반도체 8대공정 순서 요약 설명

반도체 8대 공정 순서 웨이퍼 제작 → 산화 → 포토 → 식각 → 이온주입 → 증착 → 금속배선 → 패키징 이 순서로 공정이 진행됩니다. 반도체 8대 공정 요약 ① 웨이퍼 제작 (Wafer Fabrication) 규소(Si) 단결정을 인공적으로 성장시켜 얇게 절단·연마하여 웨이퍼를 만듭니다.

반도체 집적회로(IC)의 기초가 되는 기판. ② 산화 공정 (Oxidation) 웨이퍼 표면에 산화막(SiO₂)을 형성합니다. 절연층, 보호막, 게이트 절연막 등으로 활용. ③ 포토리소그래피 (Photolithography) 웨이퍼 위에 감광액(Photoresist)을 바르고 빛(자외선)을 이용해 회로 패턴을 인쇄.

말 그대로 "회로 도장 찍기" 과정. ④ 식각 공정 (Etching) 불필요한 산화막이나 금속막을 제거해 원하는 패턴만 남깁니다. 습식 식각(Wet)과 건식 식각(Dry, Plasma)이 있음. ⑤ 이온 주입/확산 (Ion Implantation / Diffusion) 특정 영역에 ...