중앙배선층 설계 변경 적은 면적에도 발열 낮춰 D램 생산수율 60% 증가 삼성전자의 12나노급 LPDDR5X D램 [사진 = 삼성전자] 삼성전자가 그동안 발목을 잡았던 ‘D램’ 설계상의 난제를 해결한 것으로 알려졌다. 이로써 삼성전자는 D램의 성능과 수율을 동시에 끌어올릴 수 있게 됐다.
이를 바탕으로 삼성전자가 메모리 반도체 시장에서 다시 주도권을 되찾을 수 있을지 주목된다. 23일 복수의 반도체 업계 관계자들에 따르면 삼성전자는 최근 D램을 구성하는 핵심 요소 가운데 하나인 ‘중앙 배선층’ 설계를 바꾸는 데 성공했다. 중앙 배선층은 D랩 내에서 전력과 클럭·제어 신호를 주변에 위치한 셀 어레이로 고속·균일하게 분배하는 핵심 배선 구조다.
그동안 삼성전자는 이 중앙 배선층의 폭과 면적을 좁히는 데 어려움을 겪고 있었다. D랩에 11나노급 공정이 적용되기 시작하는 등 공정 미세화 경쟁이 치열해지고 있다.
이럴수록 중앙 배선층 역시 배선을 더 촘촘히 깔아서 더 많은 신호가 오갈 수 있...
원문 링크 : D램설계 난제 풀었다…삼성전자, 메모리시장 주도권 되찾을까
