NMOS, PMOS, CMOS 트랜지스터 동작 원리

NMOS 트랜지스터 작동 원리 1. (a)는 게이트로의 입력 전압이 없기 때문에 게이트 산화막 아래로 채널이 형성되지 않아 소스와 드레인이 개방 상태이므로 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르지 않는다.

이는 p-n 접합 다이오드의 상태와 같다. 2. 이 상태에서 (b)처럼 스위치가 닫히면 플러스 0.7V의 작은 바이어스 전압이 게이트와 소스 양단에 동일하게 공급된다. 3.

이로 인해 게이트에 플러스 정전하가 생기고, 산화막 하단에 음전하가 생성되어 소스와 드레인 간의 기판 상부에 채널이 형성된다. 4. 동시에 전기장이 게이트의 플러스 전하에 의해 생성되고, p-타입(p-type) 기판의 상층 정공을 아래쪽으로 밀어내고 전자를 채널 안으로 끌어당긴다. 5.

이때 드레인에 걸려 있는 플러스 3V 전원에 의해 전자들은 자유롭게 흘러서 마이너스(-) 단자로부터 소스를 통해서 n 채널과 드레인, 플러스(+) 전원 쪽의 램프를 통해서 흐르게 된다. 6. 전자의 흐름은 드레인과 소스 간 전류(Id...