삼성전자·IBM, 기존 핀펫 2배 성능의 새 반도체 설계 'VTFET' 발표

https://www.nocutnews.co.kr/news/5674009 삼성전자·IBM, 기존 핀펫 2배 성능의 새 반도체 설계 'VTFET' 발표 삼성전자와 IBM은 트랜지스터를 수직으로 쌓아 기존 핀펫(finFET) 공정 반도체 대비 2배의 성능을 구현할 수 있는 신규 반도체 설계방식 'VTFET'(Vertical Transport Field Effect Transistor)을 15일 발표했다. 양.. www.nocutnews.co.kr 요약) 삼성전자 + IBM = VTFET(Vertical Transport Field Effect Transistor) 발명 = 반도체 표면에 트렌지스터를 수직으로 쌓아 전류를 수직/상하로 흐름 = 전류 낭비 감소 -> 전력사용량 약 85%로 감소 -> 탄소 배출량 감소 = 기존 FinFET 대비 2배 성능 구현 = 나노 공정 한계 극복...