삼성전자, 5세대 D램(D1b) 전면 재설계

삼성전자 12나노미터급 16기가비트(Gb) DDR5 D램 (사진 출처 : 전자신문) 삼성전자가 10나노급 5세대 D램(D1b) 재설계에 착수했습니다. D1b는 지금까지 상용화된 D램 중 가장 최신인 제품으로, 성능과 수율 확보에 어려움을 겪어 원점 재개발이라는 특단의 조치를 내렸습니다. 21일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 말 12나노미터(nm)급 D램인 'D1b'에 대한 설계 변경에 착수한 것으로 확인되었습니다.

D1b는 2023년 업계 최초로 양산될 예정이며, 이후 그래픽 D램(GDDR), 모바일 D램(LPDDR), 고대역폭메모리(HBM)에 적용될 계획입니다. 웨이퍼에서 생산된 개별 D램을 묶거나 쌓아 PC, 서버, 스마트폰, 인공지능(AI) 가속기에 탑재할 수 있게 만든 것입니다. 1년 넘게 제조한 D램, 즉 D1b를 다시 설계하는 매우 이례적인 결정을 내린 것은 성능과 수율 때문으로 파악됩니다.

D1b를 기반으로 만든 LPDDR이나 HBM과 같은 제품에서 발열이 생기거나 제...