하이엔드급 파워 아날라이저를 이용한 SiC 인버터 실측 비교

최근 고속 스위칭이 가능한 전력 반도체인 SiC와 GaN을 사용한 고효율 인버터 개발이 진행되고 있습니다. 이러한 전력 반도체를 채택하면 인버터의 스위칭이 빨라지고, 평활화용 코일이나 커패시터 등의 부품을 소형화할 수 있습니다.

또한, 스위칭 손실의 감소로 방열판을 비롯한 방열 부품의 소형화가 가능하여 인버터 및 모터 전체의 고효율화, 소형화, 경량화를 실현할 수 있습니다. 그러나 스위칭의 고속화에 따라 기존보다 광대역으로 정밀도가 높은 전력 측정이 요구되기 때문에 적절한 기종 선정이 매우 중요합니다.

이번 어플리케이션 노트에서는 파워 아날라이저 PW8001과 A사의 하이엔드급 파워 아날라이저를 사용하여 SiC 인버터의 효율을 실측하여 비교한 결과를 소개합니다. 인버터 출력 전력 측정 오차의 영향 인버터 및 모터의 소형화와 경량화, 고효율화를 위해 스위칭 주파수의 고속화가 진행되고 있습니다.

그러나 스위칭 주파수의 고속화에 따라 인버터의 출력 전력을 정확하게 측정하는 것이 어려워지고...