삼성, HBM4 반전 카드…차세대 D램 D1c 양산 투자

삼성전자 평택캠퍼스 전경. (사진 출처 : 삼성전자, 전자신문) 삼성전자가 차세대 D램 설비 투자에 착수했습니다.

이번 투자로 10나노미터()급 6세대 D램인 'D1c'의 양산이 본격적으로 진행될 예정입니다. 특히 이번 D1c는 전영현 부회장이 개발을 직접 챙길 정도로 회사의 역량을 집중한 제품이며, 차세대 고대역폭메모리인 HBM4에 활용될 예정입니다.

이러한 움직임은 삼성전자가 메모리 사업에서의 위상을 되찾기 위한 시동을 건 것으로 해석됩니다. 삼성전자의 D1c 개발 배경은 단순히 기술적인 진보에 그치지 않습니다.

현재 반도체 시장의 경쟁이 치열해짐에 따라, 삼성전자는 향후 HBM4와 같은 고성능 메모리 시장에서의 경쟁력을 회복하기 위해 D1c의 개발을 서둘러 왔습니다. HBM4는 빠른 데이터 전송 속도와 높은 대역폭을 자랑하는 메모리 기술로, D1c가 적용됨으로써 삼성의 고대역폭메모리 시장에서의 입지를 강화할 수 있을 것으로 보입니다.

D1c의 기술적 특징은 주목할 만합니다. D...