전기적 과부하 (EOS : Electrical Overstress)Test, EOS장비 대응 규격 파형 : IEC61000-4-5 Model : TVS8/20TC, TVS8/20TCK 1. 개요 EOS(Electrical Overstress)는 전자기적 신호 및 과전압에 의해 파괴 현상을 유발하여 주요 부품의 불량 원입니다.
IC의 경우 실리콘 공정 발전으로 내부의 트랜지스터의 면적이 점점 줄어들게 되었으며, 이에 따라 반도체는 EOS 및 ESD에 매우 민감하게 되었습니다. EOS는 반도체 제품군에서도 가장 중요한 불량원인 중에 하나가 되었으며 불량 증상으로는 연결부 단락, 금속층 단선, 산화막 게이트 파괴등이 발생 할 수 있습니다.
부품 및 시스템 단계의 개발자 및 공급자는 EOS를 개선하기 위한 노력이 필요합니다. 제품에 사용된 부품과 각종 신호선의 입출력부에 Surge를 인가하여 EOS(Surge성)의 원인분석과 대책용 소자의 성능을 평가하는 목적으로 사용합니다. 2.
EOS의...
