PECVD 정의 원하는 원자가 포함된 기체에서 원하는 원소로 이루어진 막을 만드는것 Why? 절연막, 산화막, 금속 등을 증착하여 원하는 구조와 전기적 특성을 만들어 내기 위해서 How?
- surface reaction rate 아레니우스 식,온도에 의존! - mass transfer rate 압력이 낮아지면 mean free path가 증가 압력이 높아지면 농도 차에 의한 확산 속도가 증가하지만(Fick's law) by-product에 의한 진로 방해 => 적절한 압력이 필요하다.
-LPCVD Low Pressure 이여서 mean free path가 길고 균일한 deposition이 가능하다. 공정 온도가 높아 막의 qulity가 좋다, 하지만 다른 층에 영향을 줄 수 있다.
-PECVD Plasma Endanced, 플라즈마의 도움으로 낲은 온도에서도 분해 가능하다. 플라즈마는 도와주는 것이고 분해 에너지원은 열원이다.
공정온도가 200~500로 다츤 층에 영향이 적지만 c...
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