삼성전자, HBM4 두뇌 ‘로직 다이’ 조기 생산 개시

삼성전자가 업계 최초로 개발한 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램. (사진 출처 : 삼성전자) 삼성전자가 4(나노미터, 10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 통해 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 두뇌 역할을 하는 ‘로직 다이’ 초도 물량 생산에 돌입한 것으로 파악됐습니다.

이번 생산 개시는 삼성전자가 HBM 시장에서의 경쟁력을 강화하기 위한 중요한 첫걸음으로 여겨집니다. 4 파운드리 공정은 반도체 제조에서 매우 중요한 기술입니다. 이 공정은 더 작고, 더 빠르며, 더 효율적인 반도체를 생산할 수 있게 해줍니다.

삼성전자는 이 공정을 통해 HBM4의 로직 다이를 생산함으로써, 메모리 시장에서의 기술적 우위를 점할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다. HBM4는 이전 세대에 비해 더 높은 대역폭과 낮은 전력 소모를 자랑합니다.

이는 데이터 센터와 인공지능(AI) 분야에서의 성능 향상에 기여할 것으로 보입니다. 특히, HBM...