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고품질 GaN(질화 갈륨) 박막 결정 성장(제조) 방법: 사파이어 기판위 분자선 에피택시 MBE를 이용

 고품질 GaN(질화 갈륨) 박막 결정 성장(제조) 방법: 사파이어 기판위 분자선 에피택시 MBE를 이용

반도체 관련 글을 2021년 9월에 올리고 나서 1년 6개월 동안 올리지 못했습니다. 이전에 반도체 관련 글을 작성시에는 열정이 넘쳤으나 지금은 열정이 사라져 가고 있다는… 그 와중에 2023년 들어와서 다시 반도체 관련 글을 올려야 겠다고 마음 먹었던 찰라..

공학도이신 어느 블로거님의 질문이 있어 답변하는 중 4월 안으로 글을 올리겠다고 약속 했습니다. 이에 주말을 이용해서 다시 논문을 확인해서 이 글을 올립니다.

반도체 관련 글들은 관련 분야가 아니면 이해하기 힘들고, 더욱이 대학원 연구는 석•박사 과정이 아니면 더더욱 이해하기 힘들기에 그들을 대상으로 하는 글이 되겠습니다. 1년 6개월 전 “유기금속 화학기상증착 MOCVD와 분자선 에피택시 MBE:화합물반도체 제조 장비의 최고봉”이란 주제로 글을 올렸습니다. 오늘은 이중 일본 대학원 시절 연구했던 사파이어 기판위에 분자선 에피택시 MBE 장비를 이용한 GaN (Gallium Nitride) 단결정 박막 제조 방법에 대해서 기...