GaN계 화합물 반도체의 제조 방법과 GaN계 화합물반도체 디바이스(METHOD FOR PRODUCING GaN-BASED COMPOUNDSEMICONDUCTOR AND GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTORDEVICE)

등록특허 10-0453210 - 1 - (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 。Int.

Cl.7 H01S 5/343 (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2004년10월15일 10-0453210 2004년10월06일 (21) 출원번호 10-2000-0076283 (65) 공개번호 10-2001-0062407 (22) 출원일자 2000년12월14일 (43) 공개일자 2001년07월07일 (30) 우선권주장 Hei11-376842 2000-143826 2000-227963 1999년12월20일 2000년05월16일 2000년06월22일 일본(JP) 일본(JP) 일본(JP) (73) 특허권자 나이트라이드 세마이컨덕터스 코포레이션, 리미티드 일본, 770-8053, .....