Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited 저항메모리(Resistive RAM: ReRAM 또는 RRAM)는 차세대 비휘발성 메모리 중 하나입니다. 부도체 물질에 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 메모리반도체입니다.
ReRAM의 특징 1. 비휘발성 - 백업 배터리가 필요하지 않습니다. 2.
Byte-accessible하며 복잡한 소프트웨어 개발이 필요하지 않습니다. 3. 플래시 메모리처럼 Sector Restriction이 존재하지 않습니다. 4.
Erase operation이 필요하지 않으며, 즉시 Write operation을 실행할 수 있습니다. 5. 저전력 Average read current : 0.15mA (typ) Sleep Current 6uA (typ) ReRAM은 EEPROM, NOR Flash, FRAM에 비해 고용량 설계가 가능하며, 저전력(약 0.15mA typ)으로 구동되며...
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원문 링크 : ReRAM이란?
