2026년 SK하이닉스의 주요 이슈를 총정리했습니다. 1d D램 개발, High-NA EUV 도입, M15X 투자, 321단 낸드 전환, 스토리지 넥스트 프로젝트까지. 메모리 초호황기를 앞둔 핵심 전략을 확인해 보세요.
D램, 새로운 도약을 준비하다 1d D램 개발의 험난한 여정 내년에는 차세대 제품인 10나노급 7세대(1d) D램 개발의 윤곽이 드러날 예정입니다. 난도가 정말 높은 칩이라고 합니다.
D램 소자 내 선폭이 10nm 대까지 진입하면서 어려움이 많습니다. 현재 웨이퍼 수율은 10~20% 수준입니다.
개발 완료 목표는 내년 하반기로 잡혀 있습니다. 삼성전자도 같은 어려움을 겪고 있다고 하네요.
High-NA EUV, 미래를 위한 투자 9월 이천 사업장에 High-NA EUV 노광기가 반입됐습니다. 내년 1분기 말부터 본격 가동될 예정입니다.
이 장비는 당장의 1d D램용은 아닙니다. 10nm 이하 시대, 특히 버티컬 게이트(VG) 기술을 위한 준비입니다. 내년에만 1...
원문 링크 : 2026년 SK하이닉스 주요 개발 이슈 총정리