[반도체 공정 실습]SPTA 구조형성 공정실습 3일차

Etch Dry etch gas를 주입하여 plasma를 만들어서 chemical +physical 방식으로 etch -> physical 방식은 damage 발생 Dry etch는 가용할 수 있는 공정 변수가 다양하다. ->Plasma density, 압력, gas 종류, 전압, RF power -> 원하는 구조를 만드는 것에 최적화 되어 있다.

Plasma 구성 요소 : 전자 +ion + 중성원자 + radical Etch 에 참여하는 요소 : ion(physical), radical(chemical) Q. Etch rate를 올리려면?

A. plasma density를 올리다 = ion과 radical의 갯수를 늘린다. Si etch 반응성이 강한 F( fluorine) 계열 gas를 사용해 Si를 제거한다.

반응 부산물은 휘발성을 가지고 있어 pump를 사용해 제거한다. Dry etch는 반응시 발생한 byproduct가 표면에 껴있어도 ion이 가서 때려 제거 할 수 있다....

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