HBM 현황 (24.2월)

현재 범용 디램대비 6배 가격인 HBM. 28년에는 디램 대비 3배 가격이 될 것이라고 예측됨. (욜그룹) 수율과 수익성이 중요함.

각 회사가 선택한 HBM 공정 하이닉스: MR-MUF(매스리플로-몰디더언더필, Mass Reflow Molded Underfill) 공정. 자체 개발함.

삼성전자, 하이닉스: TC-NCF(열압착-비전도성 접착필름, Thermo Compression Non-Conductive Film ) 공정. 기존 공정을 업그레이드 한 것임.

HBM 점유율 하이닉스: 50% 삼성: 40% 마이크론: 10%, 2025년까지 HBM 점유율을 25%까지 올리겠다고 발표함. 1. 삼성 -5세대 HBM3E 개발 완료: 12단 적층 , 36기가.

-성능과 용량 모두 4세대 HBM(8단, HBM3E) 보다 50% 개선됨. -12단 제품인데 8단 제품과 동일한 높이로 만듦. -어드밴스드 TC-NCF 공정 적용해서임.

칩 두께는 얇은데 HBM 적층수가 증가해 칩이 휘는 문제를 최소화 ...