SiC 웨이퍼 가공 공정 (절단-연삭-래핑) 소개

SiC 웨이퍼 가공 공정 (절단 - 연삭 - 래핑) 소개 ️ SiC 웨이퍼 공정 흐름 멀티와이어 쏘 절단 (MWS) → 양면 거친 래핑 (DSL) → 양면 정밀 래핑 (DMP) → 양면 화학적 기계 연마 (CMP1) → Si 표면 폴리싱 (CMP2) ① 멀티와이어 절단 (MWS) ️ 장비 : DW288S ️ 커팅 라인 : 금속 와이어 ️ 슬러리 : 다이아몬드 절단용 슬러리 → 수용성 / 지용성 ② 양면 거친 래핑 (DSL) ️ 장비 : 16B 양면 래핑 머신 ️ 래핑 플레이트 : 주철 (cast iron) 플레이트 ️ 다이아몬드 슬러리 : DPI - SiC ③ 양면 정밀 래핑 (DMP) ️ 장비 : 16B 양면 폴리싱 머신 ️ 폴리싱 패드 : JHR LP-57C 패드 ️ 다이아몬드 슬러리 : DPI - SiC ④ 양면 화학적 기계 연마 (CMP1) ️ 장비 : 16B 양면 폴리싱 머신 → 사용 슬러리 : 알루미나 (Alumina) 슬러리 ⑤ Si 표면 마무리 폴리싱 (CMP2) ️ ...