[반도체소자] (2) One-sided junction, characteristics of reverse and forward bias, applied voltage

1. One-sided junction 만약 p와 n 중 한쪽이 훨씬 더 heavily doped라면 (100배 정도의 doping concentration) SCR에도 영향이 간다. p가 더 doped면 p+n junction, n이 더 doped면 n+p junction이라고 부른다.

앞서 xp = space charge region (or depletion region)의 p 부분이고, xn = SCR의 n 부분이라고 했다. 즉 xp + xn = W이다.

만약 Na >> Nd, 즉 p+n junction이라면 SCR은 어떻게 변할까? xn이 W의 거의 전부를 차지한다는 것을 알 수 있다.

이는 charge density graph로도 볼 수 있다. 어느 쪽이 더 heavily doped이든 관계없이, SCR은 neutral region이다.

즉 xn과 xp에 들어있는 charge의 양이 같아야 한다는 뜻이다. 더 heavily doped = charge density가 크므로,...