삼성전자, D1c 양산 이관…HBM4 제품화 속도

삼성전자 평택 사업장 (사진 출처 : 삼성전자) 삼성전자가 D1c D램 개발을 완료했습니다. 이번 D1c D램은 하반기 양산 목표인 6세대 고대역폭 메모리(HBM) 'HBM4'의 기반이 되는 제품으로, 곧 대량 생산 체제를 구축할 것으로 전망됩니다.

D1c D램의 양산 이관은 반도체 산업에서 매우 중요한 과정이며, 이번 이관을 통해 삼성전자는 더욱 높은 품질의 메모리 제품을 시장에 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됩니다. D1c D램은 10나노 초반대 제품으로, 삼성전자는 지난해 전영현 부회장이 DS부문장에 취임한 이후 D램 경쟁력을 점검하며 전반적인 설계 개선에 착수했습니다.

이를 통해 D1c D램은 최근 목표한 성능과 의미 있는 수율을 확보하게 되었으며, 이러한 성과는 삼성전자의 기술력과 연구개발 투자에 기인하고 있습니다. D1c D램의 양산 이관 과정은 'PRA(Production Readiness Approval)'라는 승인 작업을 포함합니다.

반도체 제품은 설계 및 개발 과...