후면 연마 후면 연마는 백그라인딩(B/G: Back Grinding)이라 하며, 회로소자가 완성된 웨이퍼를 패키지 공정 및 특성에 적합한 두께로 만들기 위해 웨이퍼의 후면을 연삭하는 과정으로이다. 박형화, 다층화되고 있는 패키지 추세에 따라 중요한 공정이라 할 수 있다.
전통적인(conventional) 공정과 후면 연마 이전 다이싱(DBG: Dicing Before Grinding) 공정이 있다. 라미네이션 반도체 웨이퍼의 뒷면을 연삭하는 후면 연마 공정을 하기 전에 웨이퍼 상면(회로가 형성된 면)의 물리적, 화학적 손상을 막고 보호를 위해 테이프를 붙이는 공정이다.
테이프 구조는 기재 필름층(웨이퍼를 보호) + 접착제층(웨이퍼 표면과 접착) + 보호 필름층(접착제층을 보호)으로 되어 있다. 웨이퍼 소잉(Sawing) 다이싱(dicing)이라고도 하며 회로가 형성된 웨이퍼를 개별 칩으로 분리하기 위해 소잉 라인을 따라서 다이아몬드 톱(blade)으로 자르는 공정이다.
물리적인 다이...
