2025년, 차세대 고대역폭 메모리(HBM4) 시대를 맞아 반도체 업계에서는 웨이퍼 두께를 줄이는 '디본딩(Debonding)' 기술 경쟁이 본격화되고 있습니다. HBM4 공정의 초박형 웨이퍼 분리 기술 디본딩 경쟁 구도와 국내‧글로벌 기업의 전략을 짚어봅니다.
차세대 고대역폭메모리(HBM4)는 16단 이상의 D램을 한 층에 적층해 AI 칩 처리량을 비약적으로 끌어올립니다. 문제는 웨이퍼 두께. 30 μm 안팎의 ‘종이 두께’ 실리콘은 휘어짐이 심해 임시 지지체(캐리어 웨이퍼)를 붙였다가 다시 떼어내는 디본딩 공정이 필수입니다.
기존 물리식(휠) 방식은 미세 균열이 잦아 더 얇은 웨이퍼에선 수율이 떨어진다는 한계가 드러났습니다. 1. HBM4의 등장과 얇아지는 웨이퍼 최근 반도체 업계에서 가장 핫한 이슈 중 하나는 바로 ‘HBM4’입니다.
성능을 극대화하려면 같은 면적에 더 많은 칩을 쌓아야 하잖아요? 그러려면 웨이퍼를 더 얇게 만들어야 합니다.
그래서 요즘 반도체 업계는 말 그대로...
