[반도체 8대공정]_Photolithography(7)

하루에 한페이지씩 완벽하게 내것으로 RET (Resolution Enhanced Technique) chip scale을 줄이기 위해 resolution을 높이려는 기술이 계속해서 발전하고 있다. 1. Light source shorter waver length g/i-line -> KrF -> ArF -> EUV 2.

Off Axis Illumination 3. PSM (Phase Shift Mask) 패턴이 작아지면서 빛의 회절과 보강간섭에의해 제대로된 패턴을 형성하지 못한다.

이를 해결하기 위해 상을 반전시키는 마스크를 사용해 상쇄 간섭을 일으켜 정확한 패턴을 형성한다. 4. OPC (Optical proximity correction) 빛의 회절에 의해 마스크패턴과 다르게 웨이퍼에 전사되는 것을 방지한기 위해 마스크의 패턴 모양을 미리 변형시켜 최종 포토공정 결과물이 원하는 모양으로 되게 한다.

패턴의 끝부분일수록 더 많이 영향을 받으며 패턴 작아지면서 모든 패턴에서 필수적인...