하루에 한페이지씩 완벽하게 내것으로 Dry Etch 공정 parameter 11. Notching "Bottom Positive charging 에 의한 Ion Trajectory(궤도) 의 변형" physical etch를 위해 양이온을 wafer 밑의 전극이 끌어당기는데 wafer에 부딪히고 나서 바닥면에 머물러있는 양이온이 새로 들어오는 같은 극성의 양이온을 밀어내어 그 궤도가 휘어진다. 12.
Charging Effect Sheath 영역을 벗어난 Ion과 Electron의 직진성 차이로 charging 이 발생한다. 13. 그외의 다양한 Parameter Plasma density Electron and Ion temperature Plasma potential Electron and Ion flux Electric field Magnetic field 등등 Plasma "외부로 부터 높은 에너지를 가진 전자가 반응성 기체의 원자와 충돌해서 ion과 전자가 공존하는 상태" ...
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