 선두 방어전을 펼친다. 샘플 공급에서 인증, 물량 확대, 실제 납품까지의 단계가 매출로 연결되는 구조인 만큼, 양사 간의 차이는 고객사 인증과 납품 물량의 차이로 나타난다.

장비와 소재 분야 역시 HBM4E의 흐름에 맞춰 움직인다. TC 본더, NCF, MUF, TIM, CMP 등 후공정 장비와 슬러리 같은 소재 분야가 중요해지며, 실제 수주와 공급 계약 체결 여부가 테마의 지속성을 좌우한다. 한미반도체가 TC 본더를 포함한 장비 측에서, 한화세미텍과 본딩 장비, NCF, LG화학·Resonac의 적층 접합 소재, 솔브레인 등의 HBM 슬러리와 같은 소재 측에서 각 축의 계약 실적을 확인하는 것이 필요하다. 앞으로 HBM4E 양산 일정과 공급 계약의 구체화가 시장의 주요 관전 포인트로 남을 전망이다.