반도체 플라즈마 식각 공정인 드라이 에칭(dry etching) 기술은 반도체 디바이스의 미세화• 고집적도를 실현하는 수단으로서 리소그래피(lithography)기술과 쌍벽을 이루는 key 테크놀로지입니다. 이 가운데, 드라이 에칭 기술은 챔버(chamber:처리실) 안에서 일어나는 현상 이기에 복잡하고 이해하기가 쉽지 않습니다.
또, 플라즈마(plasma)를 이용한 물리 화학 반응으로 에칭이 진행되기에 물리, 화학, 전기, 전자의 종합적인 지식이 필요하게 됩니다. 왜 SiO2 에칭에 CF계(CF4, C2F6, C4F8 등) 가 스를 사용하는지, 왜, Poly-Si이나 Al 에칭에 ICP(유도결합형 플라즈마)가 사용되는지...
이러한 것에 관해 충분한 이해나 지식이 없이 현장에 투입되는 경우가 많습니다. 반도체 막 증착•성장 장비와 식각 공정인 드라이 에칭 공정은 장비 구조는 같은데 어떤 가스를 사용 하는가에 따라 그 용도가 달라지게 됩니다.
예를들어, 실리콘 게르마늄인경우의 증착•...
