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PECVD 공정 및 SiOx(oxide), SiNx(nitride) 특징들 간단 정리!

 PECVD 공정 및 SiOx(oxide), SiNx(nitride) 특징들 간단 정리!

1. PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)는 강한 E-field에 의해 높은 에너지를 가지는 전자가 발생.

이러한 전자들이 중성 상태의 gas들과 충돌하고 gas들을 이온화 시킴. 전자의 충돌에 의해 Excitation된 가스 원자들이 CVD 반응에 참여하게 됨.

Excitation된 원자들은 plasma에 의해 이미 높은 에너지를 가지고 있어 activation energy가 낮아지게 되어 저온 공정이 가능하게 됨. 공정 과정을 도식화 한 것은 이 곳 참고 https://blog.naver.com/youngdisplay/220360120932 D군이 알려주는 디스플레이 공정_ PECVD편!

플라즈마 화학 기상 증착법! D군이 알려주는디스플레이 공정_ PECVD편!

플라즈마 화학 기상 증착법! Plasma Enhanced Chemical ... blog.naver.com 2.

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