삼성전자, 차세대 D램에 '건식 PR' 첫 적용

삼성전자 평택 사업장(사진 출처 : 삼성전자) 삼성전자가 6세대(1c) D램에 '건식 포토레지스트(PR)'를 적용합니다. D램에 건식 PR를 도입하는 건 반도체 업계에서 처음 있는 일입니다.

이는 수율 향상을 위한 시도로, 삼성전자가 차세대 D램에서 경쟁력을 확보할 수 있을지 주목됩니다. 삼성전자는 1c D램에 건식 PR를 도입하기로 결정하고, 장비 반입까지 마쳤습니다.

지난해부터 1c 양산라인을 구축 중인 평택 4공장(P4)에 미국 램리서치의 건식 PR 장비를 들인 것으로 파악됩니다. 언더레이어·PR 증착장비, 현상장비 등 복수 설비가 도입되었습니다.

건식 PR는 기존의 습식 PR와는 다른 방식으로 작동합니다. 노광공정은 웨이퍼에 'PR 도포→노광→현상→식각→잔여 PR 제거' 순으로 진행되는데, 기존에는 습식 PR가 주류였습니다.

그러나 10나노미터() 안팎의 초미세 공정에서는 습식 PR 적용 시 현상 및 PR 스트립에 액체가 사용됨에 따라 발생하는 표면장력 문제로 패턴이 붕괴되는...