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3월 22일 SK하이닉스: 이석희 SK하이닉스 사장 "낸드플래시 600단 적층 가능할 것"

 3월 22일 SK하이닉스: 이석희 SK하이닉스 사장 "낸드플래시 600단 적층 가능할 것"

"향후 D램 10나노미터(nm) 이하 공정 진입, 낸드플래시 600단 이상 적층도 가능하다." 세계 2위 메모리반도체 업체 SK하이닉스가 D램과 낸드플래시 기술력에 자신감을 드러냈다.

이석희 SK하이닉스 대표이사(CEO).....

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