타이틀의 링크를 클릭 하시면 원문 기사 확인이 가능 합니다 2025년 6월 15일(일) 주요 IT 뉴스 "HBM4E `하이브리드 본딩` 상용화 관건은 기술보다 비용" 하이브리드본딩 기존 구조 (TSV 방식): 실리콘 웨이퍼에 미세한 관통전극(Through-Silicon Via, TSV)을 뚫어 메모리 다이들을 수직으로 전기적으로 연결 하이브리드 본딩 구조: TSV 없이, 다이 표면의 금속-금속 접합(Direct Cu-Cu 등)으로 수직 연결 이로 인해 접합 간격을 줄이고, 전기저항과 신호 지연 감소 가능 핵심 내용 하이브리드 본딩: 차세대 HBM에 적합한 고성능 패키징 기술 (속도 ↑, 발열 ↓) 기술적 문제 없음, 높은 비용 구조로 인해 상용화 시점이 지연 HBM4(6세대) 대신 HBM4E(7세대)부터 적용 예상 (2025년 하반기 양산) 기업별 전략 SK하이닉스: 기존 방식으로 16단 이상 양산 가능 → 전환 지연이 유리 삼성전자: 조기 상용화 시 경쟁구도 재편 기회 → 전환 가...